EGS（Electron-Gamma Shower）軟件是一個(gè)用蒙特卡羅方法模擬在任意實(shí)驗(yàn)條件下，能量從幾個(gè)keV到幾個(gè)TeV的電子-光子簇射過(guò)程的通用程序包。本文采用EGS蒙特卡羅程序?qū)σ恍⿲?shí)際工作中一般數(shù)值計(jì)算方法及實(shí)驗(yàn)難以解決的問(wèn)題進(jìn)行研究。本文主要內(nèi)容如下：（1）前期準(zhǔn)備工作。為了更好的理解電子與物質(zhì)相互作用的規(guī)律及電子在穿過(guò)物質(zhì)時(shí)的劑量分布特點(diǎn)。本文采用多種方式做了一些前期的模擬工作，其中包括：電子束通過(guò)一定厚度物質(zhì)后的能譜形狀及其變化、電子束的注量和平面注量的深度分布、電子的反散射規(guī)律、單能電子的吸收、電子的軔致輻射及電子吸收劑量分布。（2）單能電子的吸收實(shí)驗(yàn)及影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果的因素。采用EGS程序?qū)文茈娮釉阡X吸收體中的吸收及影響實(shí)驗(yàn)的因素進(jìn)行模擬研究，將模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較，當(dāng)計(jì)算的物理模型與實(shí)驗(yàn)條件一致時(shí)，模擬值與實(shí)驗(yàn)值的吸收曲線符合地很好，兩者的半吸收厚度相差不超過(guò)3％，通過(guò)改變模擬條件，討論了實(shí)驗(yàn)條件對(duì)單能電子吸收實(shí)驗(yàn)中半吸收厚度測(cè)量的影響。饃擬的結(jié)果表明：準(zhǔn)直器、探測(cè)器晶體前鋁窗及晶體前鋁窗與探測(cè)器間的相對(duì)位置都直接影響單能電子半吸收厚度的準(zhǔn)確測(cè)量。盡量減少探... 

【文章來(lái)源】：四川大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

按光子能量和原子序數(shù)來(lái)表示的三種相互作用占優(yōu)勢(shì)的區(qū)域

確確定所產(chǎn)生的粒子的能量和方 方 向向，并將參數(shù)存入堆棧 棧 圖3一2光子輸運(yùn)流程圖

{‘}‘7兄 9101性‘島a、能矍‘，。即E久。二二。圖4一 1ZoMev單能電子穿過(guò)29/cm，的水介質(zhì)后的能譜4.4深度分布4.4.1概述高能電子在物質(zhì)內(nèi)慢化過(guò)程中，次級(jí)電子不斷的產(chǎn)生并不斷地被吸收，此外初級(jí)電子遭到多次散射，由于射程離散在擴(kuò)散深度以外深度處增加的速率消失。這些基本過(guò)程對(duì)電子注量和平面注量在吸收體內(nèi)隨深度的變化有很大的影響，從而嚴(yán)重影響吸收劑量的分布〔32〕。4.4.2注量和平面注量當(dāng)已知微分電子注量的深度依賴(lài)關(guān)系時(shí)，由式4一1和式4一3可分別得出注量和平面注量的變化〔川。由于式4一3中有余弦項(xiàng)，所以注量總是大于平面注量。圖4一2和圖4一3是用EGS計(jì)算的 1OMev單能平行寬電子束在水中的注量和平面注量與深度的關(guān)系，把總的電子注量分成兩部分，即單獨(dú)由初級(jí)電子引起的部分

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Monte Carlo方法在放射治療劑量分布計(jì)算中的應(yīng)用[J]. 王春燕,黃菊英,嚴(yán)華剛.  醫(yī)療設(shè)備信息. 2005(07)
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博士論文
[1]電子束脫硫關(guān)鍵技術(shù)與工藝研究[D]. 毛本將.中國(guó)工程物理研究院 2004
[2]光子束蒙特卡羅劑量算法及模體后散射線物理特性的研究[D]. 楊勇.中國(guó)協(xié)和醫(yī)科大學(xué) 2001

碩士論文
[1]用EGS4研究輻射反應(yīng)器中的劑量分布[D]. 黎亞平.四川大學(xué) 2005



本文編號(hào)：3011210