本文選題：射頻磁控濺射　切入點：ZnO基薄膜　出處：《長春理工大學(xué)》2014年碩士論文

【摘要】：在室溫下,ZnMgO薄膜材料的禁帶寬度可在3.3eV～7.8eV范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。又由于這種半導(dǎo)體材料分布廣泛、制備方法多以及抗輻射能力強(qiáng),因此,近幾年人們越來越關(guān)注這種材料的研究及其發(fā)展方向。 本論文主要采用射頻磁控濺射的方法來生長ZnO薄膜和ZnMgO合金薄膜。并在此前提下,使用光刻工藝的方法制備出具有MSM結(jié)構(gòu)的ZnO和ZnMgO紫外光電探測器,并對薄膜和探測器的性能進(jìn)行了研究。主要研究了射頻磁控濺射的方法生長的ZnO基薄膜的工藝條件對薄膜性能的影響,重點討論濺射功率對薄膜性能的影響；在此基礎(chǔ)上,又研究了光刻工藝后,探測器表面的形貌,以及ZnO基紫外光電探測器的光電性能,并研究了表面處理提高探測器性能的原理。
[Abstract]:At room temperature , the forbidden band width of the ZnMgO thin film material can be adjusted in the range of 3.3 eV to 7.8 eV . As the semiconductor material is widely distributed , the preparation method is high , and the radiation resistance is strong , the research and the development direction of the material are more and more concerned in recent years .

ZnO and ZnMgO thin films were grown by RF magnetron sputtering . In this condition , ZnO and ZnMgO UV detectors with MSM structure were fabricated by photolithographic process , and the properties of films and detectors were studied .
On this basis , the morphology of the surface of the detector and the photoelectric properties of the ZnO - based UV detector are studied , and the principle of improving the performance of the detector is studied .

【學(xué)位授予單位】：長春理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號】：TB383.2;TN23

【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：1710033