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【雜志簡(jiǎn)介】
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》是南京電子器件研究所主辦的全國(guó)性學(xué)術(shù)期刊（雙月刊），向國(guó)內(nèi)外公開(kāi)發(fā)行。辦刊宗旨是面向21世紀(jì)固體物理和微電子學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新性學(xué)術(shù)研究�？堑膬�(nèi)容為：無(wú)機(jī)和有機(jī)固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術(shù)、固體光電和電光轉(zhuǎn)換、有機(jī)發(fā)光器件（OLED）和有機(jī)微電子技術(shù)、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學(xué)技術(shù)報(bào)告和學(xué)術(shù)論文，論文和研究報(bào)告反映國(guó)家固體電子學(xué)方面的科技水平。
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中國(guó)期刊方陣“雙效”期刊
江蘇省第六屆優(yōu)秀期刊
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【雜志范例】

2015年04期
1 氧等離子體處理對(duì)薄勢(shì)壘增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT的影響  王哲力;周建軍;孔月嬋;孔岑;董遜;楊洋;陳堂勝;  307-310+345
2 短溝道三材料柱狀圍柵MOSFET的解析模型  趙青云;于寶旗;蘇麗娜;顧曉峰;  311-316+365
3 柱形量子點(diǎn)中量子比特的消相干時(shí)間  姜福仕;李巖;  317-320
4 S波段280W GaN內(nèi)匹配功率管的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)  姚實(shí);唐世軍;任春江;錢(qián)峰;  321-324+391
5 L波段高增益功放模塊設(shè)計(jì)  楊斌;林川;高群;  325-328
6 應(yīng)用于IEEE 802.11 ac的高線(xiàn)性InGaP/GaAs HBT功率放大器  鄭耀華;鄭瑞青;林俊明;陳思弟;章國(guó)豪;  329-333
7 基于HBT工藝的北斗手持終端功率放大器設(shè)計(jì)  陳思弟;鄭耀華;章國(guó)豪;  334-339
8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J類(lèi)功率放大器  鄭瑞青;鄭耀華;章國(guó)豪;  340-345
9 WIFI用砷化鎵多功能收發(fā)芯片設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)  李娜;葉建軍;楊磊;  346-351
10 一種高集成射頻接收前端  黃貞松;宋艷;許慶;楊磊;  352-356
11 X波段8路波導(dǎo)功分器/合成器  周巧儀;崔富義;馬福軍;  357-359+397
12 基于階梯阻抗諧振器的雙頻微帶帶通濾波器設(shè)計(jì)  李紫怡;楊維明;朱星宇;彭菊紅;張偉;  360-365
13 圖形化襯底對(duì)GaN基LED電流與發(fā)光特性的影響  李麗莎;閆大為;管婕;楊國(guó)鋒;王福學(xué);肖少慶;顧曉峰;  366-370
14 高壓LDMOS擊穿電壓退化機(jī)理研究  金鋒;徐向明;寧開(kāi)明;錢(qián)文生;王惠惠;鄧彤;王鵬飛;張衛(wèi);  371-376
15 紅外讀出電路中低功耗列讀出級(jí)電路的設(shè)計(jì)  沈玲羽;龐屹林;范陽(yáng);夏曉娟;吉新村;郭宇鋒;  377-382
16 TVS二極管標(biāo)稱(chēng)參數(shù)與靜電放電防護(hù)能力研究  郭瑤;徐曉英;葉宇輝;高兵生;  383-387
17 高平整度GaN HEMT歐姆接觸工藝  陳韜;蔣浩;陳堂勝;  388-391
18 蓋板結(jié)構(gòu)對(duì)外殼密封可靠性影響的有限元分析  郭懷新;程凱;胡進(jìn);王子良;  392-397
19 低溫共燒陶瓷共燒焊盤(pán)可焊接性研究  嚴(yán)蓉;戴雷;曹常勝;  398-402
20 鋁合金微波組件激光密封技術(shù)研究  田飛飛;陳以鋼;汪宇;周亞;  403-408

