21ic 半導(dǎo)體技術(shù)_半導(dǎo)體技術(shù)雜志社
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半導(dǎo)體技術(shù)
刊名:半導(dǎo)體技術(shù)SemiconductorTechnology
主辦:中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì);半導(dǎo)體專業(yè)情報(bào)網(wǎng);中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三所
周期:月刊
出版地:河北省石家莊市
語(yǔ)種:
中文開本:大16開
ISSN1003-353X
CN13-1109/TN
郵發(fā)代號(hào)18-65
創(chuàng)刊年:1976
ASPT來(lái)源刊
中國(guó)期刊網(wǎng)來(lái)源刊
2004年度核心期刊
《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志信息:
《半導(dǎo)體技術(shù)》是為迅速發(fā)展的中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)服務(wù)的權(quán)威性技術(shù)刊物,也是與中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同成長(zhǎng)并能堅(jiān)持與國(guó)際同步的中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)最權(quán)威的國(guó)家一級(jí)刊物之一,可以毫不夸張的說(shuō)它就是整個(gè)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史縮影!栋雽(dǎo)體技術(shù)》的主辦方之一的中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)是中國(guó)最有影響力的半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)組織,而另一個(gè)主辦單位中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所是中國(guó)國(guó)內(nèi)最大、最權(quán)威的半導(dǎo)體研究所!栋雽(dǎo)體技術(shù)》培育了歷代中國(guó)半導(dǎo)體和基礎(chǔ)電子制造業(yè)的工程師和技術(shù)管理人員讀者,同時(shí)還全力幫助有關(guān)客戶被正確地推薦到應(yīng)用、采購(gòu)有關(guān)的設(shè)備和產(chǎn)品的人士面前。自1976年創(chuàng)刊以來(lái),以嚴(yán)謹(jǐn)風(fēng)格,權(quán)威著述,在業(yè)內(nèi)深孚眾望,對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展發(fā)揮了重要作用。“向讀者提供更好半導(dǎo)體資訊,為半導(dǎo)體客戶開拓更大商業(yè)市場(chǎng)”,是《半導(dǎo)體技術(shù)》的追求,本刊將一如既往的堅(jiān)持客戶至上,服務(wù)第一,竭誠(chéng)向讀者提供多元化的信息,為客戶帶來(lái)更多的商機(jī)!
《半導(dǎo)體技術(shù)》作為中國(guó)電子業(yè)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、開發(fā)應(yīng)用的主導(dǎo)刊物,欄目主要設(shè)有:中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展趨勢(shì)論壇(綜述):誠(chéng)邀《半導(dǎo)體技術(shù)》的專家顧問(wèn)發(fā)表精辟觀點(diǎn)和看法;政府主管部門領(lǐng)導(dǎo)提出政策投資建議。芯片生產(chǎn)工藝技術(shù):力求突出芯片制造新工藝、前道工序流程主流技術(shù)等。IC封裝及測(cè)試:國(guó)外先進(jìn)封裝技術(shù)如微間距打線技術(shù);BGA;疊合式/三維封裝;Quad封裝等。以及IC測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)測(cè)試等。新材料新設(shè)備:對(duì)半導(dǎo)體支撐材料如納米材料、環(huán)氧膜塑料、硅材料、低介電常數(shù)材料、化合物等及8-12英寸制造設(shè)備、后工序設(shè)備、試驗(yàn)設(shè)備等加以闡述。全國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)介紹:圖文并茂的介紹中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展較快的地方和基地情況,以利各方參考。企業(yè):(采訪追明星蹤)針對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)的主流企業(yè)進(jìn)行針對(duì)性訪問(wèn)和系統(tǒng)介紹。