開關(guān)電流電路理論及其故障診斷研究
《湖南大學》 2007年
開關(guān)電流電路理論及其故障診斷研究
黃俊
【摘要】： 隨著微電子學的不斷發(fā)展,開關(guān)電流技術(shù)的優(yōu)點受到越來越多的關(guān)注,開關(guān)電流電路已經(jīng)成為模數(shù)混合信號系統(tǒng)、芯片系統(tǒng)的重要模數(shù)接口電路,在國際電路學術(shù)前沿已掀起新的研究熱潮。 本文先簡單介紹開關(guān)電容技術(shù),再詳細分析了高性能開關(guān)電流基本存儲單元,之后介紹了開關(guān)電流基本模塊。 開關(guān)電流電路中,用作開關(guān)和存儲管的MOS晶體管都是非理想器件,使得開關(guān)電流電路的實際工作性能與理想性能有偏差,要成功地設(shè)計開關(guān)電流電路,滿足一定的模擬性能條件,最重要的是控制開關(guān)電流的各種誤差。本文深入分析了開關(guān)電流電路基本存儲單元的失配誤差、電導比誤差、調(diào)整誤差、噪聲誤差和電荷注入誤差,給出了相關(guān)計算公式。電荷注入誤差是影響開關(guān)電流電路性能的主要因素,在對它進行了詳細的理論分析之后,提出了一種采用CMOS開關(guān)、共源共柵電流鏡的基本存儲單元的改進電路,HSPICE仿真結(jié)果表明該電路能明顯減小電荷注入引起的時鐘饋通誤差,提高開關(guān)電流電路的精度。 本文在介紹了模擬電路故障診斷的基本概念和方法之后,重點闡述了直流故障字典法的一般過程,以此為指導思想,提出了對無MOS開關(guān)的開關(guān)電流存儲單元電路進行故障診斷的方法。去除MOS開關(guān)的主要目的是減少電荷注入誤差對輸出電流的影響。采用的故障模型有四種故障類型:柵源短路,柵漏短路,漏極開路,源極開路。只考慮單故障的情況下,通過誤差電流的不同來進行故障定位。HSPICE仿真結(jié)果表明只能對部分故障進行定位,有些故障的誤差電流相近,不能區(qū)分開來。
【關(guān)鍵詞】：
【學位授予單位】：湖南大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2007
【分類號】：TM46
【目錄】：
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【引證文獻】
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
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【同被引文獻】
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【二級參考文獻】
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【相似文獻】
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，本文編號：31865
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