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BDD/Ti復(fù)合膜組件自清潔機(jī)理研究

發(fā)布時(shí)間:2024-02-07 04:15
  含油廢水是水體的一類重要污染源。膜分離技術(shù)操作壓力低、無(wú)相變、能耗少、適用范圍廣、分離效率高,是處理含油廢水的一種理想手段。但膜污染制約了膜分離技術(shù)廣泛應(yīng)用。在水處理過(guò)程中,水中的污染物不斷地附著在膜表面和孔洞中使膜阻力增加,膜通量降低,嚴(yán)重影響了污水處理的效率。 為提高傳統(tǒng)膜材料的抗污染能力,本文將膜分離技術(shù)與電化學(xué)技術(shù)相耦合,采用熱絲化學(xué)氣相沉積法(HFCVD)對(duì)傳統(tǒng)金屬鈦膜材料進(jìn)行了表面改性處理,制備了新型摻硼金剛石復(fù)合多孔鈦膜(BDD/Ti)材料。利用電化學(xué)工作站對(duì)BDD/Ti的電化學(xué)特性進(jìn)行了分析。自行設(shè)計(jì)了電化學(xué)膜組件,以模擬含油廢水為處理對(duì)象,比較了分離膜改性前后對(duì)污水的處理效果,同時(shí)分析了操作參數(shù)和料液濃度對(duì)組件膜通量和分離效果的影響,結(jié)果表明在電化學(xué)膜組件工作模式下,這種新型金剛石復(fù)合膜具有一定的自清潔能力,膜抗污染能力得到提高,延長(zhǎng)了其使用壽命,同時(shí)強(qiáng)化了膜分離過(guò)程。 應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室HFCVD設(shè)備,以固體B2O3為硼源,氫氣流量240sccm,碳源流量70sccm,反應(yīng)室氣壓3.5-4KPa,襯底溫度800℃,生長(zhǎng)6小時(shí)后在多孔鈦襯底上沉積了BDD薄膜。為防止復(fù)合膜材料...

【文章頁(yè)數(shù)】:56 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1.1金剛石電極與傳統(tǒng)電極的伏安曲線

圖1.1金剛石電極與傳統(tǒng)電極的伏安曲線

如圖1.1所示,可以看出四種電極的電位窗口相差很大,金剛石電極3.5V,GC電極2.5V,Pt電極1.7V,Au電極2.0V(vs.Ag/AgCl),相比于這些傳統(tǒng)電極,金剛石電極具有最寬的電化學(xué)窗口和最高的析氧電位。圖1.1金剛石電極與傳統(tǒng)電極的伏安曲....


圖1.2膜分離過(guò)濾物質(zhì)尺寸

圖1.2膜分離過(guò)濾物質(zhì)尺寸

圖1.2膜分離過(guò)濾物質(zhì)尺寸膜分離法是以壓力為推動(dòng)力,依靠膜的選擇性,將液體中的組分進(jìn)行分離的方法。膜分離技術(shù)采用半透膜作為選擇膜,因而膜材料具有選擇性分離功能,利用膜的選擇性分離實(shí)現(xiàn)料液的不同組分的分離、純化。膜分離屬于物理過(guò)程,與傳統(tǒng)過(guò)濾不同,膜技術(shù)可以在分子范圍內(nèi)使物質(zhì)進(jìn)....


圖1.3濃差極化現(xiàn)現(xiàn)象示意圖

圖1.3濃差極化現(xiàn)現(xiàn)象示意圖

理響膜分離污染,孔是由濃差透過(guò)膜的的方式,劑透過(guò)膜度也越嚴(yán)層污染又是由于在素共同作分離效率膜性能的染。離技術(shù)廣泛孔堵塞污染差極化引起的溶質(zhì)在膜返回液體膜的推動(dòng)力嚴(yán)重。過(guò)濾又稱為外污在膜分離過(guò)作用下,吸率?锥氯淖兓煞簯(yīng)用的重要染和膜劣化。起的。由于膜膜前停滯下來(lái)體主流。膜面....


圖2.1顯示的碳圖2.1碳的碳的相圖和的能量示意圖

圖2.1顯示的碳圖2.1碳的碳的相圖和的能量示意圖

法為(HP石墨石成氣源在實(shí)學(xué)氣金剛工等2.1團(tuán)和面沉美國(guó)的G為高溫高壓PHT)即在1墨向金剛石成本過(guò)高,限源在天然金實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)氣相沉積(C剛石薄膜的等各個(gè)領(lǐng)域.1金剛石高溫?zé)峤夂湍軌蚩涛g沉積得到金GE公司最早壓法(HPHT),1800℃和五石相轉(zhuǎn)換,合限制了金剛金剛石襯底....



本文編號(hào):3896744

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