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線粒體自噬在血管性認(rèn)知障礙中的研究進展

發(fā)布時間:2024-03-10 02:34
  <正>血管性認(rèn)知障礙(vascular cognitive impairment,VCI)指由腦血管病的危險因素(高血壓病、糖尿病、高脂血癥和高同型半胱氨酸血癥等)、顯性腦血管病(腦梗死和腦出血等)及非顯性腦血管病(白質(zhì)疏松和彌漫性腦缺血等)引起的一組從輕度認(rèn)知損害到癡呆的綜合征。線粒體是缺血后神經(jīng)細(xì)胞死亡的關(guān)鍵靶區(qū),機體可通過自噬控制線粒體數(shù)量,其功能紊亂是慢性腦低灌注(chronic cerebral hypoperfusion,CCH)、腦缺血再灌注損傷(cerebral ischemia reperfusion injury, CIR)所致VCI的主要機制。通過闡述線粒體自噬機制及其在CCH、CIR所致VCI中的作用,有利于尋找藥物作用靶點,早期干預(yù)VCI的發(fā)生發(fā)展,提升患者生存質(zhì)量。

【文章頁數(shù)】:4 頁

【文章目錄】:
1 線粒體自噬
    1.1 線粒體自噬相關(guān)分子通路
        1.1.1 PINK1/Parkin分子通路
        1.1.2 HIF-1α/BNIP3/Beclin1信號通路
        1.1.3 PI3K-Akt-m TOR通路
    1.2線粒體動力學(xué)變化
2 線粒體自噬與血管性認(rèn)知障礙
    2.1 線粒體自噬與慢性腦低灌注導(dǎo)致的血管性認(rèn)知障礙
        2.1.1 作用機制
        2.1.2 相關(guān)靶點治療
    2.2 線粒體自噬與腦缺血再灌注損傷導(dǎo)致的血管性認(rèn)知障礙
        2.2.1 作用機制
        2.2.2 相關(guān)靶點治療



本文編號:3924109

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