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真空集成電路有進展嗎?
真空集成電路是在90年代初出現(xiàn)的。
因為在固體中電子的漂移速度最大也不超過熱運動速度~107cm/s,所以作為固體器件的晶體管,其頻率和速度要受到一定的限制。而真空管內(nèi)的電子的漂移速度不受到此限制(因為沒有晶格振動散射和各種雜質(zhì)、缺陷的散射),則遠高于固體中的速度,從而真空管的頻率和速度可以達到遠高于晶體管的水平。
真空集成電路充分運用了從硅芯片制作中發(fā)展起來的微細(xì)精加工技術(shù),把真空三極管和真空四極管加以集成,從而把它們用于因受高頻、高溫、放射線影響而使半導(dǎo)體集成電路難以發(fā)揮作用的場合,,充分發(fā)揮了真空管技術(shù)的特長。
微型真空管有獨特的優(yōu)點:
①因為電子在真空中的渡越時間很短,則截止頻率可以做得很高;
②真空管的微小尖端陰極不需要加熱,就能發(fā)射電子,并且壽命可長達10萬小時,因此更適合于惡劣環(huán)境下的工作;
③輸出功率比晶體管大得多。
目前發(fā)展怎么樣了??有商用器件么
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