發(fā)布時間：2017-11-29 01:33

  本文關(guān)鍵詞：調(diào)制濺射氣壓對ZnO∶Ga薄膜結(jié)構(gòu)與光電性能的影響

  更多相關(guān)文章： 磁控濺射 ZnO∶Ga薄膜 調(diào)制 濺射氣壓

【摘要】：利用射頻磁控濺射法分階段調(diào)制濺射氣壓在石英襯底上沉淀ZnO∶Ga薄膜。實驗分為四組,分別是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1 Pa,2 Pa/1 Pa。對樣品的晶體微結(jié)構(gòu),電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)進行了分析。經(jīng)過表征發(fā)現(xiàn):不同濺射氣壓狀態(tài)下ZnO∶Ga薄膜都具有(002)方向的擇優(yōu)取向,呈ZnO的六角纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu);第一階段濺射低氣壓時候的樣品的電阻率較低;可見光透過率隨著第一階段濺射氣壓的升高不斷降低;PL分析時,不同的氣壓狀態(tài)下都出現(xiàn)紫外發(fā)光峰和藍(lán)色發(fā)光峰,隨著第一段濺射氣壓的升高樣品本征發(fā)光峰和缺陷發(fā)光峰都加強。
【作者單位】： 景德鎮(zhèn)陶瓷大學(xué)機械電子工程學(xué)院;
【基金】：江西省科技支撐計劃資助項目(2010BGA01100) 江西省對外合作資助項目(20111BDH80031,20132BDH80025) 江西省自然基金資助項目(20111BAB202005,20132BAB202001) 江西省主要學(xué)科學(xué)術(shù)和技術(shù)帶頭人培養(yǎng)計劃項目(20123BCB22002) 江西省高等學(xué)�？萍悸涞赜媱�(KJLD12085) 江西省教育廳科技資助項目(GJJ12494,GJJ13643,GJJ13625)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 0引言 透明導(dǎo)電薄膜(TCO)一直是現(xiàn)在研究的熱點,In2O3∶Sn(ITO)是綜合性能最好的透明材料,具有良好的透光性和較低的電阻率,但是In元素稀少,產(chǎn)量有限,ITO薄膜制作成本比較高,所以需要探索其他材料代替它。Zn O是一種六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),II-IV族直接寬禁帶結(jié) 構(gòu)的半導(dǎo)體材料,它的

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前9條

1 李建;任洪湘;梁一平;劉昌信;;濺射法制備Ag超微粒的研究[J];電子顯微學(xué)報;1993年05期

2 汪建華,袁潤章,喻憲輝,鄔欽崇,任兆杏;真空波導(dǎo)磁場控制型ECR濺射法的實驗研究[J];武漢工業(yè)大學(xué)學(xué)報;1998年03期

3 雷躍剛;王霈文;李_";古宏偉;;反應(yīng)濺射法在藍(lán)寶石襯底上制備CeO_2緩沖層[J];稀有金屬;2007年06期

4 汝強;胡顯奇;盛鋼;;有機泡沫導(dǎo)電化處理的濺射法及其設(shè)備的研制[J];廣東化工;2010年05期

5 李健;朱潔;;濺射Cu/In疊層預(yù)置膜再硒化法制備CuInSe_2薄膜[J];太陽能學(xué)報;2008年03期

6 劉立英,朱滿康,侯育冬,邵明明,嚴(yán)輝;濺射氣壓對Ba_(2-x)TiSi_(2+y)O_8鐵電薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響[J];武漢理工大學(xué)學(xué)報;2005年07期

7 章吉良,李明,楊春生,趙小林,宋柏泉;濺射氣體和基板偏壓對濺射Al_2O_3薄膜內(nèi)應(yīng)力和密度的影響[J];真空科學(xué)與技術(shù);1996年01期

8 聞明;管偉明;李艷瓊;張俊敏;畢s，

本文編號：1235757