本文關(guān)鍵詞：納米生物材料的合成與改性研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：無機(jī)納米材料獨(dú)特的性能為設(shè)計(jì)新一代的設(shè)備和合成展示了新穎的功能提供了極好的遠(yuǎn)景展望，但同時(shí)無機(jī)納米材料也存在著不可忽視的缺陷，例如：生物不相容、有毒性、不可降解、疏水性、化學(xué)穩(wěn)定性差等，，這就迫切需要對(duì)納米無機(jī)材料進(jìn)行表面改性來完善它的性能，使之獲得更好的應(yīng)用價(jià)值。本文對(duì)近些年無機(jī)納米材料表面改性進(jìn)行了簡(jiǎn)單的闡述。 在羥基磷灰石（HAP）表面用β-丙氨酸對(duì)其進(jìn)行修飾，隨后用于引發(fā)γ-芐基-L-谷氨酸-N-羧基-環(huán)內(nèi)酸酐（BLG-NCA）的開環(huán)聚合，成功的將聚（γ-芐基-L-谷氨酸）（PBLG）作用于羥基磷灰石的表面。通過增加聚（γ-芐基-L-谷氨酸）在HAP-PBLG的含量，能夠逐漸提高HAP-PBLG在氯仿中的溶解度，最后能夠溶于氯仿。通過對(duì)HAP-PBLG進(jìn)行加氫催化成功裸露出功能性羧基。在對(duì)HAP改性過程中，通過透射電鏡（TEM）發(fā)現(xiàn)形貌發(fā)生了明顯的變化從棒狀到片狀最后變?yōu)獒槧睢?采用“Solution-Liquid-Solid”法合成CdSe量子點(diǎn)（CdSe QDs）。利用低熔點(diǎn)納米粒子作為催化劑。研究表明鉍及其合金納米粒子是制備各種QDs和納米線的理想催化劑。且SLS方法比傳統(tǒng)方法：電化學(xué)沉積、氣相沉積等方法的反應(yīng)條件要溫和，反應(yīng)裝置相對(duì)要簡(jiǎn)單。通過一系列表征手段（紫外-可見吸收光譜，TEM和EDS）對(duì)制備的樣品進(jìn)行了分析。 通過采用CdCl2和NaHTe在水溶液中100℃下反應(yīng)，成功地制備了具有核/殼結(jié)構(gòu)，和高熒光的CdTe/CdS納米線。隨著反應(yīng)時(shí)間從10min延長(zhǎng)至140min，CdTe/CdS納米晶體的形貌逐漸從納米棒演變成納米線。CdTe/CdS納米線的表面同時(shí)具有氨基和羧基兩個(gè)功能性基團(tuán)，使其在水溶液中有良好的分散性，與此同時(shí)，納米線的熒光量子產(chǎn)率達(dá)到了7.25%，這是基于在用半胱胺酸作為配體以及在CdTe核上形成了一層CdS殼，而且納米線的直徑為窄分布d=~5nm以及長(zhǎng)度范圍為175-275nm，縱橫比的范圍為1/35至1/55。
【關(guān)鍵詞】：羥基磷灰石 硒化鎘 量子點(diǎn) 納米線 碲化鎘/硫化鎘
【學(xué)位授予單位】：云南民族大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號(hào)】：TB383.1;R318.08
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-11
• 主要符號(hào)對(duì)照表11-12
• 第一章 無機(jī)納米材料表面改性（綜述）12-26
• 1.1 簡(jiǎn)介12-13
• 1.2 納米線的制備13-14
• 1.3 納米線表面修飾14-19
• 1.3.1 聚合物修飾15-16
• 1.3.2 有機(jī)分子修飾16-18
• 1.3.3 生物分子修飾18-19
• 1.4 量子點(diǎn)有機(jī)改性19-24
• 1.4.1 硒化鎘量子點(diǎn)表面有機(jī)分子改性20-21
• 1.4.2 硒化鎘量子點(diǎn)核-殼結(jié)構(gòu)改性21-22
• 1.4.3 硒化鎘量子點(diǎn)低聚物的表面改性22-23
