發(fā)布時間：2018-02-28 07:12

  本文關(guān)鍵詞： 薄膜沉積 應(yīng)腔 調(diào)控方法 表面工程 PECVD 化學(xué)反應(yīng)過程 半導(dǎo)體制造 試錯 參數(shù)試驗 氮化硅薄膜 　出處：《金屬加工(冷加工)》2017年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：正薄膜沉積工藝是半導(dǎo)體制造、MEMS、表面工程等領(lǐng)域的基礎(chǔ)工藝。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是重要的薄膜沉積工藝方法之一,其工藝系統(tǒng)涉及復(fù)雜多場耦合及化學(xué)反應(yīng)過程。目前PECVD反應(yīng)腔室設(shè)計與工藝調(diào)控的研究普遍依賴經(jīng)驗試錯與大量的工藝參數(shù)試驗,不僅需要大量的時間與物力成本,且復(fù)雜的工藝過程沒有得到揭示。實質(zhì)
[Abstract]:Positive film deposition is the basic process in semiconductor manufacturing, surface engineering and so on. Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) is one of the most important process methods for thin film deposition. The process system involves complex multi-field coupling and chemical reaction processes. At present, the design and control of PECVD chamber generally rely on empirical trial and error and a large number of process parameters tests, which not only require a lot of time and material cost. And the complex process has not been revealed.
【作者單位】： 清華大學(xué);
【分類號】：TB383.2

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本文編號：1546291