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吉林大學(xué)_西南交通大學(xué)_TB功能材料與器件學(xué)報(bào)雜志社編輯部

發(fā)布時(shí)間:2016-08-25 03:20

  本文關(guān)鍵詞:功能材料與器件學(xué)報(bào),由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


功能材料與器件學(xué)報(bào)雜志社/雜志簡(jiǎn)介 《功能材料與器件學(xué)報(bào)》(雙月刊)于1995年創(chuàng)刊,是由中國(guó)材料研究學(xué)會(huì)和中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所共同主辦的全國(guó)性學(xué)術(shù)期刊。讀者對(duì)象為功能材料與器件領(lǐng)域的科研工作者、工程技術(shù)人員和高等學(xué)校師生。

《功能材料與器件學(xué)報(bào)》主要刊登反映功能材料與器件領(lǐng)域中具有創(chuàng)新性的科研成果和應(yīng)用技術(shù)進(jìn)展的論文、簡(jiǎn)報(bào)、綜述和消息。來(lái)稿可以涉及功能材料的制備、加工、性能和應(yīng)用,以及功能器件的原理、工藝和性能等等,具體可以包括下列領(lǐng)域:微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、微電子和光電子材料與器件、薄膜材料與器件、納米材料與器件、智能材料與器件、傳感器和傳感器材料、金剛石薄膜及應(yīng)用、磁性和磁光電材料、鐵電材料、生物材料、高溫超導(dǎo)材料等。 功能材料與器件學(xué)報(bào)收錄情況/影響因子 國(guó)家新聞出版總署收錄 維普網(wǎng)、萬(wàn)方數(shù)據(jù)庫(kù)、知網(wǎng)數(shù)據(jù)庫(kù)、文摘雜志、化學(xué)文摘(網(wǎng)絡(luò)版)、日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)中國(guó)文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)收錄

1、中文核心期刊:

2004-2011年連續(xù)3屆中文核心期刊(中文核心期刊(2004)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2011))

2、中國(guó)科技論文統(tǒng)計(jì)源期刊(中國(guó)科技核心期刊)

3、CSCD中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)源期刊(2013-2014年度)(含擴(kuò)展版)

4、數(shù)據(jù):MARC數(shù)據(jù)、DC數(shù)據(jù)

5、圖書(shū)館藏:國(guó)家圖書(shū)館館藏、上海圖書(shū)館館藏

6、影響因子:

截止2014年萬(wàn)方:影響因子:0.203;總被引頻次:279

截止2014年知網(wǎng):復(fù)合影響因子:0.314;綜合影響因子:0.193

7、功能材料與器件學(xué)報(bào)榮譽(yù):

美國(guó)Ei,美國(guó)CA,英國(guó)SA,俄羅斯PЖ的文獻(xiàn)源期刊

中國(guó)科技論文統(tǒng)計(jì)源期刊

中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)源期刊

中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)源期刊

8、偏重的研究方向:工程與材料、分析化學(xué)、半導(dǎo)體材料、無(wú)機(jī)非金屬材料、醫(yī)藥科學(xué)、影像醫(yī)學(xué)與生物醫(yī)學(xué)工程、用于檢測(cè)、分析、成像及治療的醫(yī)學(xué)器件和儀器、金屬材料、金屬基復(fù)合材料、化學(xué)科學(xué)

9、投稿錄用比例:100%

10、審稿速度:平均4.5個(gè)月的審稿周期 功能材料與器件學(xué)報(bào)欄目設(shè)置 綜述、論文、簡(jiǎn)報(bào)、進(jìn)展、消息。 功能材料與器件學(xué)報(bào)編輯部/雜志社投稿須知 1、來(lái)稿要求內(nèi)容新穎,論點(diǎn)明確,數(shù)據(jù)可靠,條理清晰,文字精練,并注意保守機(jī)密(稿件保密審核由作者單位負(fù)責(zé),本刊只要求出示證明)。本刊同時(shí)接受中、英文稿件。

2、來(lái)稿請(qǐng)于首頁(yè)末行附第一作者簡(jiǎn)介:姓名(出生年-),性別(民族注:漢族可省略),籍貫,職稱,學(xué)位,簡(jiǎn)歷及研究方向(可選)。

