目的:探討陣發(fā)性房顫患者存在左房低電壓對導管消融效果的影響,在此基礎上評價竇性心律下基于電壓標測的基質(zhì)改良術對陣發(fā)性房顫患者射頻消融術后成功率的影響。方法:入選2017年10月至2018年10月于河北醫(yī)科大學第二醫(yī)院心內(nèi)四科第一次進行導管消融的陣發(fā)性心房顫動患者。首先所有患者均在Carto 3三維標測系統(tǒng)指導下實施CPVI消融,隔離肺靜脈電位后在竇性心律下,使用Lasso環(huán)型電極于左心房行電壓標測,標記出雙極電壓范圍0.1-0.4mV的低電壓區(qū)和雙極電壓范圍0.4-1.3mv的移行區(qū),將左房電壓標測陰性(無低電壓區(qū)或移行區(qū))的患者稱為非低電壓組,直接結(jié)束手術;而左房電壓標測可標記出低電壓區(qū)及移行區(qū)的患者設為低電壓組,進而將低電壓組隨機分為非基質(zhì)改良和基質(zhì)改良2個亞組,前者結(jié)束手術,基質(zhì)改良組則針對左心房低電壓區(qū)(LVZ)和移行區(qū)(TZ)進行全新的個體化消融.并于術后3個月以后每個月進行常規(guī)隨訪,有心悸癥狀時隨時復查心電圖,隨訪內(nèi)容包括電話咨詢及門診心電圖、24小時Holter檢查。以導管消融術后3個月以上的心電圖或24小時Holter發(fā)現(xiàn)持續(xù)時間超過30s的房顫定義為復發(fā)。比較各組及各...

【文章頁數(shù)】：54 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖2竇律下左房電壓標測顯示移行區(qū)區(qū)內(nèi)異常電位（0.4-1.3mv）

圖1竇律下左房電壓標測顯示左房局灶低電壓區(qū)區(qū)內(nèi)異常電位（0.1-0.4mv）Fig.1Leftatrialvoltagescalingundersinusrhythmshowedabnormalpotentialinthelowvoltagezon....

圖1竇律下左房電壓標測顯示左房局灶低電壓區(qū)區(qū)內(nèi)異常電位（0.1-0.4mv）

圖1竇律下左房電壓標測顯示左房局灶低電壓區(qū)區(qū)內(nèi)異常電位（0.1-0.4mv）Fig.1Leftatrialvoltagescalingundersinusrhythmshowedabnormalpotentialinthelowvoltagezon....

圖3竇律下左房電壓標測基礎下進行個體化基質(zhì)改良策略示意圖

圖3竇律下左房電壓標測基礎下進行個體化基質(zhì)改良策略示意圖Fig.3SchematicdiagramofElectrophysiologicalSubstrateAblationintheLeftAtriumDuringSinusRhythmstrat....

圖4.竇律下左房電壓標測情況及基質(zhì)改良策略Fig.4Leftatrialvoltagescalingundersinusrhythmandsubstratemodified

圖3竇律下左房電壓標測基礎下進行個體化基質(zhì)改良策略示意圖Fig.3SchematicdiagramofElectrophysiologicalSubstrateAblationintheLeftAtriumDuringSinusRhythmstrat....

本文編號：3956199