為了探討細(xì)菌受到抗生素?fù)p傷后,內(nèi)源過氧化氫（H₂O₂）對間體膜囊的影響,通過慶大霉素?fù)p傷大腸桿菌。以電導(dǎo)率和丙二醛（MDA）為損傷指標(biāo),采用組織化學(xué)染色法,通過透射電子顯微鏡,觀察經(jīng)慶大霉素?fù)p傷后大腸桿菌內(nèi)源H₂O₂和間體膜囊的變化。研究結(jié)果表明:慶大霉素?fù)p傷可提高大腸桿菌的內(nèi)源H₂O₂濃度、間體膜囊數(shù)量以及間體膜囊周圍的H₂O₂濃度。在間體膜囊外排的過程中,使用Tris-HCl蔗糖高滲溶液進(jìn)行處理之后,H₂O₂濃度顯著提升,電導(dǎo)率大幅度降低。慶大霉素和過氧化氫酶處理后,間體膜囊中的MDA濃度升高,損傷加重。慶大霉素?fù)p傷導(dǎo)致大腸桿菌的間體膜囊外周聚集大量的H₂O₂,且這些H₂O₂對間體膜囊具有保護(hù)作用。 

【文章來源】：河南科技大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2020,41(05)北大核心

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【部分圖文】：

慶大霉素?fù)p傷后大腸桿菌內(nèi)源H2O2濃度隨時間的變化

圖3為慶大霉素?fù)p傷對大腸桿菌內(nèi)源H2O2和間體膜囊的影響。對比圖3a和圖3b可知:慶大霉素?fù)p傷后,大腸桿菌周圍的H2O2沉積量顯著提升,并且間體膜囊數(shù)量增多。使用Image-Pro Plus7.0圖像軟件對菌體周圍積累的H2O2面積占細(xì)胞面積的比例進(jìn)行二維分析,損傷處理前后的面積占比分別為1.85%和32.05%。圖3c和圖3d為慶大霉素?fù)p傷前后離體的間體膜囊,由圖3c和圖3d可知:經(jīng)慶大霉素?fù)p傷后,離體間體膜囊外周H2O2沉積顯著增加,離體間體膜囊外周H2O2面積與菌體面積之比由54.59%增加至87.45%。上述結(jié)果充分表明:慶大霉素所造成的損傷致使大腸桿菌內(nèi)源H2O2增加,并且間體膜囊聚集大量的H2O2。2.4 間體膜囊外排過程中H2O2和電導(dǎo)率的變化

圖4為間體膜囊外排過程中上清液H2O2濃度和電導(dǎo)率變化。由圖4可知:通過Tris-HCl蔗糖高滲溶液處理90 min之后,采用熒光光譜法測得間體膜囊外排過程中,上清液的H2O2濃度明顯增加,上清液的電導(dǎo)率下降;Tris-HCl蔗糖+溶菌酶處理相較于Tris-HCl蔗糖高滲溶液處理的結(jié)果并沒有明顯區(qū)別。說明在Tris-HCl蔗糖高滲溶液處理的90 min內(nèi),菌體大量產(chǎn)生內(nèi)源H2O2,且在此期間細(xì)胞膜的損傷程度逐漸減弱。2.5 內(nèi)源H2O2濃度對間體膜囊MDA濃度的影響


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