本文關(guān)鍵詞：摻雜鈮和鈷元素的PZT薄膜的殘余應(yīng)力測定　出處：《壓電與聲光》2016年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：鋯鈦酸鉛(PZT)薄膜具有優(yōu)異的壓電性能,是制作微機電系統(tǒng)(MEMS)振動式能量收集器的理想材料。在溶膠-凝膠法制備PZT薄膜的過程中產(chǎn)生的殘余應(yīng)力會對能量收集器有負面影響。該文利用X線衍射法對在退火溫度分別為650℃、700℃、750℃、800℃下?lián)诫s鈮(Nb)和鈷(Co)元素的PZT薄膜樣品的殘余應(yīng)力進行了測定。實驗結(jié)果表明,PZT薄膜樣品中的殘余應(yīng)力表現(xiàn)為壓應(yīng)力,從650℃升高到750℃的過程中,隨著退火溫度的升高薄膜中的殘余應(yīng)力增大;直到750℃附近后,殘余應(yīng)力基本保持穩(wěn)定。
[Abstract]:Lead zirconate titanate (PZT) thin film has excellent piezoelectric properties and is an ideal material for making MEMS vibration energy collector. The residual stress produced in the preparation of PZT films by sol-gel method will have a negative effect on the energy collector. The residual stresses of PZT thin films doped with Nb (Nb) and CO (Co) at annealing temperature of 650, 700, 750, 800, were determined by X ray diffraction. The experimental results show that the residual stress in PZT thin films is compressive stress. From 650 to 750 degrees, the residual stress increases with the increase of annealing temperature, and the residual stress remains stable until 750 degrees.
【作者單位】： 重慶大學新型微納器件與系統(tǒng)技術(shù)國防重點學科實驗室;重慶大學微系統(tǒng)研究中心;
【基金】：中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費專項基金資助項目(106112014CDJZR160001)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 0引言隨著電子技術(shù)、信息技術(shù)、微電子技術(shù)的發(fā)展,基于MEMS的微傳感器、微執(zhí)行器的應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣。近年來,物聯(lián)網(wǎng)和無線傳感網(wǎng)絡(luò)的興起,使微型能量收集器和微型儲能元件成為MEMS領(lǐng)域的研究熱點[1]。PZT作為一種壓電材料具有高居里溫度和高機電耦合系數(shù)等特點,PZT薄膜是制作

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本文編號：1340961