2015年03期
1 GaN HFET中的陷阱和局域電子氣  薛舫時(shí);  207-216
2 GaN HEMT微波功率管直流和射頻加速壽命試驗(yàn)  楊洋;徐波;賈東銘;蔣浩;姚實(shí);陳堂勝;錢(qián)峰;  217-220+252
3 100A/1200V Si/SiC混合模塊對(duì)比研究（英文）  曹琳;王富珍;  221-226
4 平面石墨烯納米帶隧穿場(chǎng)效應(yīng)管理論設(shè)計(jì)  趙磊;呂亞威;常勝;王豪;黃啟俊;何進(jìn);  227-230+240
5 基于憶阻器的Simulink模型及其特性分析  段飛騰;崔寶同;  231-235
6 0.15μm Y型柵高In溝道GaAs PHEMT低噪聲器件設(shè)計(jì)  韓克鋒;黃念寧;吳少兵;秦桂霞;  236-240
7 帶數(shù)字驅(qū)動(dòng)的高集成2～18GHz時(shí)延放大多功能MMIC  潘曉楓;李建平;李小鵬;彭建業(yè);  241-245
8 SOI和pHEMT雙刀五擲開(kāi)關(guān)對(duì)比設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)  張志浩;黃亮;余凱;章國(guó)豪;  246-252
9 一種UHF RFID標(biāo)簽低功耗物理設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)  王成龍;張萬(wàn)榮;萬(wàn)培元;祝雪菲;王樹(shù)甫;  253-258
10 超小型、高性能L波段LTCC濾波器設(shè)計(jì)  祁高品;  259-262
11 一種毫米波表貼型外殼的微波設(shè)計(jì)  李永彬;龐學(xué)滿(mǎn);胡進(jìn);王子良;程凱;  263-266
12 一種提高硅基OLED微顯示器對(duì)比度的像素電路  楊淼;張白雪;陳建軍;曹允;  267-271+283
13 新型圖形化三埋層SOI LDMOS高壓器件  高迎霞;孫秀婷;盧智嘉;孟納新;  272-276
14 適用于兩級(jí)流水線(xiàn)逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器的LMS校準(zhǔn)算法（英文）  郭東東;程旭;曾曉洋;  277-283
15 面向AD9222的SPI模塊設(shè)計(jì)  周雪榮;葉凡;任俊彥;  284-288+295
16 基于無(wú)源RFID的集成加速度傳感器設(shè)計(jì)  劉茂旭;何怡剛;鄧芳明;陳歡;李得民;  289-295
17 基于DSP和FPGA的短波功放數(shù)字預(yù)失真算法實(shí)現(xiàn)  郭雅琴;葉焱;劉太君;李先印;程琪榕;  296-299
18 芯片粘接空洞的超聲檢測(cè)工藝研究  周慶波;王曉敏;  300-305
19 征稿啟事   306
20 芯片級(jí)原子鐘堿金屬吸收泡  黃旼;朱健;石歸雄;曹遠(yuǎn)洪;王文軍;  307

