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左心房低電壓對心房顫動(dòng)射頻消融結(jié)果的影響

發(fā)布時(shí)間:2021-05-01 01:32
  目的:探討存在左房低電壓對房顫患者接受射頻消融手術(shù)結(jié)果的影響,評價(jià)房顫射頻消融術(shù)后復(fù)發(fā)的影響因素。方法:入選2012年3月至2013年5月于天津市胸科醫(yī)院心內(nèi)科行首次射頻消融的心房顫動(dòng)患者共50例,其中持續(xù)性房顫患者18例,陣發(fā)性房顫患者32例。在Ensite Navx三維標(biāo)測系統(tǒng)指導(dǎo)下行房顫射頻消融術(shù)。對于陣發(fā)性房顫患者行環(huán)肺靜脈消融(Circumferential Pulmonary vein ablation CPVA),消融終點(diǎn)為左右肺靜脈電位消失或肺靜脈電位完全電隔離不能經(jīng)消融徑線傳出,并經(jīng)ATP及異丙腎上腺素誘發(fā)后仍無肺靜脈電位傳出。持續(xù)性房顫患者,術(shù)前行電復(fù)律或藥物復(fù)律,行雙側(cè)肺靜脈的CPVA術(shù)后,行左房頂部線、二尖瓣環(huán)峽部線或左房前壁線直至消融線實(shí)現(xiàn)雙向阻滯。所有入選患者記錄其臨床基本資料,同時(shí)消融前竇性心律下應(yīng)用lasso標(biāo)測電極進(jìn)行電壓標(biāo)測。記錄后計(jì)算平均雙極電壓幅度、低電壓區(qū)及瘢痕區(qū)面積。低電壓區(qū)域定義為雙極電壓幅度在0.05-0.5mv之間,瘢痕區(qū)域定義為局部雙極電壓振幅小于0.05mv。計(jì)算瘢痕區(qū)及低電壓區(qū)占心房的面積的比例。消融術(shù)后華法林及低分子肝素重疊使用... 

【文章來源】:天津醫(yī)科大學(xué)天津市 211工程院校

【文章頁數(shù)】:49 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
中文摘要
Abstract
縮略語/符號說明
前言
    研究現(xiàn)狀、成果
    研究目的、方法
1 對象和方法
    1.1 研究對象
    1.2 方法
    1.3 統(tǒng)計(jì)方法
    附圖
2 結(jié)果
    2.1 陣發(fā)房顫組與持續(xù)房顫組臨床特征比較
    2.2 低電壓組與非低電壓組基本臨床特征比較
    2.3 心房電壓標(biāo)測
    2.4 射頻消融術(shù)后房顫復(fù)發(fā)的單因素變量分析
    2.5 射頻消融術(shù)后房顫復(fù)發(fā)的多因素變量分析
3 討論
4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和參加科研情況說明
綜述
    綜述參考文獻(xiàn)
致謝



本文編號:3169882

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