3、來(lái)稿應(yīng)包括:文題、作者、作者單位、中文摘要、關(guān)鍵詞、中圖分類號(hào)、基金項(xiàng)目、作者簡(jiǎn)介、正文、參考文獻(xiàn)、英文摘要(題目、作者、單位、摘要、關(guān)鍵詞)等。文稿包括圖、表及參考文獻(xiàn)在內(nèi),以不超過(guò)6000字為宜。圖、表題需同時(shí)用中、英文說(shuō)明,圖注請(qǐng)使用英文。

4、論文摘要應(yīng)包括下列信息:目的、方法及結(jié)果。內(nèi)容要求具體化、量化,篇幅一般為100~300個(gè)字(中文)或150~200個(gè)單詞(英文)。稿件中標(biāo)題不宜超過(guò)四級(jí),量、單位和符號(hào)一律按中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)(GB3100~3102-93)規(guī)定書(shū)寫(xiě)。物理量符號(hào)一律用斜體,單位用正體,圖中物理量名稱與單位之間用斜杠隔開(kāi),如P/kPa。

5、文中圖和照片只附最必要的,曲線用白底黑線精繪,圖和照片的寬度(包括數(shù)字和坐標(biāo)名稱)宜控制在7.4cm以下,高度和寬度保持比例協(xié)調(diào)。圖上的文字需清晰可見(jiàn),圖、表宜位于稿中相應(yīng)文字后的小段落間,不要集中附于文后。文中照片應(yīng)為層次清晰的正片。

6、參考文獻(xiàn)具體引用格式如下:

期刊

[序號(hào)]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名[J].刊名,年,卷(期):起止頁(yè)碼.

專著、論文集、學(xué)位論文、報(bào)告

[序號(hào)]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名.出版地:出版者,出版年.起止頁(yè)碼(可選).

論文集的析出文獻(xiàn)

[序號(hào)]析出文獻(xiàn)主要責(zé)任者.析出文獻(xiàn)題名[A].原文獻(xiàn)主要責(zé)任者(可選).原文獻(xiàn)題名[C].出版地:出版者,出版年.析出文獻(xiàn)起止頁(yè)碼.
注:參考文獻(xiàn)需引用已錄用待發(fā)表的文章時(shí),必須注明刊物名稱。

7、切勿一稿兩投,本刊編輯部會(huì)在三個(gè)月內(nèi)給作者以書(shū)面回復(fù)。三個(gè)月后,作者有權(quán)改投它刊。在此之前,一稿多投,后果自負(fù)。來(lái)稿一經(jīng)刊登,本刊即按規(guī)定支付稿。 功能材料與器件學(xué)報(bào)同類優(yōu)質(zhì)期刊(排名不分先后)


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4.什么是國(guó)家級(jí)、省級(jí)、核心期刊

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5.一般多長(zhǎng)時(shí)間?

答:根據(jù)客戶的要求和選擇的期刊類型不同,而且編輯部也有審稿、發(fā)稿等時(shí)間安排,一般是1-4個(gè)月見(jiàn)刊,不排除有更長(zhǎng)久的時(shí)間,建議有需求的用戶一般提前2個(gè)月就開(kāi)始提交業(yè)務(wù)比較理想。

6.我可以隨時(shí)跟蹤進(jìn)展情況嗎?

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7.是否可以真的做到100%?

答:一般來(lái)說(shuō),可以做到98%以上,如果編輯手里的文章已經(jīng)比較多的時(shí)候,就會(huì)推遲一些。該期刊特別忙的話,在征得客戶你的同意后,可以免費(fèi)更換同級(jí)期刊。

8.可以通過(guò)那些方式付款?

