發(fā)布時(shí)間：2019-04-27 07:26

【摘要】：Ⅱ型核-殼半導(dǎo)體因其特有的交錯(cuò)能帶結(jié)構(gòu),已被廣泛應(yīng)用于光學(xué)器件、光電子器件、光電化學(xué)太陽(yáng)能電池、光電化學(xué)檢測(cè)、光催化劑等領(lǐng)域。在本學(xué)位論文中,研究了Bi_2O_x@Bi_2S_3,表面硫化的BiOCl (SS-BiOCl)和表面硫化的BiOBr (SS-BiOBr)幾種Bi基Ⅱ型核-殼半導(dǎo)體薄膜的制備、表征及其光電化學(xué)性能。主要內(nèi)容如下： (1)先于導(dǎo)電玻璃上通過(guò)高溫?zé)峤庖欢康腂i(NO_3)_3得到Bi_2O_x多孔薄膜,然后通過(guò)表面硫化處理制得Bi_2O_x@Bi_2S_3核-殼結(jié)構(gòu)多孔半導(dǎo)體薄膜；用XRD和XPS表征方法確認(rèn)Bi_2O_x@Bi_2S_3核-殼結(jié)構(gòu)薄膜的形成；考察Bi(NO_3)_3溶液原始濃度及不同硫化時(shí)間對(duì)光電化學(xué)性能的影響,并給出解釋。 (2)先于NaCl溶液中,在一定電勢(shì)下陽(yáng)極氧化光滑的Bi電極,制得納米片狀BiOCl薄膜,然后通過(guò)在Na2S溶液中S2-和BiOCl層間Cl-的交換合成了表面硫化的納米片狀BiOCl (SS-BiOCl)殼-核結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體薄膜；用XRD、XPS和Raman光譜表征方法確認(rèn)SS-BiOCl殼-核結(jié)構(gòu)薄膜的形成；考察不同陽(yáng)極化電勢(shì)、時(shí)間及硫化時(shí)間對(duì)光電化學(xué)性能的影響,并給出解釋。 (3)先于KBr溶液中,在一定電勢(shì)下陽(yáng)極氧化光滑的Bi電極,制得納米片狀BiOBr薄膜,然后通過(guò)在Na2S溶液中S2-和BiOBr層間Br-的交換合成了表面硫化的納米片狀BiOBr (SS-BiOBr)殼-核結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體薄膜；用XRD、 XPS和Raman光譜表征方法確認(rèn)SS-BiOCl殼-核結(jié)構(gòu)薄膜的形成；考察不同陽(yáng)極化電勢(shì)、時(shí)間及硫化時(shí)間對(duì)光電化學(xué)性能的影響,并給出解釋。
[Abstract]:Type 鈪，

本文編號(hào)：2466800