本文關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體技術(shù)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

半導(dǎo)體技術(shù)

該刊雜志/雜志社簡介：

    半導(dǎo)體技術(shù)雜志是由中華人民共和國新聞出版總署、正式批準(zhǔn)公開發(fā)行的優(yōu)秀期刊。自創(chuàng)刊以來，以新觀點(diǎn)、新方法、新材料為主題，堅持"期期精彩、篇篇可讀"的理念。半導(dǎo)體技術(shù)內(nèi)容詳實(shí)、觀點(diǎn)新穎、文章可讀性強(qiáng)、信息量大，眾多的欄目設(shè)置，半導(dǎo)體技術(shù)公認(rèn)譽(yù)為具有業(yè)內(nèi)影響力的雜志之一。半導(dǎo)體技術(shù)并獲中國優(yōu)秀期刊獎，現(xiàn)中國期刊網(wǎng)數(shù)據(jù)庫全文收錄期刊。
    《半導(dǎo)體技術(shù)》（月刊）創(chuàng)刊于1976年，是由信息產(chǎn)業(yè)部主管，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、半導(dǎo)體專業(yè)情報網(wǎng)、中電科技集團(tuán)公司十三所主辦，業(yè)內(nèi)權(quán)威的國家一級刊物之一。它以嚴(yán)謹(jǐn)風(fēng)格，權(quán)威著述，在業(yè)內(nèi)深孚眾望，享譽(yù)中外，對我國半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展發(fā)揮了積極作用�！跋蜃x者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場”，是《半導(dǎo)體技術(shù)》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務(wù)第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。
    《半導(dǎo)體技術(shù)》《半導(dǎo)體技術(shù)》是中文核心期刊、中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊、中國期刊網(wǎng)、中國學(xué)術(shù)期刊(光盤版)全文收錄期刊、美國《劍橋科學(xué)文摘》、英國《SA,INSPEC》、和俄羅斯《AJ》來源期刊、中國學(xué)術(shù)期刊綜合評價數(shù)據(jù)庫來源期刊、中國科技論文統(tǒng)計源期刊，河北省優(yōu)秀期刊。

該刊被以下數(shù)據(jù)庫收錄：

《半導(dǎo)體技術(shù)》不斷發(fā)展壯大，現(xiàn)已經(jīng)成為國內(nèi)外有一定地位的學(xué)術(shù)性刊物：
1、收錄情況：
國家新聞出版總署收錄、中國知網(wǎng)收錄、維普期刊網(wǎng)收錄、萬方數(shù)據(jù)庫收錄
CA化學(xué)文摘(美)(2011)、SA科學(xué)文摘(英)(2011)、Pж(AJ)文摘雜志(俄)收錄
JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、劍橋科學(xué)文摘社ProQeust數(shù)據(jù)庫收錄
中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊、《物理學(xué)、電技術(shù)、計算機(jī)及控制信息數(shù)據(jù)庫》
2、統(tǒng)計源期刊：
中國科技論文統(tǒng)計源期刊(中國科技核心期刊)
3、核心期刊：
(1)北大核心期刊：
中文核心期刊(2011)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(1992)
(2)CSCD 核心期刊
4、數(shù)據(jù)：
DC數(shù)據(jù)、MARC數(shù)據(jù)
5、圖書館藏：
國家圖書館館藏、上海圖書館館藏
6、期刊榮譽(yù)：
河北省優(yōu)秀期刊
Caj-cd規(guī)范獲獎期刊
中國科技論文統(tǒng)計用刊
7、偏重的研究方向：
信息科學(xué)、半導(dǎo)體科學(xué)與信息器件、集成電路制造與封裝
工程與材料、熱物性與熱物理測試技術(shù)、工程熱物理與能源利用

