基于ARM的大功率CO2激光器控制系統(tǒng)的研究和設(shè)計(jì)
【學(xué)位授予單位】:南京林業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2013
【分類號(hào)】:TG665;TP273;TN248.22
【圖文】:
光技術(shù)從此不斷飛速發(fā)展,成為二十世紀(jì)與半導(dǎo)體、原子能及計(jì)算機(jī)齊名的四項(xiàng)重大發(fā)之一[1-2]。隨著激光產(chǎn)業(yè)不斷完善,激光應(yīng)用已經(jīng)滲透到科研、產(chǎn)業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域,在航航天、通訊、汽車船舶制造、金屬加工、冶金、軍事、醫(yī)療器械等領(lǐng)域起到了重要作用。激光加工是激光應(yīng)用中最大的項(xiàng)目,也是對(duì)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)中產(chǎn)品的生產(chǎn)和改造的最重要的段。由于激光加工具有非接觸式加工、加工速度快、可加工材料范圍廣泛、生產(chǎn)效率高、量可靠等特點(diǎn),其在全球范圍的應(yīng)用迅速擴(kuò)大,對(duì)激光加工設(shè)備的需求也在不斷增加。據(jù)統(tǒng)計(jì),2010 年,全球激光行業(yè)逐步擺脫金融危機(jī)的影響出現(xiàn)回暖,其收入約為 64美元,同比增長(zhǎng) 16.15%,2011 年全球激光產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大到 80 億美元,同比增長(zhǎng)%。未來激光行業(yè)仍將保持 10%左右的增長(zhǎng)速度,這一發(fā)展速度主要由激光產(chǎn)業(yè)較為落的發(fā)展中國(guó)家引領(lǐng),其增長(zhǎng)支撐則是以中國(guó)、印度為代表的新興市場(chǎng)國(guó)家,到 2015全球激光產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將突破 105 億美元[8]。雖然我國(guó)激光產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起步比較晚,但是國(guó)家對(duì)激光產(chǎn)業(yè)高度重視,先后引進(jìn)激器生產(chǎn)技術(shù),并通過與高校的產(chǎn)學(xué)研項(xiàng)目結(jié)合,我國(guó)的激光產(chǎn)業(yè)得到了迅速地發(fā)展。武漢建立了光谷基地,并成立了激光加工產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。近幾年,我國(guó)的激加工設(shè)備行業(yè)銷售收入狀況如下圖 1-1 所示:
存儲(chǔ)電路主要分為三部分:DDR2 存儲(chǔ)電路、Nandflash 存儲(chǔ)電路和 DateFlash電路。DDR2存儲(chǔ)部分采用64M 字節(jié)DDR2 SDRAM,由兩片8 位數(shù)據(jù)寬度DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器為16 位數(shù)據(jù)寬度的DDR2 SDRAM,數(shù)據(jù)和CLK 信號(hào)線運(yùn)行速度可達(dá)133MHz。NandFlash存儲(chǔ)部分采用了128MB 的NandFlash 存儲(chǔ)器,其中32MB 用于存放系統(tǒng)文件,其余空間用于存放客戶應(yīng)用程序等,亦可根據(jù)要求自行進(jìn)行系統(tǒng)固化、存儲(chǔ)區(qū)配等操作,F(xiàn)采用的容量暫為128MB,這個(gè)容量還可以隨著未來實(shí)際需求的變化而調(diào)升級(jí)。DateFlash存儲(chǔ)部分的存儲(chǔ)器是2MB的Norflash,映射在bank0。內(nèi)部可存放少量代碼。例如我們?cè)贒ateFlash中存放了FIRSTBOOT.nb0,這是一個(gè)系統(tǒng)引導(dǎo)程序,用來BOOT.nb0等程序,快速方便。3.1.3 I/O 擴(kuò)展及其驅(qū)動(dòng)電路由于本課題的控制系統(tǒng)需要控制的開關(guān)量比較多,現(xiàn)有的 IO 已經(jīng)不能滿足對(duì)實(shí)制的需求,所以有必要對(duì)其進(jìn)行 IO 擴(kuò)展,擴(kuò)展為 40 入 40 出。首先,進(jìn)行譯碼電路的設(shè)計(jì),如圖 3-1 所示:
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2726588
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