湖南大學(xué) 碩士學(xué)位論文 開(kāi)關(guān)電流電路理論及其故障診斷研究 姓名：黃俊 申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士 專(zhuān)業(yè)：電工理論與新技術(shù) 指導(dǎo)教師：何怡剛 20070410 開(kāi)關(guān)電流電路理論及其故障診斷研究 摘 要 隨著微電子學(xué)的不斷發(fā)展，開(kāi)關(guān)電流技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)受到越來(lái)越多的關(guān)注，開(kāi)關(guān) 電流電路已經(jīng)成為模數(shù)混合信號(hào)系統(tǒng)、芯片系統(tǒng)的重要模數(shù)接口電路，在國(guó)際電 路學(xué)術(shù)前沿已掀起新的研究熱潮。 本文先簡(jiǎn)單介紹開(kāi)關(guān)電容技術(shù)，再詳細(xì)分析了高性能開(kāi)關(guān)電流基本存儲(chǔ)單元， 之后介紹了開(kāi)關(guān)電流基本模塊。 開(kāi)關(guān)電流電路中，用作開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)管的MOS 晶體管都是非理想器件，使得開(kāi) 關(guān)電流電路的實(shí)際工作性能與理想性能有偏差，要成功地設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電流電路，滿 足一定的模擬性能條件，最重要的是控制開(kāi)關(guān)電流的各種誤差。本文深入分析了 開(kāi)關(guān)電流電路基本存儲(chǔ)單元的失配誤差、電導(dǎo)比誤差、調(diào)整誤差、噪聲誤差和電 荷注入誤差，給出了相關(guān)計(jì)算公式。電荷注入誤差是影響開(kāi)關(guān)電流電路性能的主 要因素，在對(duì)它進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析之后，提出了一種采用CMOS開(kāi)關(guān)、共源 共柵電流鏡的基本存儲(chǔ)單元的改進(jìn)電路，HSPICE仿真結(jié)果表明該電路能明顯減小 電荷注入引起的時(shí)鐘饋通誤差，提高開(kāi)關(guān)電流電路的精度。 本文在介紹了模擬電路故障診斷的基本概念和方法之后，重點(diǎn)闡述了直流故 障字典法的一般過(guò)程，以此為指導(dǎo)思想，提出了對(duì)無(wú)MOS開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單 元電路進(jìn)行故障診