本文選題：TiAlC薄膜　切入點(diǎn)：熱原子層沉積　出處：《材料保護(hù)》2017年09期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：為了解以熱原子層沉積技術(shù)制備的TiAlC薄膜的特性,在不同基底溫度下,以硅和二氧化硅為基底材料制備了TiAlC薄膜;采用橢偏儀、分光光度計(jì)、X射線光電子能譜、原子力顯微鏡、X射線衍射儀對(duì)薄膜的性能進(jìn)行了測(cè)試。結(jié)果表明:隨著基底溫度的升高,TiAlC薄膜平均透射率逐漸降低,吸收邊產(chǎn)生紅移,光學(xué)帶隙由2.56eV降低到0.61 eV;薄膜的沉積速率由0.09 nm/cycle升高到0.20 nm/cycle,表面粗糙度由1.82 nm降低到0.49 nm;不同基底溫度下生長(zhǎng)的薄膜均為無定型結(jié)構(gòu);膜層中的氧源于空氣的自然氧化,且膜層的氧化程度與膜層中TiC的含量及膜層的致密性有關(guān);TiAlC薄膜的形成主要源于高溫條件下TiC的形成及三甲基鋁的分解。
[Abstract]:In order to understand the characteristics of TiAlC thin films prepared by thermal atomic layer deposition, TiAlC thin films were prepared by using silicon and silica as substrates at different substrate temperatures, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used by spectrometer, ellipsometry, spectrometer, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The properties of the films were measured by atomic force microscope (AFM) X-ray diffractometer. The results show that the average transmittance of TiAlC thin films decreases with the increase of substrate temperature, and the absorption edge of TiAlC films is red-shifted. The optical band gap was reduced from 2.56 EV to 0.61 EV, the deposition rate of the film increased from 0.09 nm/cycle to 0.20 nm cycle.The surface roughness decreased from 1.82 nm to 0.49 nm. The oxidation degree of the film is related to the content of TiC in the film and the densification of the film. The formation of TiAlC film is mainly due to the formation of TiC and the decomposition of trimethyl aluminum at high temperature.
【作者單位】： 凱里學(xué)院物理與電子工程學(xué)院;
【基金】：貴州省“125計(jì)劃”重大科技專項(xiàng)項(xiàng)目(黔教合重大專項(xiàng)字[2014]037號(hào)) 貴州省科學(xué)技術(shù)基金項(xiàng)目(黔科合J字[2014]2148號(hào)) 貴州省科技合作計(jì)劃項(xiàng)目(黔科合LH字[2015]7743號(hào)) 貴州省2016年省級(jí)本科教學(xué)工程項(xiàng)目(20161114020)資助
【分類號(hào)】：O484

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本文編號(hào)：1630225