本文關(guān)鍵詞：調(diào)制濺射氣壓對(duì)ZnO∶Ga薄膜結(jié)構(gòu)與光電性能的影響

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【摘要】：利用射頻磁控濺射法分階段調(diào)制濺射氣壓在石英襯底上沉淀ZnO∶Ga薄膜。實(shí)驗(yàn)分為四組,分別是0.7 Pa/1Pa,1 Pa/1 Pa,1.5 Pa/1 Pa,2 Pa/1 Pa。對(duì)樣品的晶體微結(jié)構(gòu),電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了分析。經(jīng)過表征發(fā)現(xiàn):不同濺射氣壓狀態(tài)下ZnO∶Ga薄膜都具有(002)方向的擇優(yōu)取向,呈ZnO的六角纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu);第一階段濺射低氣壓時(shí)候的樣品的電阻率較低;可見光透過率隨著第一階段濺射氣壓的升高不斷降低;PL分析時(shí),不同的氣壓狀態(tài)下都出現(xiàn)紫外發(fā)光峰和藍(lán)色發(fā)光峰,隨著第一段濺射氣壓的升高樣品本征發(fā)光峰和缺陷發(fā)光峰都加強(qiáng)。
【作者單位】： 景德鎮(zhèn)陶瓷大學(xué)機(jī)械電子工程學(xué)院;
【基金】：江西省科技支撐計(jì)劃資助項(xiàng)目(2010BGA01100) 江西省對(duì)外合作資助項(xiàng)目(20111BDH80031,20132BDH80025) 江西省自然基金資助項(xiàng)目(20111BAB202005,20132BAB202001) 江西省主要學(xué)科學(xué)術(shù)和技術(shù)帶頭人培養(yǎng)計(jì)劃項(xiàng)目(20123BCB22002) 江西省高等學(xué)校科技落地計(jì)劃(KJLD12085) 江西省教育廳科技資助項(xiàng)目(GJJ12494,GJJ13643,GJJ13625)
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 0引言 透明導(dǎo)電薄膜(TCO)一直是現(xiàn)在研究的熱點(diǎn),In2O3∶Sn(ITO)是綜合性能最好的透明材料,具有良好的透光性和較低的電阻率,但是In元素稀少,產(chǎn)量有限,ITO薄膜制作成本比較高,所以需要探索其他材料代替它。Zn O是一種六角纖鋅礦結(jié)構(gòu),II-IV族直接寬禁帶結(jié) 構(gòu)的半導(dǎo)體材料,它的

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前9條

1 李建;任洪湘;梁一平;劉昌信;;濺射法制備Ag超微粒的研究[J];電子顯微學(xué)報(bào);1993年05期

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3 雷躍剛;王霈文;李_";古宏偉;;反應(yīng)濺射法在藍(lán)寶石襯底上制備CeO_2緩沖層[J];稀有金屬;2007年06期

4 汝強(qiáng);胡顯奇;盛鋼;;有機(jī)泡沫導(dǎo)電化處理的濺射法及其設(shè)備的研制[J];廣東化工;2010年05期

5 李健;朱潔;;濺射Cu/In疊層預(yù)置膜再硒化法制備CuInSe_2薄膜[J];太陽能學(xué)報(bào);2008年03期

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8 聞明;管偉明;李艷瓊;張俊敏;畢s，

本文編號(hào)：1235757