鉍系半導體復合材料的制備及其光催化性能的研究
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【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1半導體光催化反應機理[16]
鉍系復合光催化材料的制備及其抗菌性能的研究4由公式可得半導體的Eg越小,λg就越大,激發(fā)半導體所需的能量就越低。半導體光催化反應過程機理如圖1.1所示,當半導體被能量大于或者等于禁帶寬度的光子(hv≥Eg)激發(fā)時,價帶上的電子會被激發(fā)躍遷到導帶上,在導帶上形成高活性的電子(e-)....
圖1-1光催化過程示意圖
華南理工大學碩士學位論文圖1-1光催化過程示意圖Figure1-1Schemeofphotocatalysis1.3光催化劑性能影響因素由固體能帶理論和半導體能帶結構可知,只有當入射光的能量大于或等于半導體禁帶寬度時價帶電子才會躍遷至導帶產生光生電子與穴對。此半導體的能帶結構對其....
圖1-2BiVO4的相轉化示意圖
第一章緒論7圖1-2BiVO4的相轉化示意圖Figure1-2SchemeofthephasetransitionofBiVO4氯氧化鉍(BiOCl)為銀白色發(fā)亮結晶粉末,是一種新型高檔珠光材料,具有無毒無害,性質穩(wěn)定,附著力強等優(yōu)點,廣泛應用于化妝品、裝飾品、電子產品外殼、塑料....
圖1-3固定酸濃度1.2M下不同溫度制得的BiVO4晶體SEM圖:6h(a),12h(b),24h(c)和48h(d)
華南理工大學碩士學位論文極性、粘稠度、沸點、對不同物質的溶解性等。如圖1-3所示,Han等[40]采用水熱法,加入一定量的十二烷基本磺酸鈉作為表面活性劑,在150℃下反應24小時制得了單分散的單斜相BiVO4八面體,粒徑均勻、形貌規(guī)整。Xing等[41]采用水熱法,通過加入氨水分....
本文編號:3949707
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