發(fā)布時(shí)間：2021-01-17 04:13

　　納米材料修飾的導(dǎo)電高分子電極在電化學(xué)的發(fā)展中越發(fā)占據(jù)著十分重要的地位。本論文以聚酰亞胺（PI）和碳納米管（CNT）復(fù)合薄膜為基底電極,通過涂抹,沉積等方式對其進(jìn)行一系列修飾,分別將銦（In）納米顆粒,還原石墨烯（RGO）片層,MoO₂納米顆粒以及花朵狀的Co-Ni合金修飾在PI-CNT薄膜表面構(gòu)成納米材料修飾電極,并將其分別用做咖啡酸（CA）檢測,析氫（HER）和析氧反應(yīng)（OER）的電催化劑。實(shí)驗(yàn)過程中利用X射線衍射（XRD）,X光電子能譜（XPS）,掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）對修飾薄膜電極進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)以及表面形貌的表征。利用循環(huán)伏安法（CV）,計(jì)時(shí)電流法（i-t）和線性掃描伏安法（LSV）等電化學(xué)手段對修飾薄膜電極的電化學(xué)信號進(jìn)行了測量。本論文的工作主要涉及以下三個(gè)方面:1.In修飾的還原石墨烯/碳納米管-聚酰亞胺薄膜傳感器用于咖啡酸的電化學(xué)檢測通過簡單的電化學(xué)沉積方法將In納米粒子修飾在還原石墨烯/聚酰亞胺-碳納米管（In/RGO/PI-CNT）薄膜表面,并成功的將該修飾電極用于CA的檢測。采用安培分析法進(jìn)行檢測,當(dāng)施加0.4 V（vs... 

【文章來源】：蘭州大學(xué)甘肅省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

PI薄膜的圖像

2222在高分子材料方面的發(fā)展現(xiàn)狀以及應(yīng)用前景已經(jīng)得到了充分的認(rèn)識，其材料、結(jié)構(gòu)材料等領(lǐng)域的應(yīng)用也在不斷完善，此外 PI 作為新型功能材潛力正在逐漸發(fā)掘當(dāng)中。 碳納米管.1 碳納米管的性能1991 年，日本電子顯微鏡專家 lijima[34]在觀察球狀碳分子時(shí)意外的發(fā)現(xiàn)的同軸納米管組成的碳分子，這就是現(xiàn)在的碳納米管(CNT)，又被稱為CNT 是由大量的按照六邊形排列的碳原子彼此相連而組成的數(shù)層或者同軸圓管(圖 1.6)。層與層之間一般保持固定的距離，大約在 0.34nm，2~20 nm 之間不等[35]。CNT 屬于典型的一維納米材料，由于其較輕的重美連接的六邊形結(jié)構(gòu)，而具有許多突出的電學(xué)、化學(xué)和力學(xué)性能。隨著研究的不斷發(fā)展，CNT 的潛在應(yīng)用前景正在發(fā)掘過程中。

圖 1.7 PI-CNT 的實(shí)物圖。Figure 1.7 the picture of PI-CNT film product.分散性外，CNT 在復(fù)合薄膜中的含量也是 P86]。研究表明，PI-CNT 薄膜的拉伸強(qiáng)度在一定大，當(dāng)達(dá)到一定數(shù)值后，隨著 CNT 含量的增要是由于高度分散的 CNT 會影響 PI 和其間伸強(qiáng)度，但是當(dāng) CNT 含量太高時(shí)，分散性也會、纏繞，拉伸強(qiáng)度也隨之降低。PI-CNT 復(fù)合薄加而降低[87]，當(dāng) CNT 的含量超過 20%后，械性能會大幅降低，因此一般復(fù)合薄膜中 CN選題依據(jù)和主要內(nèi)容


本文編號：2982184