• 1.4.4 硒化鎘量子點(diǎn)作為生物熒光探針的應(yīng)用23-24
• 1.4.4.1 CdSe 量子點(diǎn)對(duì)細(xì)胞、DNA 等生物大分子的標(biāo)記和檢測(cè)23-24
• 1.4.4.2 CdSe 量子點(diǎn)應(yīng)用于活體成像24
• 1.5 展望24-26
• 第二章 聚（γ-芐基-L 谷氨酸-N-羧基-環(huán)內(nèi)酸酐）對(duì)羥基磷灰石-β-丙氨酸的嫁接改性的合成與表征26-38
• 2.1 前言26-27
• 2.2 實(shí)驗(yàn)部分27-30
• 2.2.1 試劑與儀器27-28
• 2.2.1.1 試劑27
• 2.2.1.2 儀器27-28
• 2.2.2 采用原位法制備表面具有氨基的羥基磷灰石納米晶體-HAP-β-丙氨酸（HAP-NH_2）28
• 2.2.3 制備γ-芐基-L 谷氨酸-N-羧基-環(huán)內(nèi)酸酐（BLG-NCA）28-29
• 2.2.4 制備羥基磷灰石-β-丙氨酸-聚（γ-芐基-L-谷氨酸）（HAP-PBLG）29
• 2.2.5 制備羥基磷灰石-β-丙氨酸-聚（L-谷氨酸）（HAP-PLGA）29-30
• 2.3 結(jié)果與討論30-37
• 2.3.1 在 HAP-羥基磷灰石-β-丙氨酸（HAP-NH2）上嫁接聚（γ-芐基-L-谷氨酸）30-32
• 2.3.2 羥基磷灰石-β-丙氨酸-聚（L-谷氨酸）（HAP-PLGA）的合成32
• 2.3.3 X 射線粉末衍射儀（XRD）圖譜32-33
• 2.3.4 透射電鏡（TEM）33-34
• 2.3.5 ~1H NMR 圖譜34-36
• 2.3.6 紅外圖譜36-37
• 2.4 本章小結(jié)37-38
• 第三章 “Solution-Liquid-Solid”法合成 CdSe 量子點(diǎn)38-46
• 3.1 前言38
• 3.2 實(shí)驗(yàn)部分38-40
• 3.2.1 試劑與儀器38-39
• 3.2.1.1 試劑38-39
• 3.2.1.2 儀器39
• 3.2.3 實(shí)驗(yàn)步驟39-40
• 3.2.3.1 制備 Bi[N(SiMe_3)_2]_339
• 3.2.3.2 Bi 納米粒子的制備39
• 3.2.3.3 制備 TOP-Se39
• 3.2.3.4 制備 CdSe 族39-40
• 3.2.3.5 制備 CdSe 量子點(diǎn)40
• 3.3 結(jié)果與討論40-44
• 3.4 本章小節(jié)44-46
• 第四章 低溫水溶液中合成半胱氨酸修飾、直線型的 CdTe/CdS 核-殼結(jié)構(gòu)納米線46-60
• 4.1 前言46-47
• 4.2 實(shí)驗(yàn)部分47-49
• 4.2.2 試劑與儀器47-48
• 4.2.2.1 試劑47-48
• 4.2.2.2 儀器48
• 4.2.3 制備 NaTeH 溶液48
• 4.2.4 制備 CdTe/CdS 納米線48-49
• 4.2.5 細(xì)胞培養(yǎng)49
• 4.2.6 細(xì)胞活性檢測(cè)49
• 4.3 結(jié)果圖討論49-59
• 4.3.1 半光氨酸-CdTe/CdS 納米線的合成49
• 4.3.2 反應(yīng)時(shí)間對(duì) CdTe/CdS 納米晶體形貌的影響49-52
• 4.3.3 半胱氨酸-CdTe/CdS 納米晶體的光學(xué)性質(zhì)52-54
• 4.3.4 晶相54-57
• 4.3.5 細(xì)胞57-59
• 4.4 本章小節(jié)59-60
• 第五章 論文總結(jié)60-62
• 參考文獻(xiàn)62-76
• 在學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)成果及獲獎(jiǎng)情況76-77
• 致謝77

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