【摘要】：以等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PE-ALD)技術(shù)生長氮氧化鋁(AlNxOy)薄膜,磁控濺射Ag上電極制備結(jié)構(gòu)為Ag/AlNxOy/Pt的阻變存儲器(RRAM).器件呈現(xiàn)雙極性阻變特性,正向開啟電壓穩(wěn)定且分布窄,變化幅度集中在0.5V的范圍內(nèi).高阻態(tài)和低阻態(tài)電阻之比超過103,并具有免激活特性.低溫測試表明,器件的低阻態(tài)電阻和溫度正相關(guān),說明了阻變的機(jī)制為銀導(dǎo)電細(xì)絲的形成和斷裂.
[Abstract]:Alumina nitride (AlNxOy) thin films were grown by plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) technique. The resistive memory (RRAM). With Ag/AlNxOy/Pt structure was fabricated by magnetron sputtering Ag on the electrode. The device presents bipolarity resistive characteristics, the forward switching voltage is stable and the distribution is narrow, and the range of variation is concentrated in the range of 0.5 V. The ratio of high resistance state to low resistance state is over 103, and has the characteristics of non-activation. The low temperature measurement shows that the low resistance of the device is positively related to the temperature, indicating that the mechanism of the resistance is the formation and fracture of the silver conductive filament.
【作者單位】： 廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：福建省自然科學(xué)基金(2016J05163) 廈門大學(xué)校長基金(20720150028,20720160019)
【分類號】：TB383.2;TP333

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本文編號：2268004