目的研究氧化鋯不同設(shè)計(jì)和飾/釉瓷燒結(jié)對(duì)種植全瓷冠內(nèi)部和邊緣適合性的影響。方法采用Cercon計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)及制作（CAD/CAM）系統(tǒng)制作3組黏結(jié)固位氧化鋯種植全瓷冠,每組8顆（n=8）。A組（常規(guī)氧化鋯烤瓷全冠組）:常規(guī)邊緣氧化鋯基底冠+飾瓷,B組（360°氧化鋯頸環(huán)烤瓷全冠組）:360°氧化鋯頸環(huán)冠邊緣基底冠+飾瓷,C組（全解剖式氧化鋯全冠組）:解剖形態(tài)氧化鋯全冠+釉瓷。飾/釉瓷燒結(jié)前和燒結(jié)后采用硅橡膠分別復(fù)制氧化鋯基底冠、氧化鋯全瓷冠在基臺(tái)就位后的內(nèi)部及邊緣間隙,Micro-CT掃描硅橡膠獲得內(nèi)部及邊緣間隙圖像,測(cè)量基底冠、氧化鋯全瓷冠邊緣垂直間隙（MG）、冠邊緣水平間隙（HMD）、肩臺(tái)區(qū)間隙（CA）、軸面中點(diǎn)間隙（AW）、軸面和面交界處間隙（AOT）。采用SPSS 17.0軟件對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析。結(jié)果不論飾/釉瓷燒結(jié)前還是燒結(jié)后,A組HMD均大于B組和C組（P<0.05）,B、C組HMD差異無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)意義（P>0.05）,A、B、C三組間MG、CA、AW、AOT均無(wú)統(tǒng)計(jì)學(xué)差異（P>0.05）。飾/釉瓷燒結(jié)后,A組MG較燒結(jié)前明顯減�。≒<0.05）,... 

【文章來(lái)源】：華西口腔醫(yī)學(xué)雜志. 2016,34(01)北大核心CSCD

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【文章目錄】：
1 材料和方法
    1.1 主要實(shí)驗(yàn)材料和設(shè)備
    1.2 實(shí)驗(yàn)方法
        1.2.1氧化鋯基底冠和解剖式全冠的制作
        1.2.2飾/釉瓷堆塑、燒結(jié)
        1.2.3氧化鋯基底冠、全瓷冠的內(nèi)部和邊緣間隙復(fù)制及Micro-CT掃描
        1.2.4數(shù)據(jù)測(cè)量
    1.3 統(tǒng)計(jì)分析
2 結(jié)果
3 討論
    3.1 氧化鋯不同設(shè)計(jì)對(duì)種植全瓷冠適合性的影響
    3.2 飾/釉瓷燒結(jié)對(duì)不同設(shè)計(jì)種植全瓷冠適合性的影響



本文編號(hào)：3105756