等離子體源參數(shù)對(duì)氧化物薄膜的影響及褶皺濾光片的設(shè)計(jì)
【學(xué)位單位】:長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:O484.41;TH74
【部分圖文】:
圖 1.1 離子源輔助沉積示意圖術(shù)應(yīng)用廣泛,電子束熱蒸發(fā)法、濺射法以及化能。而可供使用的離子源種類繁多,常用的包括源等,如表 1.1 所示。表 1.1 離子源性能對(duì)比子能量 離子密度 束流 發(fā)射低 大 高 大高 小 取決于能量 小高 大 小 大輔助沉積技術(shù)的廣泛發(fā)展,制備的薄膜性能越輔助電子束沉積,改善光學(xué)薄膜的性能,獲得漸狀Jacobson 就提出如果簡(jiǎn)單地使折射率在垂直于
薄膜的性能主要受薄膜本身結(jié)構(gòu)組成的影響,不同的生長(zhǎng)方式會(huì)生成不性能的薄膜。本章介紹了薄膜生長(zhǎng)結(jié)構(gòu),作為后續(xù)分析薄膜晶體生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)從電磁理論出發(fā),推導(dǎo)單層膜及多層膜的特征矩陣,作為探究褶皺濾光膜系設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。同時(shí)采用 OJL 模型和 K-K 關(guān)系,對(duì)薄膜的光學(xué)常數(shù)進(jìn)行計(jì)膜生長(zhǎng)理論的成膜過程可以分為以下幾個(gè)階段:(1)表面吸附;(2)表面擴(kuò)散;(3);(4)成核;(5)微觀結(jié)構(gòu)形成;(6)塊狀生長(zhǎng);(7)成膜。生長(zhǎng)過程中作用的影響,薄膜生長(zhǎng)可以歸結(jié)為3類,分別是 Volmer-Weber型、Frank-V和 Stranski-Krastanov 型[32]。Volmer-Weber 型mer-Weber 模型闡明了薄膜島狀生長(zhǎng)模式,如圖 2.1 所示。當(dāng)薄膜材料和基性差時(shí),膜料原子首先趨向于相互結(jié)合。該模型大多適用于金屬材料在生長(zhǎng)。對(duì)于膜層和基板來說,如果沉積時(shí)基底溫度足夠高,沉積原子具有動(dòng),則薄膜的生長(zhǎng)模式為島狀生長(zhǎng)模式。
圖 2.3 Stranski-Krastanov 型,薄膜的性能同樣與沉積條件有關(guān),采用電子束蒸發(fā)法制備的薄膜普遍,柱狀填充也是決定薄膜性能的關(guān)鍵。柱體之間有明顯的分界面,如圖 2圖 2.4 薄膜結(jié)構(gòu)區(qū)域模型[33]表明,電子束蒸發(fā)法沉積的薄膜結(jié)構(gòu)較為松散,柱狀體之間存在大量空隙
【參考文獻(xiàn)】
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1 楊焜;劉敏;鄧暢光;鄺子奇;曾威;福本昌宏;;環(huán)境壓強(qiáng)對(duì)低壓等離子噴涂熔滴沉積行為及涂層性能的影響[J];中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào);2014年03期
2 陳京湘;崔碧峰;丁穎;計(jì)偉;王曉玲;張松;凌小涵;李佳莼;馬鈺慧;蘇道軍;;離子輔助沉積電子束蒸發(fā)Si基SiO_2薄膜的研究[J];半導(dǎo)體光電;2013年04期
3 陳松林;馬平;胡江川;胡建平;王震;羅晉;;離子輔助沉積大口徑傳輸反射鏡面形控制研究[J];應(yīng)用光學(xué);2011年03期
4 潘永強(qiáng);黃國(guó)俊;;離子束輔助沉積非晶硅薄膜紅外光學(xué)特性研究[J];西安工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);2011年01期
5 張佰森;馬勉軍;熊玉卿;陳燾;王多書;李晨;楊淼;;基于Rugate理論的負(fù)濾光片設(shè)計(jì)研究[J];真空與低溫;2010年04期
6 趙磊;隋展;朱啟華;張穎;左言磊;;用于補(bǔ)償增益窄化效應(yīng)的Rugate濾波器設(shè)計(jì)[J];物理學(xué)報(bào);2009年06期
7 傅晶晶;付秀華;邢政;;離子束輔助沉積紅外增透薄膜工藝[J];長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2008年02期
8 賈宇明,楊邦朝,李言榮,鄭昌瓊,茍立,冉均國(guó);摻硼金剛石膜的熱敏特性[J];材料研究學(xué)報(bào);1996年04期
9 龐叔鳴;方小平;;Rusate濾光器的光譜響應(yīng)及其參數(shù)的選擇[J];東南大學(xué)學(xué)報(bào);1993年03期
10 戰(zhàn)元齡,曲會(huì)忠,張鐵群;Rugate光學(xué)薄膜通帶內(nèi)反射次峰的抑制[J];光學(xué)學(xué)報(bào);1991年02期
本文編號(hào):2846471
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