本文關(guān)鍵詞：《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》2006年度審稿專家名單

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【正文快照】： 《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》自1980年創(chuàng)刊以來,一直得到各位專家的支持和厚愛。承蒙各位專家在百忙中為《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》審稿,在此,我們表示真誠的謝意和崇高的敬意。以下是2005年12月~2006年11月為《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》審稿的專家名單(按漢語拼音順序排序),對(duì)他們?yōu)椤栋雽?dǎo)體學(xué)報(bào)》付出的辛勤勞動(dòng)

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 ;新聞分析:半導(dǎo)體廠清庫存Q4反攻[J];電子元器件應(yīng)用;2011年08期

2 ;安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充串行EEPROM產(chǎn)品陣容[J];電子與電腦;2011年07期

3 沈熙磊;;意法半導(dǎo)體將大幅提升MEMS產(chǎn)能[J];半導(dǎo)體信息;2011年03期

4 ;安森美半導(dǎo)體與Stegia共推超小型智能電機(jī)方案[J];電子與電腦;2011年07期

5 沈熙磊;;未來兩年芯片價(jià)格勢(shì)頭良好[J];半導(dǎo)體信息;2011年02期

6 ;美國國家半導(dǎo)體簡易有道 創(chuàng)新無限[J];電子技術(shù)應(yīng)用;2011年02期

7 鄭冬冬;;2010最受中國市場歡迎的半導(dǎo)體品牌發(fā)布[J];半導(dǎo)體信息;2011年02期

8 沈熙磊;;上海宏力半導(dǎo)體0.18微米低本高效OTP制程成功量產(chǎn)[J];半導(dǎo)體信息;2011年02期

9 江興;;臺(tái)灣審查開放陸資赴臺(tái)參股半導(dǎo)體及面板業(yè)[J];半導(dǎo)體信息;2011年02期

10 ;《半導(dǎo)體光電》稿約[J];半導(dǎo)體光電;2011年03期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 羅暢安;薛良金;;半導(dǎo)體制冷器件用于固體源頻漂[A];1989年全國微波會(huì)議論文集（上）[C];1989年

2 楊景安;;上海先進(jìn)半導(dǎo)體公司6”0．8μ集成電路生產(chǎn)線微環(huán)境裝置設(shè)計(jì)與使用小結(jié)[A];上海市制冷學(xué)會(huì)一九九七年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];1997年

3 徐彭壽;陸爾東;張發(fā)培;徐世紅;張新夷;趙特季;方容川;金曉峰;;國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室在半導(dǎo)體表面界面方面的研究進(jìn)展[A];中國真空學(xué)會(huì)科技進(jìn)步獎(jiǎng)（1994-2000）得獎(jiǎng)人員論文集[C];2000年

4 ;“半導(dǎo)體納米系統(tǒng)物理”研討會(huì)日程[A];Physics of Semiconductor Nano-systems--Proceedings of CCAST (World Laboratory) Workshop[C];2002年

5 祝敏;陸耀東;高玉萍;滿春陽;王如寶;;大功率高速半導(dǎo)體激光峰值功率測(cè)試技術(shù)研究[A];2005年中國光學(xué)學(xué)會(huì)全息與光學(xué)信息處理專業(yè)委員會(huì)年會(huì)暨建會(huì)20周年紀(jì)念會(huì)[C];2005年

6 曹俊誠;韓英軍;;太赫茲半導(dǎo)體量子級(jí)聯(lián)激光器研究[A];第十六屆全國半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

7 孫家龍;柴玉琦;韓有路;牛志強(qiáng);陳(豈頁);步云英;張玲;;半導(dǎo)體力敏元件用2″SOS材料研制[A];首屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];1992年

8 季剛;陳延學(xué);劉宜華;曹強(qiáng);宋紅強(qiáng);張?jiān)迄i;顏世申;梅良模;;利用復(fù)合磁性層實(shí)現(xiàn)自旋極化電子注入半導(dǎo)體的磁電特性研究[A];第四屆全國磁性薄膜與納米磁學(xué)會(huì)議論文集[C];2004年

9 ;中科院半導(dǎo)體所[A];集成電路配套材料研討會(huì)及參展資料匯編[C];2004年

10 李國華;韓和相;汪兆平;;In_xGa_(1-x)As,GaAs_(1-x)Sb_x和Ga_(1-x)In_xAs_ySb_(1-y)混晶半導(dǎo)體的喇曼散射研究[A];中國物理學(xué)會(huì)光散射專業(yè)委員會(huì)成立十周年暨第六屆學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（上）[C];1991年

