本文關(guān)鍵詞：多層納米AlGaN薄膜制備及其場發(fā)射性能

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【摘要】：本文采用激光脈沖沉積系統(tǒng)在SiC基底上制備了GaN/AlN/GaN多層納米結(jié)構(gòu)薄膜,探索了多層納米薄膜量子結(jié)構(gòu)增強場發(fā)射性能.X射線衍射和掃描電子顯微鏡結(jié)果表明,已成功制備出了界面清晰、結(jié)晶良好的GaN/AlN/GaN多層納米薄膜.場發(fā)射測試結(jié)果表明:多層納米薄膜結(jié)構(gòu)相對于GaN和AlN單層納米薄膜,其場發(fā)射性能得到顯著提升.其開啟電場低至0.93V/μm,電流密度在5.5V/μm時已經(jīng)能夠達到30mA/cm~2.隨后進一步分析了納米結(jié)構(gòu)增強場發(fā)射機理,電子在GaN/AlN/GaN多層納米薄膜結(jié)構(gòu)中的量子阱中積累使其表面勢壘高度顯著下降,并通過共振隧穿效應(yīng)進一步提高電子的透過概率,從而使場發(fā)射性能極大提高.研究結(jié)果將為應(yīng)用于高性能場發(fā)射器件的納米薄膜材料的制備提供一種好的技術(shù)方案.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;北京市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準號:11274029,11074017) 北京工業(yè)大學(xué)京華人才支持計劃(批準號:2014-JH-L07)資助的課題~~
【分類號】：O484
【正文快照】： 本文采用激光脈沖沉積系統(tǒng)在Si C基底上制備了Ga N/Al N/Ga N多層納米結(jié)構(gòu)薄膜,探索了多層納米薄膜量子結(jié)構(gòu)增強場發(fā)射性能.X射線衍射和掃描電子顯微鏡結(jié)果表明,已成功制備出了界面清晰、結(jié)晶良好的Ga N/Al N/Ga N多層納米薄膜.場發(fā)射測試結(jié)果表明:多層納米薄膜結(jié)構(gòu)相對于Ga N

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本文編號：1162076