半導(dǎo)體材料是一類導(dǎo)電性能介于絕緣體和導(dǎo)體之間、在微電子器件和集成電路等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用的電子材料。到目前為止,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了以硅和鍺為代表的第一代半導(dǎo)體材料、以砷化鎵和磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體材料以及以氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料三個發(fā)展階段。其中,第三代半導(dǎo)體材料是當(dāng)前國內(nèi)外最為熱門的研究領(lǐng)域。第三代半導(dǎo)體材料可以用來制備主動元件和被動元件,在發(fā)光二極管（LEDs）、場效應(yīng)晶體管、肖特基勢壘二極管、激光器（LDs）、紫外探測器、透明薄膜晶體管、平面顯示、氣體傳感器、太陽能電池等方面具有極為廣闊的應(yīng)用前景,是當(dāng)前國際上熱門的前沿研究領(lǐng)域。具有帶隙寬（3.4 eV）、擊穿電場高（3.5MV/cm）、理化性能穩(wěn)定的GaN在發(fā)光二極管（LED）、場效應(yīng)晶體管、肖特基勢壘二極管、激光器（LD）、紫外探測器等領(lǐng)域已獲得廣泛應(yīng)用。因此,其已成為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。GaN基器件的主要形態(tài)結(jié)構(gòu)為薄膜器件。因此制備高質(zhì)量的GaN基薄膜是制造高性能器件的必要條件。目前,GaN基薄膜主要以藍寶石作為襯底通過有機金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法制備... 

【文章來源】：山東大學(xué)山東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：126 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１－１六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的ＧａＮ晶格結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇ．?１－１?Ｔｈｅ?Ｃｏｓｔａｌ?Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｗｕｒｔｚｉｔｅ?ＧａＮ．??

圖卜４?ＧａＮ／空氣間隙分布布拉格反射鏡（ＤＢＲ）??Ｆｉｇ．?１－４?ＧａＮ／ａｉｒ－ｇａｐ?ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ?Ｂｒａｇｇ?ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ?（ＤＢＲ）．??

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【參考文獻】：
期刊論文
[1]第三代半導(dǎo)體器件在新能源汽車(EV/HEV)上的應(yīng)用[J]. 但昭學(xué),鄭泰山.  機電工程技術(shù). 2016(02)
[2]第3代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀和展望[J]. 曹峻松,徐儒,郭偉玲.  新材料產(chǎn)業(yè). 2015(10)



本文編號：2943174