植入式神經(jīng)電極陣列器件與材料的研究進(jìn)展
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【部分圖文】:
圖1在體神經(jīng)界面與美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局神經(jīng)科技項(xiàng)目群的發(fā)展歷程
神經(jīng)電信號(hào)最早由意大利科學(xué)家Galvani1采用早期的電極技術(shù)記錄到。隨后,Hodgkin和Huxley成功地從0.5–1mm寬的大王烏賊軸突中檢測(cè)到神經(jīng)活動(dòng),進(jìn)而根據(jù)這些電信號(hào)的記錄發(fā)展出了經(jīng)典的膜電位理論基礎(chǔ)。1957年,Hubel通過(guò)亞微米直徑的鎢絲尖電極成功地從哺乳....
圖2微納加工電極陣列與器件
由于Neuropixel類電極陣列可以同時(shí)記錄多個(gè)深度的不同腦區(qū)且在每個(gè)腦區(qū)都可以記錄大量的神經(jīng)元,因此可能實(shí)現(xiàn)對(duì)興奮神經(jīng)網(wǎng)路空間尺度較好地估計(jì)。而NeuroGrid類的電極陣列可以對(duì)多個(gè)表面腦區(qū)的功能進(jìn)行定位。因此結(jié)合這兩類電極陣列可以實(shí)現(xiàn)廣度和深度同時(shí)兼顧的神經(jīng)信號(hào)采集45....
圖3神經(jīng)記錄與刺激的界面納米材料與應(yīng)用
鑒于半導(dǎo)體納米器件的加工精度、生物相容性和靈活的物理性質(zhì),這些器件可能用于開發(fā)下一代神經(jīng)界面56。由于納米場(chǎng)效應(yīng)管尺寸可以加工到10nm甚至更小,并且其記錄性能不受電極阻抗影響,因此在微納神經(jīng)器件方向具有很大的潛力57。由于神經(jīng)信號(hào)調(diào)控或消耗納米場(chǎng)效應(yīng)管溝道中的電子能力遠(yuǎn)強(qiáng)于對(duì)....
圖4用于無(wú)線神經(jīng)界面的納米神經(jīng)元器件
同時(shí),一些納米顆粒類的材料也有潛力成為無(wú)線記錄神經(jīng)活動(dòng)乃至細(xì)胞器活動(dòng)的元器件。靜息狀態(tài)下,神經(jīng)元膜電位為-70mV左右,當(dāng)有興奮性輸入時(shí),可能會(huì)產(chǎn)生幾毫伏的閾下波動(dòng)或者120mV左右的動(dòng)作電位。但該電位在細(xì)胞膜上面能產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度由于膜厚度可以變得非常強(qiáng),因此,電場(chǎng)強(qiáng)度響....
本文編號(hào):3965144
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