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功能材料與器件學(xué)報(bào)》論文范例
  高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的研制及其同軸型濾波器的仿真羅春婭 黎慧 顧豪爽 馬智超 胡明哲 (299)
二氧化釩微測(cè)輻射熱計(jì)的制備及工藝王利霞 何秀麗 高曉光 (305)
短溝道n-MOSFET亞閾值電流模擬計(jì)算分析王洪濤 王茺 胡偉達(dá) 楊洲 熊飛 楊宇 (311)
高度取向的(Pb0.5Sr0.5)TiO3/LaNiO3異質(zhì)結(jié)構(gòu)鐵電薄膜性能程鐵棟 楊麗榮 唐新桂 易見(jiàn)兵 (316)
應(yīng)變硅的應(yīng)變量表征技術(shù)段寶興 楊銀堂 (323)
Ni摻雜ZnO晶體的制備及紅外光譜特性趙俊鋒 陳建華 陳文華 沈曉冬 陸春華 (329)
隔離器用羰基鐵系微波吸收材料的硅烷偶聯(lián)劑改性王向楠 彭承敏 徐光亮 李揚(yáng)興 鄧曉東 (335)
PDP用高亮度(Y,Gd)BO3:Tb3+綠色熒光粉的合成楊溦 唐宏科 劉銓鈴 蔡步軍 (341)
退火溫度及存儲(chǔ)對(duì)輻照后VDMOS參數(shù)恢復(fù)特性影響單尼娜 呂長(zhǎng)志 李志國(guó) 張小玲 郭春生 朱春節(jié) (347)
ZAO包覆SmBO3納米復(fù)合粒子的制備李永梅 沈曉冬 崔升 (353)
硼碳氮薄膜的脈沖激光沉積及其光學(xué)性能楊瓊 王傳彬 章嵩 張東明 沈強(qiáng) 張聯(lián)盟 (358)
無(wú)水乙醇對(duì)雙層油酸包覆結(jié)構(gòu)中物理吸附層的影響楊坤 彭華備 文玉華 (363)
非晶Fe78Si9B13合金涂層及涂層對(duì)磁性能的影響馬國(guó)俊 郭彥宏 支起錚 何開(kāi)元 (369)
簡(jiǎn)報(bào)
考慮自熱效應(yīng)的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管建模與仿真姜霞 趙正平 張志國(guó) 駱新江 楊瑞霞 馮志紅 (374)
MnZn鐵氧體/FeSiAl粉末復(fù)合體磁芯的制備及其高頻EMI抑制性能李鳳輝 王群 唐章宏 (379)
EMC材料參數(shù)對(duì)微電子封裝器件熱應(yīng)力的影響牛利剛 楊道國(guó) 李莉 (384)
新型Ce:YAG陶瓷熒光體封裝白光LED的性能朱學(xué)繪 范廣涵 王海麗 沈德忠 章勇 (389)
溶膠-凝膠法制備ZnO:Sn(TZO)薄膜孫惠娜 劉靜 高美珍 (394)
基于有限單元法三軸體微加速度傳感器固有頻率的靈敏度分析吳振亭 程傳蕊 (399)
總劑量輻射下的NMOS/SOI器件背柵閾值電壓漂移模型賀威 張正選 (403)
《第七屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議》征文通知(第二輪) (197)
第十一屆國(guó)際材聯(lián)亞洲材料大會(huì)征文通知 (198)
論文
GaAs/Si(100)異質(zhì)外延4°偏角襯底對(duì)外延層結(jié)晶質(zhì)量的提高熊德平 羅莉 雷亮 陳志新 (201)
工藝條件對(duì)藍(lán)寶石化學(xué)機(jī)械拋光的影響汪海波 俞沁聰 劉衛(wèi)麗 宋志棠 張楷亮 (206)
添加劑MnCO3和BaZrO3對(duì)Ba(Zn1/3Nb2/3)O3陶瓷燒結(jié)溫度和介電性能的影響石鋒 (211)
藍(lán)寶石光纖端面上ZnO薄膜的溫變特性周紅 (217)
基于LIGA工藝的電鑄鎳材料特性鄭利兵 石庚辰 韓立 (222)
采用精密印刷技術(shù)的玻璃漿料圓片級(jí)氣密封裝陳驍 羅樂(lè) (227)
Mg:Sc:Fe:iLiNbO3晶體缺陷結(jié)構(gòu)和全息存儲(chǔ)性能羅偉 桂強(qiáng) 鄭威 (233)