半導(dǎo)體技術(shù)雜志主要欄目：

趨勢與展望、專題報道、應(yīng)用長廊、設(shè)計與開發(fā)、支撐技術(shù)、新品推薦

半導(dǎo)體技術(shù)編輯部投稿聯(lián)系方式：

地址：石家莊市合作路113號
郵政編碼：050051
電話：0311-87091339
電子郵件：informax@heinfo.net

半導(dǎo)體技術(shù)雜志社已發(fā)表論文目錄：

基于AD7150微位移電容傳感器的研究黃林，陳向東，謝寧寧，李曉鈺
LED熱學(xué)性能測試方法的研究綜述黃元昊，楊連喬，張建華
GaAs10bitDAC的抗輻射設(shè)計和實(shí)驗(yàn)田國平，吳洪江，朱思成
一種高效時鐘樹綜合實(shí)現(xiàn)方法鄧堯之，萬培元，劉世勛，林平分
高密度集成與單芯片多核系統(tǒng)及其研究進(jìn)展李東生，高明倫
固態(tài)微波毫米波、太赫茲器件與電路的新進(jìn)展(續(xù))趙正平
固態(tài)微波毫米波、太赫茲器件與電路的新進(jìn)展趙正平
GaN薄膜的橢偏光譜研究余養(yǎng)菁，張斌恩，李孔翌，姜偉，李書平，康俊勇
甚短距離光互連模塊技術(shù)的發(fā)展動態(tài)李言勝，吉愛國，聶廷遠(yuǎn)
小型化三維發(fā)夾型LTCC寬帶帶通濾波器趙永志，王紹東，吳洪江
堿性Cu化學(xué)機(jī)械拋光液性能研究何彥剛，王家喜，甘小偉，李偉娟，劉玉嶺
IGBT關(guān)斷瞬態(tài)電壓尖峰影響及抑制汪波，胡安，陳明，唐勇
Ta2O5高k介電薄膜的制備及其電學(xué)性質(zhì)的研究陳勇躍，程佩紅，黃仕華
表面注入D-RESURF器件耐壓模型李琦，王衛(wèi)東，張楊，張法碧
大功率激光器陣列光場分布測試方法的研究王曉燕，沈牧，任永學(xué)，程義濤
基本周期對一維復(fù)周期光子晶體禁帶的影響程陽
GaN基板上超薄陽極氧化鋁的制備王新中，于廣輝，李世國
InP單晶的磁光和熱電效應(yīng)潘靜，李曉嵐，楊瑞霞，孫聶楓
NPB厚度對堆疊式白光OLED性能的影響劉丁菡，張方輝，閻洪剛，蔣謙
濕熱對PoP封裝可靠性影響的研究劉海龍，楊少華，李國元
LED受ESD沖擊前后性能的變化分析陸海泉，李抒智，楊衛(wèi)橋，嚴(yán)偉
輻照對PDSOIRFMOS體接觸結(jié)構(gòu)器件性能的影響劉夢新，劉剛，，韓鄭生
低壓力Cu布線CMP速率的研究劉海曉，劉玉嶺，劉效巖，李暉，王辰偉
模-數(shù)-差信號發(fā)生器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)寧敏東，寧寧，王松德，張栓記
AAO模板的濕法刻蝕研究胡國鋒，張海明，邸文文，李育潔，高波，朱彥君
ZnO:Ga透明電極LED的制備及性能分析王書方，張建華，李喜峰
基于表面勢的HEMT模型分析呂彬義，孫玲玲，孔月嬋，陳辰，劉軍，陳磊
單晶Si太陽能電池工藝仿真與性能分析孫玲，羅向東，常志強(qiáng)
InGaAs/InP材料的MOCVD生長研究劉英斌，林琳，陳宏泰，趙潤，鄭曉光
讀卡器末級功率放大器的設(shè)計與實(shí)現(xiàn)南敬昌，梁立明，劉影

半導(dǎo)體技術(shù)雜志社投稿須知：

1、文章標(biāo)題要簡短，能概括中心思想，一般不超過20個漢字，必要時加副標(biāo)題
2、正文應(yīng)層次清楚，行文規(guī)范，方便閱讀，字?jǐn)?shù)一般以2500-8000字為宜，重要稿件可不受此限制
3、題目下面均應(yīng)寫作者姓名、單位名稱、所在城市、郵編，多位作者分別列出上述信息
4、來稿必須附有100-300字的內(nèi)容摘要和3－5個關(guān)鍵詞
5、如文章獲得基金項(xiàng)目資助，以[基金項(xiàng)目]作為標(biāo)識，并注明基金項(xiàng)目名稱和編號
6、正文中圖表主要是文字難以表達(dá)清楚的內(nèi)容，圖表應(yīng)設(shè)計合理，先后分別給出圖表序號
7、來稿請注明姓名、性別、籍貫、出生年月、學(xué)歷、職稱、工作單位、聯(lián)系電話、詳細(xì)郵寄地址
8、希望作者投稿時務(wù)必將以上要素補(bǔ)充完整、以減輕編輯部的后期工作負(fù)擔(dān)，謝謝合作！
8、編輯部有權(quán)對稿件進(jìn)行修刪，不同意請在稿件中聲明
9、請勿一稿多投，發(fā)現(xiàn)一稿多投者，一切不良后果由作者承擔(dān)
10、半導(dǎo)體技術(shù)雜志錄用通知書為信件版，發(fā)放通知書采用快遞、請詳細(xì)寫出收信地址
11、若不能被錄用，恕不退稿，請作者自留底稿，不同意上述稿件處理方式的作者請轉(zhuǎn)投他刊
12、本站并非半導(dǎo)體技術(shù)雜志社和半導(dǎo)體技術(shù)編輯部官方網(wǎng)站
13、若向該刊投稿，請直接與半導(dǎo)體技術(shù)雜志社編輯部聯(lián)系

關(guān)鍵詞閱讀：

延伸閱讀：

  本文關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體技術(shù)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。