【摘要】：研究了1 064 nm Hf O2/Si O2偏振分光膜中節(jié)瘤的損傷特性。為了研究偏振分光膜中節(jié)瘤缺陷種子源粒徑大小與損傷閾值之間的關(guān)系,在熔石英基板上植入了尺寸和密度可控的單分散性的Si O2小球,并采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在熔石英基板上制備了1 064 nm Hf O2/Si O2偏振分光膜。為了便于損傷測(cè)試,節(jié)瘤缺陷密度控制在20~40 mm2左右,并采取旋涂的措施防止了Si O2小球團(tuán)聚的現(xiàn)象。為了獲得人工節(jié)瘤損傷能量的統(tǒng)計(jì)值,用脈寬為10 ns的1 064 nm脈沖激光進(jìn)行了光柵掃描式損傷測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在偏振分光膜中節(jié)瘤缺陷的損傷閾值隨著種子源粒徑的增大而單調(diào)下降。
[Abstract]:The damage characteristics of ganglion in 1 064 nm Hf O2/Si O 2 polarizing film were studied. In order to study the relationship between the particle size and damage threshold of the seed source with nodule defects in the polarizing film, a monodisperse Si O 2 sphere with controllable size and density was implanted on the fused quartz substrate. A 1 064 nm Hf O2/Si O 2 polarizing film was prepared on fused quartz substrate by electron beam evaporation. In order to facilitate damage test, the defect density of ganglion was controlled at about 20 ~ 40 mm2, and the phenomenon of Si O _ 2 ball agglomeration was prevented by spin-coating. In order to obtain the statistical value of the damage energy of artificial ganglion, a grating scanning method was used to measure the damage of 10 ns pulse laser at 1064 nm. The experimental results show that the damage threshold of nodule defect decreases monotonously with the increase of seed particle size in the polarizing film.
【作者單位】： 同濟(jì)大學(xué)先進(jìn)微結(jié)構(gòu)材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;同濟(jì)大學(xué)物理科學(xué)與工程學(xué)院精密光學(xué)工程技術(shù)研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61235011) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)科研基金(20100072120037)
【分類(lèi)號(hào)】：R818;TN249

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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