微波輔助一步合成ZnO納米棒及其氣敏性能王煥新 孫曉麗 宋彥良 李超 (238)
InP/InGaAsP異質(zhì)結(jié)ICP刻蝕表面損傷董雷 張瑞康 江山 趙圣之 劉水華 (243)
光纖結(jié)構(gòu)對(duì)參考光柵溫度補(bǔ)償誤差影響金秀梅 雷宇 杜彥良 (249)
熔體快淬速度對(duì)Nd8Fe73Ti2Zr2B13.6C1.4雙相納米晶永磁合金磁性能的影響陳治安 羅驥 郭志猛 (255)
具平行微通道的無(wú)電場(chǎng)玻璃芯片微電滲泵游煒臻 林耿銳 葉嘉明 周勇亮 (261)
DC/DC變換器模塊可靠性壽命預(yù)計(jì)劉揚(yáng) 呂長(zhǎng)志 謝雪松 段毅 王元春 (266)
簡(jiǎn)報(bào)
Pseudo—MOS晶體管和nMOS晶體管評(píng)估SOI材料抗總劑量輻射能力的比較畢大煒 張正選 張帥 (271)
采用金-金鍵合工藝制備垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵發(fā)光二極管歐欣 陳靜 武愛(ài)民 孫家胤 (276)
GMR硬磁偏置層加工技術(shù)鄭洋 劉晰 曲炳郡 韋丹 魏福林 任天令 劉理天 (281)
射頻反應(yīng)濺射制備傾斜AlN薄膜吳雯 熊娟 杜鵬飛 陳侃松 顧豪爽 (285)
退火對(duì)Al/CdZnTe肖特基接觸特性的影響白旭旭 介萬(wàn)奇 查鋼強(qiáng) 王濤 傅莉 (289)
一種硅埋置型系統(tǒng)級(jí)封裝中集成毫米波無(wú)源器件工藝王華江 湯佳杰 吳亮 羅樂(lè) 孫曉瑋 (294)
煅燒溫度對(duì)紅色長(zhǎng)余輝發(fā)光材料Sr3Al2O6:Eu^2+Dy^3+性能的影響崔彩娥 王森 黃平 (93)
摻雜Gd的Co2Z型鐵氧體的微結(jié)構(gòu)和高頻性能郭世海 馮則坤 王新林 何華輝 (99)
DLC薄膜中sp2鍵含量對(duì)HUVEC細(xì)胞附著性能的影響黃蕊 王向暉 胡石瓊 (104)
反轉(zhuǎn)膠lift—Off工藝制備堆棧電感何大偉 程新紅 王中健 徐大朋 宋朝瑞 俞躍輝 (109)
濺射法制備Mn—Zn鐵氧體薄膜的磁性與微結(jié)構(gòu)張弘 劉朝陽(yáng) 王蘭喜 賀德衍 魏福林 (114)
氧分壓對(duì)Al2O3:Ce薄膜的發(fā)光性能及表面形貌的影響廖國(guó)進(jìn) 駱紅 閆紹峰 朱振華 (119)
Ag+/TiO2-ZnO納米復(fù)合薄膜的制備及雙親性能王青 李新麗 乜偉 夏詠梅 (125)
靜電力驅(qū)動(dòng)的液滴數(shù)字傳輸芯片皋華敏 李鐵 許磊 劉翔 王翊 周萍 王躍林 (131)
不同形貌金納米粒子的制備及其光譜特性王平波 宋玉哲 杜雪巖 韓根亮 劉國(guó)漢 (137)
利用容性頻率選擇表面改善單層雷達(dá)吸波材料吸波性能劉海韜 程海峰 王軍 周永江 張德勇 (143)
NiO/FeCo磁性多層膜的高頻磁性李玉偉 陳繼紅 唐東明 張豹山 鹿牧 陸懷先 (148)
一種基于QCM的液相混合微芯片的制作與應(yīng)用朱德峰 許寶建 程建功 金慶輝 趙建龍 徐元森 (153)
CMOS雙層可變功函數(shù)金屬柵技術(shù)段寶興 楊銀堂 (158)
一種FIB刻蝕結(jié)合KOH腐蝕的制造納米梁的新方法成海濤 楊恒 王躍林 (163)
簡(jiǎn)報(bào)
BaAl2O4:Eu^2+,Dy^3+長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的燃燒合成及其發(fā)光特性李峻峰 邱克輝 賴雪飛 張佩聰 鄧苗 (169)
Si基有機(jī)光電探測(cè)器低阻歐姆電極制作張旭 張桂玲 胥超 (174)
NdFeB磁粉的表面對(duì)柔性粘結(jié)永磁體性能的影響陳云志 孫愛(ài)芝 翟福強(qiáng) (179)
Mo電極形貌對(duì)AlN薄膜擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的影響熊娟 顧豪爽 胡寬 (183)