為供需雙方提供具有參考價(jià)值的范本。新品之窗:對(duì)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與材料設(shè)備的新產(chǎn)品予以相關(guān)介紹和推薦設(shè)計(jì)與應(yīng)用:嵌入式系統(tǒng)、PLD/FPGA設(shè)計(jì);通信、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)、DSP和多媒體應(yīng)用;電源器件、數(shù)字/模擬IC、消費(fèi)類/工業(yè)類電子器件等應(yīng)用技術(shù)業(yè)界動(dòng)態(tài):綜合報(bào)道世界半導(dǎo)體行業(yè)最新動(dòng)態(tài)會(huì)議報(bào)道:專門報(bào)道行業(yè)相關(guān)會(huì)議,傳達(dá)精神,指導(dǎo)工作。
《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志榮譽(yù):
雜志是2008年北大核心期刊,全國(guó)中文核心期刊。分別于1992年、1996年、2000年、2004年、2008年獲得北大中文核心期刊榮譽(yù)。該刊被以下數(shù)據(jù)庫(kù)收錄:CA化學(xué)文摘(美)(2009)、SA科學(xué)文摘(英)、2009)、CBST科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)速報(bào)(日)(2009)、Pж(AJ)文摘雜志(俄)(2009)、中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)(CSCD—2008)。
《半導(dǎo)體技術(shù)》雜志稿件要求:
1.內(nèi)容可涵蓋半導(dǎo)體材料動(dòng)向、開發(fā)設(shè)計(jì)、技術(shù)應(yīng)用等;
2.主題鮮明,結(jié)構(gòu)嚴(yán)謹(jǐn),字跡清楚,圖表齊備;
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《半導(dǎo)體技術(shù)》常見論文發(fā)表范例:
MOS結(jié)構(gòu)電容高頻C-V特性的應(yīng)用---熊海孔學(xué)東章曉文
PMOSFET動(dòng)態(tài)NBTI效應(yīng)的研究---宋芳芳解江李斌章曉文
考慮瞬態(tài)效應(yīng)的緩變結(jié)HBT性能分析---熊德平周守利羅莉唐新桂王銀海
Mg-Al合金化學(xué)機(jī)械拋光中表面狀態(tài)的研究---張研劉玉嶺牛新環(huán)梁蒲肖文明閻寶華
寬帶HBTVCO單片電路的設(shè)計(jì)和制作---陳鳳霞蔡文勝戚偉李遠(yuǎn)鵬
8位CMOS雙通道流水線ADC仿真設(shè)計(jì)---吳衍成立王鵬程楊寧王改王振宇
130nmNMOS器件的單粒子輻射電荷共享效應(yīng)---陳超吳龍勝韓本光方勇劉佑寶
用階梯狀摻雜埋層對(duì)超淺結(jié)進(jìn)行C-V剖面分析(英文)---徐翠芹PopadicMiloNanverL.K.茹國(guó)平
基于集成電路過(guò)電壓保護(hù)設(shè)備的研制---盧建華吳光彬吳曉男
SiGeHBT器件的研究設(shè)計(jì)---米保良吳國(guó)增
新型激光二極管列陣光束整形方法---吳芃王翠鸞韓淋劉媛媛李偉馮小明劉素平馬驍宇
6~18GHz超寬帶微帶均衡器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)---劉亞男何慶國(guó)郝金中王抗旱
帶有本征薄層的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池---劉艷紅劉愛民
讀卡器末級(jí)功率放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)---南敬昌梁立明劉影
欠鍵合/過(guò)鍵合與功率設(shè)置及溫度關(guān)系的研究---張亞楠韓雷
SOI-LIGBT寄生晶體管電流增益的研究---陳越政錢欽松孫偉鋒
ASIC物理設(shè)計(jì)中金屬層數(shù)對(duì)芯片的影響---柏璐聶紅兒李莉
飛思卡爾拓展大學(xué)合作計(jì)劃,共繪人才培養(yǎng)美好藍(lán)圖---
SiO_2/CeO_2混合磨料對(duì)微晶玻璃CMP效果的影響---孫增標(biāo)劉玉嶺劉效巖閆寶華張研
級(jí)聯(lián)光纖環(huán)的空間全偏振態(tài)統(tǒng)計(jì)退偏特性研究---彭蕾王春華應(yīng)可捷
Doherty高效功率放大器的設(shè)計(jì)---吳毅威唐宗熙張彪
堿性條件下硬盤基板兩步拋光法的實(shí)驗(yàn)研究---孫業(yè)林劉玉嶺劉效巖魏恒謝竹石
柵氧化層制程對(duì)IC產(chǎn)品可靠性的影響---曾梁英阮瑋瑋胡子信李明
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本文編號(hào):181596
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