2013年 第3期目錄
寬禁帶半導(dǎo)體
(205)GaN HFET溝道層中的慢輸運(yùn)電子態(tài)和射頻電流崩塌
薛舫時(shí)
(211)氮鈍化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究
劉沙沙 秦福文 朱巧智 劉冰冰 湯斌 王德君
(215)0.15μm GaN HEMT及其應(yīng)用
任春江 陶洪琪 余旭明 李忠輝 王泉慧 王雯 陳堂勝 張斌
(220)4500V碳化硅肖特基二極管研究
黃潤(rùn)華 李理 陶永洪 劉奧 陳剛 李赟 柏松 栗銳 楊立杰 陳堂勝
(224)高壓SiC JFET研究進(jìn)展
陳剛 柏松 李赟 陶然 劉奧 楊立杰 陳堂勝
器件物理與器件模擬
(228)非對(duì)稱(chēng)HALO-LDD摻雜石墨烯納米條帶場(chǎng)效應(yīng)管的電學(xué)特性研究
蔣嗣韜 肖廣然 王偉
(237)量子環(huán)中電子的激發(fā)能量和躍遷譜線(xiàn)頻率
姜福仕 趙翠蘭
射頻與微波
(240)高功率密度高效率28V GaAs PHEMT技術(shù)
林罡 陳堂勝
(244)高效率高線(xiàn)性度功率放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
南敬昌 方楊 李厚儒
(249)Ka波段上變頻組件設(shè)計(jì)
孔斌 陳俊羽 詹銘周 趙偉 徐銳敏
(254)一種具有溫度補(bǔ)償?shù)膶拵MOS可變?cè)鲆娣糯笃?br /> 黃杏麗 秦希 秦亞杰 黃煜梅 洪志良
(260)一種共面波導(dǎo)饋電的超寬頻天線(xiàn)研究
吳毅強(qiáng) 胡少文 張燁 羅斌 周輝林
(F0003)51級(jí)E／D模A1GaN／GaNHEMT集成環(huán)形振蕩器
孔月嬋 周建軍 孔岑 董遜 張有濤 陸海燕 陳堂勝
射頻與微波
(266)9～11GHz數(shù)字控制LC振蕩器
劉雋人 江晨 黃煜梅 洪志良
(271)應(yīng)用于全數(shù)字發(fā)射機(jī)的射頻信號(hào)發(fā)生器
馬志威 趙陽(yáng) 彭振飛 劉洋 洪志良
材料與工藝
(276)退火時(shí)間對(duì)SiC熱解法制備石墨烯薄膜的影響
李赟 尹志軍 趙志飛 朱志明 陸東賽 李忠輝
(280)低漏電、高擊穿電容的HDPCVD工藝研究
劉海琪 王泉慧 栗銳 任春江 陳堂勝
硅微電子學(xué)
(284)0.18μm RF CMOS雙向可控硅ESD防護(hù)器件的研究
柯逸辰 梁海蓮 顧曉峰 朱兆旻 董樹(shù)榮
(289)具有T型電荷補(bǔ)償區(qū)的橫向超結(jié)SOILDMOS
王文廉
(294)應(yīng)用于片上ESD防護(hù)中新式直通型MOS觸發(fā)SCR器件的研究
鄭劍鋒 馬飛 韓雁 梁海蓮 董樹(shù)榮 吳健
(300)一種適用于MEMS麥克風(fēng)的新型恒壓電荷泵設(shè)計(jì)
張文杰 楊鳳 段杰斌 謝亮 金湘亮

2014年1期

1 磁場(chǎng)對(duì)二維量子點(diǎn)兩電子系統(tǒng)自旋極化態(tài)能級(jí)的影響  烏云其木格;辛偉;額爾敦朝魯;  1-5    

2 柱形量子點(diǎn)中強(qiáng)耦合極化子的性質(zhì)  馬新軍;姜福仕;  6-8    

3 有機(jī)薄膜晶體管直流電流-電壓模型研究  張玲瓏;滕支剛;鐘傳杰;  9-12+28    

4 Ⅲ-Ⅴ族HBT小信號(hào)模型直接提取方法  王儲(chǔ)君;錢(qián)峰;項(xiàng)萍;鄭惟彬;  13-17    

5 RTD串聯(lián)電阻和峰值電壓隨溫度變化的測(cè)量與分析  郭維廉;郭琦鵬;謝生;管坤;趙帆;張世林;王伊鈿;毛陸虹;  18-23    

6 用于DRFM的4 bit相位量化DAC  張敏;張有濤;李曉鵬;陳新宇;楊磊;  24-28    

7 E/D GaAs PHEMT多功能MMIC設(shè)計(jì)  劉石生;彭龍新;潘曉楓;沈宏昌;  29-34+40    

8 一種新型有源預(yù)失真單片集成電路設(shè)計(jì)  張奇;王文斌;陶洪琪;張斌;  35-40    

9 S波段150W GaN內(nèi)匹配功率放大器  楊興;鐘世昌;錢(qián)峰;  41-45    

10 RF LDMOS器件與高效率功率放大器設(shè)計(jì)  鄭云飛;王一哲;張小苗;羅玲;曾大杰;宋賀倫;  46-49    

11 一種低功耗全差分交叉耦合環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)  程凱;賴(lài)松林;程樹(shù)英;林培杰;章杰;  50-55    

12 2014年《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》征訂通知   55    

13 X波段低相噪細(xì)步進(jìn)頻率合成器的研制  王川宇;潘碑;丁玉寧;  56-59    

14 基于分頻器的開(kāi)關(guān)濾波器組件的設(shè)計(jì)  魏然;朱臣偉;錢(qián)興成;  60-64    

15 用于多模多頻射頻前端的單刀八擲SOI天線(xiàn)開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)  陳磊;趙鵬;崔杰;康春雷;史佳;牛旭;劉軼;  65-68+100    

