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兩種種植氧化鋯底層冠不同粘接間隙適合性的比較研究

發(fā)布時(shí)間:2020-11-08 16:50
   目的:本實(shí)驗(yàn)通過(guò)預(yù)設(shè)不同的粘接間隙值,評(píng)估Cercon(DeguDent公司,德國(guó))和Organical(R+K公司,德國(guó))CAD/CAM(Computer-aided Designed/Computer-aided Manufacturing)系統(tǒng)制造的種植氧化鋯底層冠與個(gè)性化基臺(tái)邊緣及內(nèi)部的適合性,為臨床種植氧化鋯冠制作時(shí)CAD/CAM系統(tǒng)和較佳粘接間隙預(yù)設(shè)值的選擇提供實(shí)驗(yàn)依據(jù)。材料與方法:標(biāo)準(zhǔn)模型上制備Bego種植牙實(shí)驗(yàn)?zāi)P�。制作CAD/CAM個(gè)性化氧化鋯基臺(tái)。Cercon和R+K CAD/CAM系統(tǒng)按如下粘接間隙預(yù)設(shè)值各分為5組:0μm(0組)、20μm(20組)、30μm(30組)、45μm(45組)、60μm(60組),其余的設(shè)計(jì)均相同。分別安裝配套的瓷塊,每個(gè)實(shí)驗(yàn)組分別切削5個(gè)底層冠,最終獲得50個(gè)底層冠。燒結(jié)后查看無(wú)瑕疵并在同一個(gè)基臺(tái)上就位,由兩名臨床醫(yī)生評(píng)估冠的回位率和邊緣適合性。然后,將每個(gè)牙冠分別就位在同一個(gè)基臺(tái)上,用Micro CT(Micro Computed Tomography,微機(jī)斷層掃描)掃描、Mimics軟件測(cè)量底層冠與基臺(tái)的OG值(Occlusal Gap,咬合間隙)、AG值(Axial Gap,軸面間隙)、AMD值(Absolute Marginal Discrepancy,絕對(duì)邊緣差異)、MG值(Marginal Gap,邊緣垂直間隙)。應(yīng)用SPSS 21.0軟件對(duì)獲得的原始數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析。結(jié)果:(1)兩種CAD/CAM系統(tǒng)制作的底層冠均能在同一個(gè)基臺(tái)上被動(dòng)就位,所有底層冠的回位率為100%。根據(jù)改良的USPHS標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估冠的適合性,R+K和Cercon組邊緣適合性達(dá)到A級(jí)的比例均大于85%。兩組底層冠邊緣適合性的對(duì)比無(wú)明顯的統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P0.05)。(2)利用Mimics17.0軟件測(cè)定每組氧化鋯底層冠與基臺(tái)的邊緣和內(nèi)部適合性,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示:(1)Cercon系統(tǒng)的邊緣和內(nèi)部間隙值均小于150μm;30μm組的MG、60μm組的OG和AG值均最小,MG值中30μm和60μm組的比較有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)。(2)R+K系統(tǒng),0、20μm組的內(nèi)部間隙大于150μm,其它組的適合性均在臨床可接受的范圍內(nèi)。其中MG值中,60μm組與30μm、45μm組的比較均有統(tǒng)計(jì)學(xué)差異(P0.05);AG值中,30μm組與45μm組(P=0.0450.05)、60μm組的比較(P0.05)都有統(tǒng)計(jì)學(xué)差異;OG值中,45μm組與30、60μm組的比較均有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05)。(3)Cercon和R+K底層冠在30、45、60μm組的MG、OG、AG值的比較中均有明顯的差異(P0.05),Cercon組的適合性均小于R+K組。(4)兩個(gè)系統(tǒng)各間隙組中AMD與MG值,OG與AG值的比較都有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P0.05),AMD、OG值分別大于MG、AG值。結(jié)論:(1)在本實(shí)驗(yàn)條件下,Cercon系統(tǒng)的所有粘接間隙組的適合性均在臨床可接受的范圍內(nèi);粘接間隙預(yù)設(shè)為30μm組氧化鋯底層冠的邊緣垂直間隙優(yōu)于60μm組。(2)R+K系統(tǒng)粘接間隙預(yù)設(shè)為30、45、60μm時(shí),氧化鋯冠的內(nèi)部和邊緣的適合性都符合臨床可接受的參考標(biāo)準(zhǔn);30μm組氧化鋯底層冠的邊緣垂直間隙和內(nèi)部適合性?xún)?yōu)于45、60μm組。(3)粘接間隙設(shè)置為30、45、60μm時(shí),Cercon底層冠的內(nèi)部和邊緣垂直間隙明顯優(yōu)于R+K底層冠。(4)Cercon和R+K CAD/CAM系統(tǒng)的邊緣和內(nèi)部適合性并非均勻一致,咬合面比軸面適合性較差,邊緣垂直間隙相對(duì)于邊緣絕對(duì)差異較優(yōu)。
【學(xué)位單位】:大連醫(yī)科大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類(lèi)】:R783.1
【部分圖文】:

