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鉍系半導體復合材料的制備及其光催化性能的研究

發(fā)布時間:2024-04-09 22:07
  光催化降解有機污染物是一項新興的水污染治理技術,以催化技術為基礎利用太陽能降解水體中的可溶性有機污染物。在各類材料中,半導體材料憑借其低成本、易制備、無毒、帶隙易調控、物理化學性質穩(wěn)定等優(yōu)點受到廣泛關注。而在各類半導體材料中,鉍系材料被認為具有良好的應用前景,其具有帶隙能相對較小,對可見光的響應較強,帶邊位置良好,無毒無污染等特性。然而,由于較弱的表面吸附,較弱的電荷遷移能力,嚴重的光生電子與空穴復合現象等問題,純相鉍系材料的光催化性能并不理想。針對此問題,本文以釩酸鉍為基底材料進行其他半導體材料的負載改性,以羅丹明B作為模擬有機污染物,考察復合材料的可見光催化性能并探究其催化機理;設計并合成具有合適形貌的氯氧化鉍/碳酸氧鉍復合材料,以孔雀石綠作為模擬有機污染物,考察復合材料在模擬日光下的催化性能并探究其催化機理。具體研究工作如下:1.以水熱法制備具有(010)及(110)暴露晶面的釩酸鉍晶體,通過液相沉淀法將一定量的Cu3Mo2O9負載在釩酸鉍表面以構建p-n異質結。光催化實驗表明當Cu3Mo

【文章頁數】:103 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.1半導體光催化反應機理[16]

圖1.1半導體光催化反應機理[16]

鉍系復合光催化材料的制備及其抗菌性能的研究4由公式可得半導體的Eg越小,λg就越大,激發(fā)半導體所需的能量就越低。半導體光催化反應過程機理如圖1.1所示,當半導體被能量大于或者等于禁帶寬度的光子(hv≥Eg)激發(fā)時,價帶上的電子會被激發(fā)躍遷到導帶上,在導帶上形成高活性的電子(e-)....


圖1-1光催化過程示意圖

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華南理工大學碩士學位論文圖1-1光催化過程示意圖Figure1-1Schemeofphotocatalysis1.3光催化劑性能影響因素由固體能帶理論和半導體能帶結構可知,只有當入射光的能量大于或等于半導體禁帶寬度時價帶電子才會躍遷至導帶產生光生電子與穴對。此半導體的能帶結構對其....


圖1-2BiVO4的相轉化示意圖

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第一章緒論7圖1-2BiVO4的相轉化示意圖Figure1-2SchemeofthephasetransitionofBiVO4氯氧化鉍(BiOCl)為銀白色發(fā)亮結晶粉末,是一種新型高檔珠光材料,具有無毒無害,性質穩(wěn)定,附著力強等優(yōu)點,廣泛應用于化妝品、裝飾品、電子產品外殼、塑料....


圖1-3固定酸濃度1.2M下不同溫度制得的BiVO4晶體SEM圖:6h(a),12h(b),24h(c)和48h(d)

圖1-3固定酸濃度1.2M下不同溫度制得的BiVO4晶體SEM圖:6h(a),12h(b),24h(c)和48h(d)

華南理工大學碩士學位論文極性、粘稠度、沸點、對不同物質的溶解性等。如圖1-3所示,Han等[40]采用水熱法,加入一定量的十二烷基本磺酸鈉作為表面活性劑,在150℃下反應24小時制得了單分散的單斜相BiVO4八面體,粒徑均勻、形貌規(guī)整。Xing等[41]采用水熱法,通過加入氨水分....



本文編號:3949707

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