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納米二氧化硅對淋巴管內(nèi)皮細(xì)胞增殖、遷移及管狀結(jié)構(gòu)形成的影響

發(fā)布時(shí)間:2023-04-22 16:33
  目的:研究納米二氧化硅(silica nanoparticles,SiNPs)對人淋巴管內(nèi)皮細(xì)胞(human lymphatic endothelial cells,HLECs)增殖、遷移及管狀結(jié)構(gòu)生成的影響,初步探討SiNPs對淋巴管增生的影響及機(jī)制。方法:制作SiNPs混懸液,并用透射電子顯微鏡觀察其形貌特征,納米粒度分析儀測量溶液中SiNPs的粒徑。常規(guī)培養(yǎng)HLECs,用粒徑為30nm的SiNPs對HLECs進(jìn)行干預(yù)。實(shí)驗(yàn)共分為四組:對照組,10μg/m L SiNPs組,20μg/m L SiNPs組,40μg/m L SiNPs組。采用細(xì)胞增殖實(shí)驗(yàn)檢測SiNPs對HLECs增殖能力的影響。Transwell遷移實(shí)驗(yàn)檢測SiNPs對HLECs遷移能力的影響。Matrigel基質(zhì)膠實(shí)驗(yàn)檢測SiNPs對HLECs管狀結(jié)構(gòu)形成能力的影響。RT-PCR(Reverse Transcription-Polymerase Chain Reaction)技術(shù)檢測細(xì)胞中血管內(nèi)皮生長因子C(Vascular Endothelial Growth Factor C,VEGF-C)、血管內(nèi)皮生長因子...

【文章頁數(shù)】:46 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
abstract
引言
第一章 材料與方法
    1 細(xì)胞系
    2 實(shí)驗(yàn)試劑及耗材
    3 實(shí)驗(yàn)使用的主要儀器
    4 納米二氧化硅的表征
        4.1 納米二氧化硅混懸液的制備
        4.2 透射電子顯微鏡(TEM)檢測及粒徑分析
    5 細(xì)胞培養(yǎng)
        5.1 淋巴管內(nèi)皮細(xì)胞的復(fù)蘇
        5.2 細(xì)胞傳代
        5.3 細(xì)胞計(jì)數(shù)
        5.4 細(xì)胞凍存
    6 細(xì)胞增殖實(shí)驗(yàn)
    7 細(xì)胞遷移能力測定
    8 細(xì)胞成管實(shí)驗(yàn)
    9 RT-PCR技術(shù)檢測各組不同濃度SiNPs干預(yù)后的HLECs中 VEGF-C、VEGF-D、VEGFR-3 mRNA的表達(dá)情況
        9.1 細(xì)胞總RNA的提取及濃度的測定
        9.2 反轉(zhuǎn)錄合成cDNA
        9.3 PCR 引物的設(shè)計(jì)
        9.4 RT-PCR 擴(kuò)增
        9.5 結(jié)果分析
    10 Western Blot檢測相關(guān)蛋白表達(dá)
        10.1 試劑的配制
        10.2 操作步驟
    11 統(tǒng)計(jì)學(xué)處理
第二章 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
    1 SiNPs電鏡下形態(tài)及粒徑分布結(jié)果
    2 細(xì)胞形態(tài)學(xué)觀察
    3 細(xì)胞活性檢測
    4 不同濃度SiNPs對 HLECs遷移能力的影響
    5 SiNPs對 HLECs管樣結(jié)構(gòu)形成的影響
    6 qRT-PCR法檢測不同濃度SiNPs干預(yù)HLECs后 VEGF-C、VEGF-D、VEGFR-3 mRNA的含量
    7 Western印跡檢測不同濃度SiNPs干預(yù)HLECs后 VEGF-C、VEGF-D、VEGFR-3蛋白的含量(VEGF-C/GAPDH、 VEGF-D/GAPDH、VEGFR-3/GAPDH比值)
第三章 討論
第四章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
綜述
    綜述參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間研究成果
附錄 (縮略詞表)
致謝



本文編號:3798009

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