本文選題：直流磁控濺射 + TiN　； 參考：《低溫物理學報》2017年03期

【摘要】：采用直流磁控濺射法在高阻硅上室溫生長TiN超導薄膜.制備了不同濺射功率、濺射氣壓以及N2/Ar比份條件下的樣品.綜合物性測量系統(tǒng)(PPMS)測出了樣品的超導臨界溫度Tc在3.2~4.0K之間,給出了Tc與制備條件的關系.X射線衍射(XRD)分析測量了樣品的(111)TiN衍射峰半高寬(FWHM)、晶格常數.原子力顯微鏡(AFM)測量得到表面粗糙度(RES)最好為1.716nm,且給出較高濺射功率有利于降低表面粗糙度.
[Abstract]:Tin superconducting thin films were grown on high resistance silicon substrate by DC magnetron sputtering at room temperature. Samples with different sputtering power, sputtering pressure and N _ 2 / ar ratio were prepared. The superconducting critical temperature (Tc) of the samples was measured by a comprehensive physical property measurement system (PPMS). The relationship between Tc and the preparation conditions was obtained. X-ray diffraction (XRD) analysis was used to measure the half-maximum width (FWHM) and lattice constant of (111) tin diffraction peak. The surface roughness (res) obtained by atomic force microscope (AFM) is 1.716nm, and it is shown that higher sputtering power is beneficial to decrease the surface roughness.
【作者單位】： 南京大學超導電子研究所;
【分類號】：O484.1

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本文編號：2090316