1 硅微電子技術(shù)發(fā)展趨勢

　　硅（Si）材料作為當前微電子技術(shù)的基礎(chǔ)，預計到本世紀中葉都不會改變。

　　從提高硅集成電路（ICs）性能價格比來看，增大直拉硅單晶的直徑，仍是今后硅單晶發(fā)展的大趨勢。硅ICs工藝由8英寸向12英寸的過渡將在近年內(nèi)完成。預計2016年前后，18英寸的硅片將投入生產(chǎn)。

　　從進一步縮小器件的特征尺寸，提高硅ICs的速度和集成度看，研制適合于硅深亞微米乃至納米工藝所需的超高純、大直徑和無缺陷硅外延片會成為硅材料發(fā)展的主流。

　　2 硅基高效發(fā)光研究取得突破進展

　　· 硅基光電集成一直是人們追求的目標，其中如何提高硅基材料發(fā)光效率是關(guān)鍵。經(jīng)過長期努力，2003年在硅基異質(zhì)結(jié)電注入高效發(fā)光和電泵激射方面的研究獲得了突破性進展，這使人們看到了硅基光電集成的曙光。

　　· 另外，隨著在大尺寸硅襯底上高質(zhì)量GaAs外延薄膜的生長成功，向硅基光電混合集成方向也邁出了重要的一步！

　　3 量子級聯(lián)激光材料與器件研究取得進展

　　量子級聯(lián)激光器是單極性器件，原則上不受能帶結(jié)構(gòu)所限，是理想的中、遠紅外光源，在自由空間通信、紅外對抗、遙控化學傳感、高速調(diào)制器和無線光學連接等方面有著重要應(yīng)用前景。

　　4 寬帶隙半導體材料與器件

　　第三代（高溫、寬帶隙）半導體材和器件，主要指的是III族氮化物，碳化硅（SiC），氧化鋅（ZnO）和金剛石等，它們不僅是研制高頻大功率、耐高溫、抗輻照半導體微電子器件、電路的理想材料，而且III族氮化物和ZnO等還是優(yōu)異的短波長光電子材料。

　　· 在通信、汽車、航空、航天、石油開采、全色大屏幕顯示、全固態(tài)白光照明、超高密度光存儲讀寫光源和海底光通信以及國防等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，是目前國際高技術(shù)研發(fā)的重點領(lǐng)域。

　　5  納米（低維）半導體材料與量子器件

　　· 納米（低維）半導體材料，通常是指除體材料之外的二維超晶格、量子阱材料，一維量子線和零維量子點材料，是自然界不存在的人工設(shè)計、制造的新型半導體材料。MBE、MOCVD技術(shù)和微細加工技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用，為實現(xiàn)納米半導體材料生長、制備和量子器件的研制創(chuàng)造了條件。

　　· 目前，以GaAs、InP為代表的晶格匹配或應(yīng)變補償?shù)某Ц�、量子阱材料體系已發(fā)展得相當成熟，并成功地用于制造微電子和光電子器件與電路。目前發(fā)展的方向是研制光電集成芯片材料和器件，以滿足新一代光纖通信和智能光網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的需求。

　　6 其它信息功能材料與器件研究進展

　　信息存儲材料和器件：

　　· 磁記錄材料仍是目前最重要的存儲材料，預計到2006年左右，磁性材料中磁記錄單元的尺寸將達到其記錄狀態(tài)的物理極限（100Gb/in2）。

　　· 應(yīng)用光存儲技術(shù)，其存儲密度可隨光波波長的變短而得到成倍的增長，但光存儲技術(shù)的面密度也已接近光學衍射極限。

　　· 探索尋找可實用的海量光存儲新材料和發(fā)展諸如三維光存儲技術(shù)、全息光存儲技術(shù)和近場光存儲等是目前的主攻方向。