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半導體理論基礎 目錄 固體能帶理論 半導體材料硅的晶體結構 半導體特性 載流子的復合與壽命 載流子的傳輸 P-N結二極管性質 硅材料的物理化學特性 固體的能帶理論 ――能帶的形成 原子中的電子在原子核的勢場和其他電子的作用下，它們分別在不同的能級上，形成電子殼層。晶體中，各個原子互相靠的很近，不同原子的內(nèi)、外殼層都有一定的重疊，電子不在局限在某一個原子中，可以由一個原子轉移到相鄰的原子上，導致電子共有化運動，結果使孤立原子的單一能級分裂行成能帶。 根據(jù)電子先填充低能級的的原理，下面的能帶先填滿電子，這個帶被稱為價帶或滿帶，上面的未被電子填滿的能帶或空能帶稱為導帶，中間以僅帶相隔。 已被電子填滿的能帶稱為價帶 固體的能帶理論 ――能帶的形成 電子在原子之間的轉移不是任意的，電子只能在能量相同的軌道之間發(fā)生轉移.當電子獲得足夠能量的時候將越過禁帶發(fā)生躍遷。 固體的能帶理論 ――金屬、絕緣體、半導體 固體的能帶理論 ――金屬、絕緣體、半導體 導體：能帶交疊，即使極小的外加能量就會引起導電。 絕緣體：能帶間距很大，不可能導電。 半導體：禁帶比絕緣體窄很多，部分電子因熱運動從價帶跳到導帶，使導帶中有少量電子，價帶中有少量空穴，從而有一定的導電能力。 固體的能帶理論 ――金屬、絕緣體、半導體 物體的導電能力，，一般用材料電阻率的大小來衡量。電阻率越大，說明這種材料的導電能力越弱。 半導體材料硅的晶體結構 硅太陽電池生產(chǎn)中常用的硅（Si），磷（P），硼（B）元素的原子結構模型如下： 半導體材料硅的晶體結構 原子最

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