中國重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 揮戈;海太半導(dǎo)體摘得韓國金獎(jiǎng)[N];無錫日?qǐng)?bào);2010年

2 王如晨;中芯國際上海12英寸芯片廠明年量產(chǎn)[N];第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào);2006年

3 周晏如 DigiTimes;首爾半導(dǎo)體量產(chǎn)40lm/W AC LED為全球首例[N];電子資訊時(shí)報(bào);2006年

4 楊春;Cartner：全球半導(dǎo)體規(guī)模可能持續(xù)下滑[N];電子資訊時(shí)報(bào);2008年

5 主講 王占國　整理 嘉星一族;沒有半導(dǎo)體，就沒有新生活[N];北京科技報(bào);2009年

6 周文;普華永道發(fā)布中國2009半導(dǎo)體行業(yè)報(bào)告[N];通信產(chǎn)業(yè)報(bào);2009年

7 SiliconLabs總裁兼CEO Necip Sayiner;半導(dǎo)體業(yè)緩慢復(fù)蘇[N];中國電子報(bào);2010年

8 實(shí)習(xí)生 王敏;新型半導(dǎo)體在線座談互動(dòng)平臺(tái)問世[N];科技日?qǐng)?bào);2009年

9 ;市場穩(wěn)步復(fù)蘇 半導(dǎo)體業(yè)尋求轉(zhuǎn)型[N];中國電子報(bào);2010年

10 微文;2008年度最受中國市場歡迎半導(dǎo)體品牌揭曉[N];中國電子報(bào);2009年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 郭汝海;InAs/GaAs自組裝量子點(diǎn)的應(yīng)變分布和電子結(jié)構(gòu)的理論研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2007年

2 梁建;新型結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的制備與表征[D];太原理工大學(xué);2005年

3 喻力華;新型功能材料的電子結(jié)構(gòu)和磁特性的第一性原理研究[D];華中科技大學(xué);2005年

4 楊義發(fā);脈沖激光沉積ZnO薄膜及其性質(zhì)研究[D];華中科技大學(xué);2008年

5 周幼華;脈沖激光沉積法制備β-FeSi_2半導(dǎo)體薄膜的研究[D];華中科技大學(xué);2007年

6 李香萍;ZnO薄膜的MOCVD制備及ZnO/Si發(fā)光器件研究[D];吉林大學(xué);2009年

7 李樹深;低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有效質(zhì)量理論[D];中國科學(xué)院研究生院（半導(dǎo)體研究所）;1996年

8 蔡純;Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體MQW平面波導(dǎo)光器件的研究[D];東南大學(xué);2004年

9 胡勇;形狀可控的金屬VIA族半導(dǎo)體的γ-射線輻射法合成[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2006年

10 劉海波;立方氮化硼單晶半導(dǎo)體特性及電致發(fā)光現(xiàn)象的研究[D];吉林大學(xué);2008年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 何月華;半導(dǎo)體行業(yè)MES的研究與應(yīng)用[D];上海交通大學(xué);2007年

2 劉紹軍;采用Fokker-Planck方程研究半導(dǎo)體的非平衡相變[D];北京師范大學(xué);1988年

3 張建兵;InP膠體量子點(diǎn)的合成及表征[D];華中科技大學(xué);2006年

4 張國敬;半導(dǎo)體雙極QHD模型的整體解及其大時(shí)間性態(tài)[D];東北師范大學(xué);2005年

5 馬海江;太赫茲電磁輻射增強(qiáng)特性的理論研究[D];浙江大學(xué);2006年

6 高勇;半導(dǎo)體材料科學(xué)中的漂移擴(kuò)散模型和流體動(dòng)力學(xué)模型分析[D];河南大學(xué);2004年

7 李慕榮;數(shù)值CV方法的研究與SDB硅膜厚度的測(cè)量[D];合肥工業(yè)大學(xué);2004年

8 田驍;半導(dǎo)體激光誘導(dǎo)液膜浸潤刻蝕技術(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2008年

9 金彬;利用光泵浦THz脈沖探測(cè)技術(shù)研究半導(dǎo)體超快載流子動(dòng)力學(xué)[D];首都師范大學(xué);2009年

10 陳明;半導(dǎo)體納米材料合成、表征和性能研究[D];南京航空航天大學(xué);2007年

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