前言電離輻射是細(xì)胞遺傳物質(zhì)的強(qiáng)損傷劑。長期以來人們一直認(rèn)為,輻射所致的生物學(xué)效應(yīng),如基因突變、染色體畸變、細(xì)胞死亡和致癌作用等是靶細(xì)胞DNA受到損傷后,自身無法修復(fù)或錯(cuò)配的結(jié)果,這些效應(yīng)不會出現(xiàn)在未受照射的細(xì)胞中。輻射劑量與靶細(xì)胞效應(yīng)之間具有劑量-效應(yīng)關(guān)系,即輻射劑量越低,所致效應(yīng)越弱。然而越來越多的研究發(fā)現(xiàn),輻射所致的遺傳學(xué)改變不僅出現(xiàn)在受照靶細(xì)胞的周圍,而且可發(fā)生在位于靶細(xì)胞周圍,或與靶細(xì)胞的培養(yǎng)液接觸的未受照射的正常細(xì)胞（旁觀者細(xì)胞,bystander cells）中,從而使效應(yīng)明顯增強(qiáng)。這種現(xiàn)象稱為旁觀者效應(yīng)（bystander effect,BE）。由輻射引起損傷而產(chǎn)生旁觀者效應(yīng)的機(jī)制目前沒有定論。其效應(yīng)涉及到多種機(jī)制,不同于傳統(tǒng)的輻射細(xì)胞效應(yīng)。目前認(rèn)為機(jī)制可能與受照細(xì)胞產(chǎn)生一些活性物質(zhì)或信號分子有關(guān)。除電離輻射外,紫外線照射的靶細(xì)胞也可誘導(dǎo)旁觀者效應(yīng)。本研究中,選擇UVC處理V79細(xì)胞確定其引起DNA損傷的最適照射劑量,并收集該劑量下照射靶細(xì)胞不同時(shí)段的無細(xì)胞培養(yǎng)液;用此無細(xì)胞培養(yǎng)液培養(yǎng)正常細(xì)胞以觀察細(xì)胞DNA損傷后誘發(fā)的旁觀者效應(yīng),以及所誘發(fā)的旁觀者效應(yīng)的類型及強(qiáng)度,并通... 

【文章來源】：中國醫(yī)科大學(xué)遼寧省

【文章頁數(shù)】：50 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

流式細(xì)胞法測定靶細(xì)胞凋亡/壞死比率

由表3和圖5所示存活率在4一12h逐漸增加，24h又下降，可能是12一24h旁觀者因子有蓄積造成的。5、不同時(shí)段去細(xì)胞培養(yǎng)液對旁觀者細(xì)胞凋亡/壞死率的影響表4，不同時(shí)段去細(xì)胞培養(yǎng)液對旁觀者細(xì)胞凋亡/壞死率的影響時(shí)段細(xì)胞凋亡率(%)細(xì)胞凋亡率(%對照組3.04土0.3910.08士0.574h20.78士2.38**10.57士1.75sh13.45士1.99*12.58士1.6812h10.51士1.53*12.58土1.6824h28.57士3.59**11.27士1.55注:*表示與對照組相比p<0.05;**表示與對照組相比，p<0.01。

斷裂染色體雙著絲粒染色體圖8，不同時(shí)段去細(xì)胞培養(yǎng)液對旁觀者細(xì)胞染色體損傷情況(40OX)表5，不同時(shí)段去細(xì)胞培養(yǎng)液引起旁觀者細(xì)胞染色體畸變率(%)時(shí)段觀察細(xì)胞數(shù)斷裂環(huán)形其它畸形總畸形細(xì)胞畸變率對照組30030251.674h30021793712.33sh3001637268.6712h3001115175.6724h300259114515.00

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3522602