模型圖,標(biāo)準(zhǔn)模型,缺失,模型


大連醫(yī)科大學(xué)碩士學(xué)位論文2、 方法2.1 樣本的制備2.1.1 標(biāo)準(zhǔn)石膏模型的制備去除標(biāo)準(zhǔn)石膏模型上的左上頜第一前磨牙,再沿牙體長(zhǎng)軸研磨備洞,制備方向是從根方通向冠方,達(dá)到冠根向的完全穿通。在穿通區(qū)中央插入 Bego 種植體替代體(直徑 3.75mm)1 枚,替代體頸部距離頰側(cè)牙齦邊緣中點(diǎn)約 4mm,并用丙烯酸樹(shù)脂固定。旋入 Bego 種植體閉窗轉(zhuǎn)移桿,安放印模帽后,用托盤(pán)取模。待聚醚印模材料硬固后,使托盤(pán)從石膏模型脫位,印模帽固定于陰模中。從模型上擰下轉(zhuǎn)移桿,與替代體旋緊后,沿著卡槽正確就位在陰模上。靜置 30 分鐘后人工牙齦材料注射于替代體四周,待人工牙齦硬固后,灌注超硬石膏模型,備用。

種植體,石膏模型,印模,牙齦


大連醫(yī)科大學(xué)碩士學(xué)位論文2、 方法2.1 樣本的制備2.1.1 標(biāo)準(zhǔn)石膏模型的制備去除標(biāo)準(zhǔn)石膏模型上的左上頜第一前磨牙,再沿牙體長(zhǎng)軸研磨備洞,制備方向是從根方通向冠方,達(dá)到冠根向的完全穿通。在穿通區(qū)中央插入 Bego 種植體替代體(直徑 3.75mm)1 枚,替代體頸部距離頰側(cè)牙齦邊緣中點(diǎn)約 4mm,并用丙烯酸樹(shù)脂固定。旋入 Bego 種植體閉窗轉(zhuǎn)移桿,安放印模帽后,用托盤(pán)取模。待聚醚印模材料硬固后,使托盤(pán)從石膏模型脫位,印模帽固定于陰模中。從模型上擰下轉(zhuǎn)移桿,與替代體旋緊后,沿著卡槽正確就位在陰模上。靜置 30 分鐘后人工牙齦材料注射于替代體四周,待人工牙齦硬固后,灌注超硬石膏模型,備用。

聚醚,牙齦,卡槽,石膏模型


與替代體旋緊后,沿著卡槽正確就位在陰模上。靜置 30 分鐘后人工牙齦材料注射于替代體四周,待人工牙齦硬固后,灌注超硬石膏模型,備用。圖 1 標(biāo)準(zhǔn)模型左上頜第一前磨牙缺失模型 圖 2 左上頜第一前磨牙植入種植體替代體
【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

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相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

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本文編號(hào):2875059

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