天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當前位置:主頁 > 管理論文 > 工程管理論文 >

熱處理參數對LZO膜外延生長的影響

發(fā)布時間:2017-11-06 09:03

  本文關鍵詞:熱處理參數對LZO膜外延生長的影響


  更多相關文章: LaZrO(LZO)緩沖層 化學溶液沉積技術 外延生長


【摘要】:研究了熱處理參數對LZO膜外延生長的影響。結果顯示實驗條件范圍內,升高熱處理溫度、延長熱處理時間和加快升溫速度有利于提高(400)_(LZO)衍射峰的強度。相對于熱處理溫度、熱處理時間和升溫速度,LZO膜的織構類型對熱處理時的氧分壓十分敏感,氧分壓直接影響到能否制備出具有單一織構成分的LZO膜。進一步分析顯示,傳統(tǒng)的形核生長理論可以很好地解釋熱處理溫度、熱處理時間和升溫速度對LZO膜外延生長的影響。增加氧分壓對LZO膜的外延生長存在雙重作用,一方面提高氧分壓可以降低膜中的積碳量,有利于LZO晶粒的長大,但另一方面,提高氧分壓降低膜中的積碳后將導致對自發(fā)形核長大過程的抑制作用減弱,最終使得LZO膜不具有單一的立方織構。因此,更合理地控制/改變不同熱處理階段的氧分壓才能在改善LZO膜生長動力學的同時又不影響其外延生長。
【作者單位】: 西北有色金屬研究院;
【基金】:國際合作項目(2012DFA50780) 陜西省創(chuàng)新團隊項目(2013KCT-07)
【分類號】:TM26;TB383.2
【正文快照】: 采用多技術組合開發(fā)具有多層膜結構的涂層導體[1-3]是目前高溫超導材料的研究熱點。國內外的研究結果表明[4-6],TFA-MOD(metalorganic depositionmethod using trifluoroacetates)技術是開發(fā)超導層低成本制備技術的最佳選擇,但對于緩沖層來說,無論是結構或是制備技術,還處于不

【相似文獻】

中國期刊全文數據庫 前10條

1 張陽,陳光華,朱鶴孫,楊新武,楊寧;大尺寸單晶金剛石薄膜的外延生長(英文)[J];人工晶體學報;2000年03期

2 俞重遠;封強;劉玉敏;任曉敏;;半導體薄膜材料外延生長的蒙特卡羅模擬[J];人工晶體學報;2006年06期

3 吳鋒民,朱啟鵬,吳自勤;超薄膜外延生長的計算機模擬[J];物理學報;1998年09期

4 趙海發(fā),張健之,金恩培;表面外延生長初期的分形現象及數值模擬[J];哈爾濱工業(yè)大學學報;2001年05期

5 陳凡,趙彤,呂惠賓,陳正豪,楊國楨;薄膜層狀外延生長的光學原位實時監(jiān)測方法[J];物理;1999年08期

6 尤明慧;徐爽;陳大川;;計算機模擬InGaSb/GaAs薄膜外延生長的研究[J];電腦知識與技術;2010年15期

7 王宗昌,潘延旺,張桂芳,李家,常冬青;電外延生長技術——焦耳熱的解決[J];人工晶體;1982年Z1期

8 連貴君,李美亞,康晉峰,郭建東,孫云峰,熊光成;鈣鈦礦結構氧化物薄膜的外延生長[J];物理學報;1999年10期

9 陳書漢;;超薄膜Si外延生長過程的動力學蒙特卡羅模擬[J];廣東第二師范學院學報;2011年05期

10 任廣斌;郭慶龍;秦湘閣;王志林;;銅基底上外延生長金剛石薄膜的密度泛函理論研究[J];佳木斯大學學報(自然科學版);2009年05期

中國重要會議論文全文數據庫 前10條

1 王躍;宋炳文;介萬奇;周堯和;;碲鎘汞薄膜的外延生長[A];第三屆中國功能材料及其應用學術會議論文集[C];1998年

2 吳君華;潘子昂;馮濤;鄒本三;杜學禮;周嘯;;外延生長聚酞菁硅氧烷晶體的分子像[A];第五次全國電子顯微學會議論文摘要集[C];1988年

3 蔡衍卿;姚忻;賴亦堅;;鎵酸釹基片上外延生長釔鋇銅氧超導厚膜的a、c軸取向轉變機制[A];第14屆全國晶體生長與材料學術會議論文集[C];2006年

4 周玉冰;劉忠范;彭海琳;;二維硒化鎵納米結構的外延生長與光電性質[A];中國化學會第29屆學術年會摘要集——第33分會:納米材料合成與組裝[C];2014年

5 唐琳;孫麗華;徐春艷;郁峰;周歡;何建華;張榮光;;蛋白質晶體外延生長機理研究[A];第四屆中國結構生物學學術討論會論文摘要集[C];2013年

6 李言榮;;BaTiO_3類介電薄膜在GaN上的外延生長和性能研究[A];第七屆中國功能材料及其應用學術會議論文集(第7分冊)[C];2010年

7 李長榮;杜振民;盧琳;張維敬;;化合物半導體外延生長:從LPE到MOVPE[A];第十屆全國相圖學術會議論文集[C];2000年

8 尚景智;毛明華;方志來;劉寶林;張保平;;與GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生長[A];第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集[C];2007年

9 劉志成;孔德金;王仰東;高煥新;;外延生長法合成擇形功能的ZSM-5核殼分子篩[A];第十五屆全國分子篩學術大會論文集[C];2009年

10 徐彭壽;劉金鋒;劉忠良;王科范;湯洪高;;SiC薄膜的MBE外延生長及其結構表征[A];第14屆全國晶體生長與材料學術會議論文集[C];2006年

中國重要報紙全文數據庫 前2條

1 飄塵;我國LED產值2010將超1000億元[N];中國有色金屬報;2008年

2 清華大學電子工程系集成光電子學國家重點實驗室 羅毅 邵嘉平;氮化鎵基高亮度LED核心專利分析[N];中國電子報;2005年

中國博士學位論文全文數據庫 前10條

1 吳真龍;選擇性橫向外延生長半極性面GaN材料及器件光電性質研究[D];南京大學;2016年

2 何W,

本文編號:1148223


資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/guanlilunwen/gongchengguanli/1148223.html


Copyright(c)文論論文網All Rights Reserved | 網站地圖 |

版權申明:資料由用戶4cdd1***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要刪除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com