16 溫度對(duì)懸臂梁靜電驅(qū)動(dòng)RF-MEMS開(kāi)關(guān)性能的影響  張沛然;朱健;姜理利;  69-74    

17 征稿啟事   74    

18 夾斷電壓可調(diào)的高壓結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管  聶衛(wèi)東;朱光榮;易法友;于宗光;  75-80    

19 1700V/100A平面型NPT-IGBT靜態(tài)特性研究  高明超;劉雋;趙哿;劉江;金銳;于坤山;包海龍;  81-85    

20 一種快速啟動(dòng)低噪聲片上電源  楊少丹;陰亞?wèn)|;劉韻清;  86-89  

21 一種低功耗射頻無(wú)線(xiàn)收發(fā)芯片基帶控制器  劉韻清;陰亞?wèn)|;張玢;楊少丹;  90-94    

22 基于基準(zhǔn)源提出的一種環(huán)路穩(wěn)態(tài)分析方法  王敏;何洋;原義棟;  95-100    

23 千瓦級(jí)LDMOS大功率器件研制  王佃利;李相光;嚴(yán)德圣;應(yīng)賢煒;丁曉明;梅海;劉洪軍;蔣幼泉;  101  

2014年2期

1 短溝道雙柵MOSFET的亞閾值特性分析  朱兆旻;王睿;趙青云;顧曉峰;  101-105    

2 氮化鎵基高電子遷移率晶體管柵電流輸運(yùn)機(jī)制研究  焦晉平;任艦;閆大為;顧曉峰;  106-110    

3 1200V溝槽柵/平面柵場(chǎng)截止型IGBT短路耐量特性研究  陳天;楊曉鸞;季順黃;  111-119    

4 憶阻-電容等效憶感器的有源回轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)及其特性仿真  曹新亮;  120-123+178    

5 1.21.4GHz370W硅雙極型晶體管研制  劉洪軍;王建浩;丁曉明;高群;馮忠;庸安明;嚴(yán)德圣;蔣幼泉;  124-128    

6 2.14GHzGaN-HEMT脈沖功率放大器設(shè)計(jì)  姚銀華;  129-135+191    

7 三級(jí)Doherty功率放大器的研究  南敬昌;方楊;李厚儒;  136-141    

8 基于CMOSSOI工藝的射頻開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)  蔣東銘;陳新宇;許正榮;張有濤;  142-145+162    

9 基于階梯阻抗hair-pin諧振器的X波段振蕩器的設(shè)計(jì)  李博瓊;楊浩;路永鋼;  146-151    

10 表貼式MMIC高密度封裝外殼微波特性設(shè)計(jì)  徐利;曹坤;李思其;王子良;  152-156+196    

11 實(shí)現(xiàn)色溫自動(dòng)控制的白光LED照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)  李毓欽;陳長(zhǎng)纓;王媛;劉平宇;魏其鋒;  157-162    

12 基于紅白藍(lán)模式色溫可調(diào)的LED照明系統(tǒng)  劉平宇;陳長(zhǎng)纓;張浩;李毓欽;蔡蓉;  163-169    

13 征稿啟事   169    

14 嵌入式非平衡超結(jié)LDMOST  王文廉;王玉;張晉文;  170-173    

15 快閃存儲(chǔ)器閾值電壓分布讀取和修正方法  謝南;伍冬;劉輝;高岑岑;潘立陽(yáng);  174-178    

16 簡(jiǎn)化4T像素結(jié)構(gòu)CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)  趙秋衛(wèi);李曉宇;  179-183    

17 基于101.6mm(4英寸)砷化鎵晶圓的130nm光刻工藝研究  蔡利康;彭勁松;高建峰;  184-187    

18 SF6和CHF3混合氣體各向異性刻蝕WN研究  庸安明;王佃利;蔣幼泉;  188-191    

19 低溫共燒陶瓷翹曲度改進(jìn)工藝研究  嚴(yán)蓉;戴雷;曹常勝;  192-196    

20 Si腐蝕工藝的優(yōu)化  呂勇;王佃利;盛國(guó)興;蔣幼泉;  197-200  

21 基于外延層轉(zhuǎn)移的GaAs PIN與Si異構(gòu)集成技術(shù)  趙巖;程偉;吳立樞;吳璟;石歸雄;黃子乾;  201  

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