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本文關(guān)鍵詞:半導(dǎo)體理論,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
半導(dǎo)體理論基礎(chǔ) 目錄 固體能帶理論 半導(dǎo)體材料硅的晶體結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體特性 載流子的復(fù)合與壽命 載流子的傳輸 P-N結(jié)二極管性質(zhì) 硅材料的物理化學(xué)特性 固體的能帶理論
――能帶的形成 原子中的電子在原子核的勢場和其他電子的作用下,它們分別在不同的能級上,形成電子殼層。晶體中,各個原子互相靠的很近,不同原子的內(nèi)、外殼層都有一定的重疊,電子不在局限在某一個原子中,可以由一個原子轉(zhuǎn)移到相鄰的原子上,導(dǎo)致電子共有化運(yùn)動,結(jié)果使孤立原子的單一能級分裂行成能帶。 根據(jù)電子先填充低能級的的原理,下面的能帶先填滿電子,這個帶被稱為價帶或滿帶,上面的未被電子填滿的能帶或空能帶稱為導(dǎo)帶,中間以僅帶相隔。
已被電子填滿的能帶稱為價帶 固體的能帶理論
――能帶的形成 電子在原子之間的轉(zhuǎn)移不是任意的,電子只能在能量相同的軌道之間發(fā)生轉(zhuǎn)移.當(dāng)電子獲得足夠能量的時候?qū)⒃竭^禁帶發(fā)生躍遷。 固體的能帶理論
――金屬、絕緣體、半導(dǎo)體 固體的能帶理論
――金屬、絕緣體、半導(dǎo)體 導(dǎo)體:能帶交疊,即使極小的外加能量就會引起導(dǎo)電。 絕緣體:能帶間距很大,不可能導(dǎo)電。 半導(dǎo)體:禁帶比絕緣體窄很多,部分電子因熱運(yùn)動從價帶跳到導(dǎo)帶,使導(dǎo)帶中有少量電子,價帶中有少量空穴,從而有一定的導(dǎo)電能力。 固體的能帶理論
――金屬、絕緣體、半導(dǎo)體 物體的導(dǎo)電能力,,一般用材料電阻率的大小來衡量。電阻率越大,說明這種材料的導(dǎo)電能力越弱。 半導(dǎo)體材料硅的晶體結(jié)構(gòu) 硅太陽電池生產(chǎn)中常用的硅(Si),磷(P),硼(B)元素的原子結(jié)構(gòu)模型如下: 半導(dǎo)體材料硅的晶體結(jié)構(gòu)
原子最
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本文編號:187754
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