發(fā)布時間：2017-03-24 15:09

  本文關鍵詞：50Hz工頻磁場暴露對FL細胞線粒體相關凋亡通路的影響，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：實驗目的：研究50Hz、0.4mT工頻磁場對人羊膜細胞(FL細胞)線粒體膜、線粒體膜間隙蛋白以及細胞凋亡的影響。 實驗方法： FL細胞接種于12孔板培養(yǎng)24小時后,分別暴露于50Hz、0.4mT工頻磁場不同時間(5min,15min,30min,60min,120min).用鈣黃綠素-鈷離子作為熒光探針標記細胞,采用流式細胞儀進行檢測并分析線粒體膜通透性MPTP (mitochondrial permeability transition pore)的改變；隨后用活性氧ROS (reactive oxygen species)清除劑N-乙酰半胱氨酸(N-acetylcysteine, NAC)預處理細胞,檢測分析ROS與MPTP之間的關系。利用JC-1熒光探針標記細胞,流式細胞儀檢測分析不同時間磁場暴露后FL細胞線粒體膜電位MMP (mitochondrial membrane potential)的改變；采用western blot技術分析工頻磁場暴露60min后,胞漿中細胞色素C的水平；同時利用流式細胞術分析工頻磁場暴露60min并分別經(jīng)Oh,3h,6h,12h,24h,36h培養(yǎng)后細胞凋亡的發(fā)生率。 實驗結果：研究結果表明,FL細胞暴露于工頻磁場30min和60min后線粒體膜通透性增高,尤其是60min組差異具有統(tǒng)計學意義(P0.05). NAC預處理細胞能夠抑制工頻磁場誘導的線粒體通透性增高(P0.05)。然而,工頻磁場暴露不影響FL細胞線粒體膜電位的改變。工頻磁場暴露60min后,胞漿中細胞色素C含量增高,與假輻照組相比,其差異具有統(tǒng)計學意義(P0.05)；可是,FL細胞暴露于工頻磁場60min并經(jīng)過不同時間(Oh,3h,6h,12h,24h,36h)培養(yǎng)后,細胞凋亡發(fā)生率沒有明顯改變(P0.05)。 結論： 1.50Hz,0.4mT工頻磁場暴露可誘導FL細胞線粒體通透性增升高,而且線粒體通透性改變與ROS相關。 2.工頻磁場暴露對FL細胞線粒體膜電位無明顯影響。 3.工頻磁場暴露能夠誘導細胞色素C釋放到細胞質,然而,工頻磁場暴露并不能誘導FL細胞發(fā)生凋亡。
【關鍵詞】：工頻磁場 MPTP MMP ROS 細胞色素C 細胞凋亡
【學位授予單位】：浙江大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2014
【分類號】：R142
【目錄】：

• 致謝4-6
• 中文摘要6-8
• Abstract8-10
• 縮略語10-13
• 1 引言13-16
• 2 實驗材料16-21
• 2.1 細胞及培養(yǎng)液16
• 2.2 主要試劑16-17
• 2.3 主要儀器設備17-18
• 2.4 主要耗材18
• 2.5 緩沖液與常用試劑配制18-19
• 2.6 工頻磁場輻照系統(tǒng)19-20
• 2.7 分析軟件20-21
• 3 實驗方法21-27
• 3.1 工頻磁場暴露對FL細胞線粒體膜通透性的影響21-22
• 3.2 ROS對工頻磁場誘導線粒體膜通透性改變的影響22
• 3.3 工頻磁場暴露對線粒體膜電位的影響22-23
• 3.4 工頻磁場暴露對細胞色素C釋放的影響23-25
• 3.5 工頻磁場對FL細胞凋亡水平的影響25-27
• 4. 實驗結果27-33
• 4.1 工頻磁場暴露對FL細胞線粒體膜通透性的影響27-28
• 4.2 工頻磁場誘導FL細胞線粒體膜通透性改變與ROS之間關系28
• 4.3 工頻磁場暴露對FL細胞線粒體膜電位的影響28-30
• 4.4 工頻磁場暴露對FL細胞線粒體細胞色素C釋放的影響30-31
• 4.5 工頻磁場暴露對FL細胞細胞凋亡的影響31-33
• 5. 討論33-37
• 6. 結論37-38
• 參考文獻38-42
• 綜述42-53
• 參考文獻48-53
• 作者簡介53

【參考文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 賈松柏;石晶明;陳，

本文編號：265774