本文關(guān)鍵詞：50Hz工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)FL細(xì)胞線粒體相關(guān)凋亡通路的影響，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：實(shí)驗(yàn)?zāi)康模貉芯?0Hz、0.4mT工頻磁場(chǎng)對(duì)人羊膜細(xì)胞(FL細(xì)胞)線粒體膜、線粒體膜間隙蛋白以及細(xì)胞凋亡的影響。 實(shí)驗(yàn)方法： FL細(xì)胞接種于12孔板培養(yǎng)24小時(shí)后,分別暴露于50Hz、0.4mT工頻磁場(chǎng)不同時(shí)間(5min,15min,30min,60min,120min).用鈣黃綠素-鈷離子作為熒光探針標(biāo)記細(xì)胞,采用流式細(xì)胞儀進(jìn)行檢測(cè)并分析線粒體膜通透性MPTP (mitochondrial permeability transition pore)的改變；隨后用活性氧ROS (reactive oxygen species)清除劑N-乙酰半胱氨酸(N-acetylcysteine, NAC)預(yù)處理細(xì)胞,檢測(cè)分析ROS與MPTP之間的關(guān)系。利用JC-1熒光探針標(biāo)記細(xì)胞,流式細(xì)胞儀檢測(cè)分析不同時(shí)間磁場(chǎng)暴露后FL細(xì)胞線粒體膜電位MMP (mitochondrial membrane potential)的改變；采用western blot技術(shù)分析工頻磁場(chǎng)暴露60min后,胞漿中細(xì)胞色素C的水平；同時(shí)利用流式細(xì)胞術(shù)分析工頻磁場(chǎng)暴露60min并分別經(jīng)Oh,3h,6h,12h,24h,36h培養(yǎng)后細(xì)胞凋亡的發(fā)生率。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果：研究結(jié)果表明,FL細(xì)胞暴露于工頻磁場(chǎng)30min和60min后線粒體膜通透性增高,尤其是60min組差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05). NAC預(yù)處理細(xì)胞能夠抑制工頻磁場(chǎng)誘導(dǎo)的線粒體通透性增高(P0.05)。然而,工頻磁場(chǎng)暴露不影響FL細(xì)胞線粒體膜電位的改變。工頻磁場(chǎng)暴露60min后,胞漿中細(xì)胞色素C含量增高,與假輻照組相比,其差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)；可是,FL細(xì)胞暴露于工頻磁場(chǎng)60min并經(jīng)過(guò)不同時(shí)間(Oh,3h,6h,12h,24h,36h)培養(yǎng)后,細(xì)胞凋亡發(fā)生率沒(méi)有明顯改變(P0.05)。 結(jié)論： 1.50Hz,0.4mT工頻磁場(chǎng)暴露可誘導(dǎo)FL細(xì)胞線粒體通透性增升高,而且線粒體通透性改變與ROS相關(guān)。 2.工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)FL細(xì)胞線粒體膜電位無(wú)明顯影響。 3.工頻磁場(chǎng)暴露能夠誘導(dǎo)細(xì)胞色素C釋放到細(xì)胞質(zhì),然而,工頻磁場(chǎng)暴露并不能誘導(dǎo)FL細(xì)胞發(fā)生凋亡。
【關(guān)鍵詞】：工頻磁場(chǎng) MPTP MMP ROS 細(xì)胞色素C 細(xì)胞凋亡
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類(lèi)號(hào)】：R142
【目錄】：

• 致謝4-6
• 中文摘要6-8
• Abstract8-10
• 縮略語(yǔ)10-13
• 1 引言13-16
• 2 實(shí)驗(yàn)材料16-21
• 2.1 細(xì)胞及培養(yǎng)液16
• 2.2 主要試劑16-17
• 2.3 主要儀器設(shè)備17-18
• 2.4 主要耗材18
• 2.5 緩沖液與常用試劑配制18-19
• 2.6 工頻磁場(chǎng)輻照系統(tǒng)19-20
• 2.7 分析軟件20-21
• 3 實(shí)驗(yàn)方法21-27
• 3.1 工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)FL細(xì)胞線粒體膜通透性的影響21-22
• 3.2 ROS對(duì)工頻磁場(chǎng)誘導(dǎo)線粒體膜通透性改變的影響22
• 3.3 工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)線粒體膜電位的影響22-23
• 3.4 工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)細(xì)胞色素C釋放的影響23-25
• 3.5 工頻磁場(chǎng)對(duì)FL細(xì)胞凋亡水平的影響25-27
• 4. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果27-33
• 4.1 工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)FL細(xì)胞線粒體膜通透性的影響27-28
• 4.2 工頻磁場(chǎng)誘導(dǎo)FL細(xì)胞線粒體膜通透性改變與ROS之間關(guān)系28
• 4.3 工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)FL細(xì)胞線粒體膜電位的影響28-30
• 4.4 工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)FL細(xì)胞線粒體細(xì)胞色素C釋放的影響30-31
• 4.5 工頻磁場(chǎng)暴露對(duì)FL細(xì)胞細(xì)胞凋亡的影響31-33
• 5. 討論33-37
• 6. 結(jié)論37-38
• 參考文獻(xiàn)38-42
• 綜述42-53
• 參考文獻(xiàn)48-53
• 作者簡(jiǎn)介53

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 賈松柏;石晶明;陳，

本文編號(hào)：265774