發(fā)布時(shí)間：2017-05-05 08:09

  本文關(guān)鍵詞：TMS對(duì)字母工作記憶影響的研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：本文通過磁刺激作用接受字母工作記憶任務(wù)受試者的腦部位,探測(cè)磁刺激對(duì)字母工作記憶產(chǎn)生的影響。 本文用心理學(xué)實(shí)驗(yàn)軟件E-Prime設(shè)計(jì)字母工作記憶任務(wù),采用TMS精確導(dǎo)航定位系統(tǒng)對(duì)刺激點(diǎn)精確定位,前三組實(shí)驗(yàn)分別改變磁刺激三項(xiàng)參數(shù)對(duì)受試者施加磁刺激,并記錄行為學(xué)數(shù)據(jù)。三項(xiàng)參數(shù)包括刺激的部位,刺激的時(shí)間及刺激的頻率。第四組實(shí)驗(yàn)在5Hz高頻重復(fù)磁刺激和無(wú)磁刺激兩種條件下記錄完成字母工作記憶受試者的腦電信號(hào)并對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行特征分析。 行為學(xué)數(shù)據(jù)分析結(jié)果表明影響受試者字母工作記憶的主要時(shí)間點(diǎn)在受試者休息的間歇6s內(nèi),主要部位在受試者的左側(cè)前額葉背外側(cè),高頻磁刺激與無(wú)刺激相比反應(yīng)時(shí)間明顯縮短。對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行特征提取,用相干疊加平均提取事件相關(guān)電位的P300潛伏期,在5Hz高頻磁刺激下,受試者的P300潛伏期縮短,P300潛伏期表征受試者接受字母刺激到做出反應(yīng)的時(shí)限縮短,說明高頻磁刺激興奮了受試者字母工作記憶的主要部位,在此基礎(chǔ)上為了揭示腦區(qū)之間的信息傳遞過程,對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行了時(shí)頻分析和相干分析,發(fā)現(xiàn)磁刺激旖加后,小寫字母出現(xiàn)后0到500ms時(shí)段,β波段的能量顯著提高,高能量集中在α波段的時(shí)間變長(zhǎng),β波在額葉與頂葉比較明顯,說明施加磁刺激后,受試者的額葉活動(dòng)增加,磁刺激激活了受試者的額葉部位。對(duì)比ITC觀察兩種條件下的鎖相關(guān)系發(fā)現(xiàn)β波段在施加刺激之后ITC值變小,說明此時(shí)鎖相關(guān)系變?nèi)?能量在腦額葉及枕葉分布有所變化。施加磁刺激的被試在小寫字母出現(xiàn)后的300ms到500ms范圍內(nèi)β波段相干增加,說明頂葉到額葉的大腦活動(dòng)增加。施加磁刺激之后,在400ms到500ms范圍內(nèi)α波段相位差增大,說明在這一階段頂葉信息傳遞的方向發(fā)生了較大的改變。小寫字母出現(xiàn)后的388ms到400ms,β波段的正相位差在施加磁刺激后消失變成了負(fù)相位差,說明磁刺激作用影響這一階段額葉信息傳遞方向。 綜上分析,可以得到在休息間歇6s,高頻重復(fù)磁刺激刺激受試者左側(cè)前額葉背外側(cè)可以縮短受試者的反應(yīng)時(shí)間,提高受試者的字母工作記憶。
【關(guān)鍵詞】：經(jīng)顱磁刺激 精確定位 字母工作記憶 刺激參數(shù) 反應(yīng)時(shí)間 P300時(shí)頻分析 相干分析
【學(xué)位授予單位】：北京協(xié)和醫(yī)學(xué)院
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2013
【分類號(hào)】：R318.04
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-9
• 第一章 緒論9-16
• 1.1 工作記憶9-11
• 1.1.1 工作記憶簡(jiǎn)介9
• 1.1.2 研究工作記憶的意義9-11
• 1.2 TMS原理簡(jiǎn)介11-14
• 1.2.2 TMS的安全性12-13
• 1.2.3 TMS應(yīng)用于工作記憶的研究13-14
• 1.3 研究的內(nèi)容,方法及目標(biāo)14
• 1.4 論文內(nèi)容安排14-16
• 第二章 經(jīng)顱磁刺激對(duì)腦功能的影響機(jī)制16-26
• 2.1 腦功能介紹17-20
• 2.1.1 人腦的結(jié)構(gòu)及功能17-18
• 2.1.2 工作記憶的腦機(jī)制18-20
• 2.2 用于研究工作記憶的腦功能信息檢測(cè)技術(shù)20-26
• 2.2.1 腦電圖20-22
• 2.2.2 事件相關(guān)電位22-24
• 2.2.3 腦功能成像技術(shù)24-26
• 2.3 本章小結(jié)26
• 第三章 磁刺激影響字母工作記憶的實(shí)驗(yàn)條件及實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)26-38
• 3.1 實(shí)驗(yàn)條件26-30
• 3.1.1 經(jīng)顱磁刺激儀26-28
• 3.1.2 定位導(dǎo)航系統(tǒng)28-29
• 3.1.3 腦電采集系統(tǒng)29-30
• 3.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)30-36
• 3.2.1 E-prime簡(jiǎn)介31
• 3.2.2 字母工作記憶任務(wù)31-34
• 3.2.3 實(shí)驗(yàn)對(duì)象34
• 3.2.4 實(shí)驗(yàn)控制34-35
• 3.2.5 實(shí)驗(yàn)任務(wù)設(shè)計(jì)35
• 3.2.6 實(shí)驗(yàn)流程35-36
• 3.3 本章小結(jié)36-38
• 第四章 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析38-56
• 4.1 行為學(xué)數(shù)據(jù)結(jié)果及分析38-43
• 4.1.1 改變磁刺激時(shí)間點(diǎn)38-39
• 4.1.2 改變作用部位39-41
• 4.1.3 改變磁刺激頻率41-43
• 4.2 腦電信號(hào)預(yù)處理及結(jié)果分析43-54
• 4.2.1 改變參考電位43
• 4.2.2 去除噪聲43-45
• 4.2.3 ERP的特征提取45-49
• 4.2.4 EEG的時(shí)頻分析和相干分析49-54
• 4.4 本章小結(jié)54-56
• 第五章 總結(jié)與展望56-58
• 5.1 本論文的工作總結(jié)56-57
• 5.2 存在的問題和展望57-58
• 參考文獻(xiàn)58-64
• 發(fā)表文章64
• 研究生期間參加科研項(xiàng)目64-65
• 致謝65

【參考文獻(xiàn)】

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7 左西年;張U

本文編號(hào)：345979