微流芯片表面生物改性用于重組人骨形態(tài)發(fā)生蛋白-2的檢測(cè)
發(fā)布時(shí)間:2021-08-25 14:22
為了開發(fā)一種快速、特異、精準(zhǔn)的基于大腸埃希菌表達(dá)系統(tǒng)制備的重組人骨形態(tài)發(fā)生蛋白-2(recombinant human bone morphogenetic protein-2, rhBMP-2)質(zhì)量濃度檢測(cè)方法,將酶聯(lián)免疫吸附測(cè)定(enzyme-linked immunosorbent assay, ELISA)與微流控技術(shù)相結(jié)合,篩選合適的用于rhBMP-2的特異抗體,并基于調(diào)控抗體的特異性方向的策略,采用等離子體-蛋白A方法對(duì)高分子微流芯片的檢測(cè)微流道孔進(jìn)行修飾,以評(píng)價(jià)抗體蛋白在微流芯片表面的吸附效率以及最終的檢測(cè)信號(hào)強(qiáng)度。結(jié)果表明:用等離子體處理微流道后,蛋白A和篩選的抗體成功包埋到微流芯片的檢測(cè)孔表面。等離子體處理功率越高,抗體的吸附效果越好;當(dāng)?shù)入x子體功率為100 W、處理時(shí)間為30 s時(shí),第1抗體的吸附效果最好。改性后的微流孔可以有效地檢測(cè)rhBMP-2質(zhì)量濃度,在0~2 000 pg/mL范圍內(nèi),rhBMP-2的質(zhì)量濃度與熒光平均密度呈線性相關(guān),而傳統(tǒng)96孔ELISA法的線性區(qū)間范圍是0~250 pg/mL。與傳統(tǒng)ELISA法的試劑用量(600μL/樣品)相比,微流芯片...
【文章來(lái)源】:浙江大學(xué)學(xué)報(bào)(農(nóng)業(yè)與生命科學(xué)版). 2020,46(04)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:9 頁(yè)
【部分圖文】:
高分子微流芯片表面的等離子體-蛋白A處理工藝示意圖
將圓二色譜圖經(jīng)CDNN 2.1軟件解析,得到不同廠家第1抗體的二級(jí)結(jié)構(gòu)元件含量。如表1所示:潤(rùn)?贵w和欣博盛抗體的結(jié)構(gòu)較相似,98%以上的結(jié)構(gòu)均為螺旋構(gòu)型,其余為少量的β-折疊構(gòu)型。其中潤(rùn)裕抗體的結(jié)構(gòu)略復(fù)雜一些,還含有少量的正向平行構(gòu)型和無(wú)規(guī)則卷曲構(gòu)型。而派普泰克抗體的二級(jí)結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜,無(wú)規(guī)卷曲的成分最多,達(dá)到45.0%,其余成分則由螺旋、反向平行、正向平行和β-折疊構(gòu)型構(gòu)成;诖,后續(xù)的實(shí)驗(yàn)和比較均選用欣博盛抗體。2.2 微流芯片表面的親疏水特性
圖3展示了采用不同等離子體功率處理后,微流芯片表面的接觸角變化情況。從中可以看出:未處理的表面(CK)表現(xiàn)出一定的疏水性能,接觸角為87°;經(jīng)過等離子體處理后,材料表面接觸角明顯降低。功率為25 W時(shí),材料表面表現(xiàn)為親水甚至接近超親水,接觸角約為20°。隨著功率的增大,材料表面的親水性逐漸變?yōu)槭杷.?dāng)功率增大到100 W時(shí),材料表面與未處理過的表面親水性相似。這可能是由于等離子體在材料表面除了引入親水基團(tuán)外,還會(huì)對(duì)表面進(jìn)行刻蝕作用,功率越大導(dǎo)致刻蝕程度越高,表面越粗糙,進(jìn)而使得接觸角增大。2.3 第1抗體吸附情況的比較
本文編號(hào):3362282
【文章來(lái)源】:浙江大學(xué)學(xué)報(bào)(農(nóng)業(yè)與生命科學(xué)版). 2020,46(04)北大核心CSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:9 頁(yè)
【部分圖文】:
高分子微流芯片表面的等離子體-蛋白A處理工藝示意圖
將圓二色譜圖經(jīng)CDNN 2.1軟件解析,得到不同廠家第1抗體的二級(jí)結(jié)構(gòu)元件含量。如表1所示:潤(rùn)?贵w和欣博盛抗體的結(jié)構(gòu)較相似,98%以上的結(jié)構(gòu)均為螺旋構(gòu)型,其余為少量的β-折疊構(gòu)型。其中潤(rùn)裕抗體的結(jié)構(gòu)略復(fù)雜一些,還含有少量的正向平行構(gòu)型和無(wú)規(guī)則卷曲構(gòu)型。而派普泰克抗體的二級(jí)結(jié)構(gòu)更為復(fù)雜,無(wú)規(guī)卷曲的成分最多,達(dá)到45.0%,其余成分則由螺旋、反向平行、正向平行和β-折疊構(gòu)型構(gòu)成;诖,后續(xù)的實(shí)驗(yàn)和比較均選用欣博盛抗體。2.2 微流芯片表面的親疏水特性
圖3展示了采用不同等離子體功率處理后,微流芯片表面的接觸角變化情況。從中可以看出:未處理的表面(CK)表現(xiàn)出一定的疏水性能,接觸角為87°;經(jīng)過等離子體處理后,材料表面接觸角明顯降低。功率為25 W時(shí),材料表面表現(xiàn)為親水甚至接近超親水,接觸角約為20°。隨著功率的增大,材料表面的親水性逐漸變?yōu)槭杷.?dāng)功率增大到100 W時(shí),材料表面與未處理過的表面親水性相似。這可能是由于等離子體在材料表面除了引入親水基團(tuán)外,還會(huì)對(duì)表面進(jìn)行刻蝕作用,功率越大導(dǎo)致刻蝕程度越高,表面越粗糙,進(jìn)而使得接觸角增大。2.3 第1抗體吸附情況的比較
本文編號(hào):3362282
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