本文關(guān)鍵詞：仿生納米硅結(jié)構(gòu)減反射及陷光性能模擬研究

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【摘要】：仿造蟬翼凸起狀結(jié)構(gòu),建立了硅納米錐模型,在此基礎(chǔ)上研究其減反射及陷光性能與其底部直徑、高度的關(guān)系,確定直徑150nm、高度500nm為其最優(yōu)結(jié)構(gòu)參數(shù),該參數(shù)的納米錐結(jié)構(gòu)在300~1200nm波段平均反射率為1%.將優(yōu)化的納米錐結(jié)構(gòu)與平板結(jié)構(gòu)以及相同參數(shù)的納米柱結(jié)構(gòu)進(jìn)行了比較,從反射曲線、電場(chǎng)強(qiáng)度分布、能量吸收密度分布、電子生成速度分布多個(gè)角度證實(shí)了納米錐結(jié)構(gòu)優(yōu)異的減反射及陷光性能,為硅基光伏器件減反射陷光微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了參考.
【作者單位】： 上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院金屬基復(fù)合材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 材料 減反射 陷光 太陽(yáng)能電池
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51572169;91333115) 上�；A(chǔ)研究重點(diǎn)項(xiàng)目(14JC1403300) 上海市科委國(guó)際合作項(xiàng)目(14520710100)
【分類號(hào)】：TB17;TM914.4
【正文快照】： 1引言硅以其豐富的儲(chǔ)量、較小的帶隙(1.12eV)、無(wú)毒等特性成為最受青睞的太陽(yáng)能電池材料[1]。然而硅本身反射系數(shù)較高,相當(dāng)一部分入射到硅表面的太陽(yáng)光被反射回大氣,降低了對(duì)太陽(yáng)能的利用率,這嚴(yán)重制約了硅基太陽(yáng)能電池能量轉(zhuǎn)換效率的提高。在硅表面鍍減反射膜[2]是減小反射的

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本文編號(hào)：1125539