Si含量對(duì)納米晶Fe87-xCu1Nb3SixB9合金磁性能的影響馬國(guó)俊 支起錚 丁丹 連法增 何開(kāi)元 (187)
噴霧熱解法制備摻氟氧化錫導(dǎo)電玻璃及其性能張志海 史成武 孫嵩泉 吳玉程 (191)
Au—CZT與Au/Cr—CZT接觸性能比較 梁小燕 閔嘉華 趙岳 王長(zhǎng)君 桑文斌 秦凱豐 胡冬妮 (1)
鐵氮化合物的制備及電磁性能李建敏 王群 李永卿 (6)
AlSb多晶薄膜的制備及性質(zhì) 賀劍雄 武莉莉 夏庚培 鄭家貴 馮良桓 雷智 李衛(wèi) (11)
Sol—gel方法制備BiFeO3/Bi4Ti3O12多層薄膜及其電性能王秀章 晏伯武 劉紅日 (17)
退火對(duì)玻璃包覆Fe69Co10Si8B13非晶微絲磁性能及力學(xué)性能的影響王成鐸 張志豪 謝建新 (22)
水熱法制備TiO2-硅藻土復(fù)合材料及其光催化性能方培育 吳建青 張京濤 呂明 (29)
水熱合成法制備微納米MnO2晶體不同形貌的電磁特性馬賀 李寶毅 段玉平 劉順華 冀志江 (35)
基于磁化機(jī)理的超磁致伸縮執(zhí)行器磁滯模型韓同鵬 李國(guó)平 (41)
超薄SIMOX材料的Pseudo—MOSFET電學(xué)表征張帥 張正選 畢大煒 陳明 (47)
新型白光LED用SrMg2(PO4)2單一基質(zhì)熒光粉欒林 郭崇峰 丁旭 (52)
新型Al2O3/BCB多層薄膜復(fù)合介質(zhì)材料的傳輸線損耗特性周紫卓 王偉 談惠祖 孫曉瑋 (57)
簡(jiǎn)報(bào)
新型四元系鉍基焦綠石陶瓷的介電性能華強(qiáng) 杜慧玲 史翔 崔玉 (63)
Nd2Fe14B/α—Fe交換耦合雙層薄膜磁性能伍靜 張敏剛 楊麗麗 閆曉燕 (68)
YVO4:Eu^3+納米晶的沉淀合成及發(fā)光性質(zhì)李艷紅 張永明 李鵬 張楊 洪廣言 (73)
Ni/Au、Pd/Au與P—AlGaN材料的接觸特性白云 麻芃 朱杰 劉鍵 劉新宇 (77)
硼酸對(duì)藍(lán)色鋁酸鍶長(zhǎng)余輝材料的物相及發(fā)光特性的影響薛紅偉 崔彩娥 郝虎在 黃平 (81)
氮流量對(duì)TaN薄膜微結(jié)構(gòu)及性能的影響王超杰 蔣洪川 張萬(wàn)里 向陽(yáng) 司旭 (85)
基于WO3薄膜的雙聲路聲表面波型SO2氣體傳感器 文常保 朱長(zhǎng)純 巨永鋒 邱彥章 許宏科 胡小東 吳媛 (1)
大位移MEMS靜電梳齒驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)及制作明安杰 李鐵 王躍林 (7)
具有高電流處理能力的多發(fā)射極條微波功率GeSi HBT沈颯 張萬(wàn)榮 謝紅云 金冬月 李佳 甘軍寧 (15)
鎢絲微電極陣列的簡(jiǎn)易制備方法 姚源 李剛 張華 周洪波 孫曉娜 朱壯暉 隋曉紅 (20)
2.4GHz射頻薄膜體聲波諧振器的研制湯亮 郝震宏 喬?hào)|海 (27)
極化效應(yīng)對(duì)AIN/GaN共振隧穿二極管電流特性的影響湯乃云 (34)
新型高靈敏度GLV光學(xué)電流傳感器設(shè)計(jì)與性能分析魯亮 穆參軍 李四華 吳亞明 (39)
帶溫度補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的高靈敏度光讀出紅外成像陣列器件設(shè)計(jì)李珂 馮飛 熊斌 王躍林 (46)
水溶性ZnSe納米晶的微波制備與表征賽麗曼 陸昊婷 何耀 汪聯(lián)輝 (53)
衍射法X射線激光分束光柵平行度測(cè)量系統(tǒng)譚鑫 劉穎 劉正坤 付紹軍 (61)
非晶Tb/Fe/Dy和Fe/Tb/Fe/Dy納米多層膜磁性能及超磁致伸縮性能李曉東 潘麗坤 黃素梅 林麗峰 陳奕衛(wèi) 孫卓 (66)
高介電柵介質(zhì)材料HfO2摻雜后的物理電學(xué)特性武德起 姚金城 趙紅生 張東炎 常愛(ài)民 李鋒 周陽(yáng) (71)
SnO2納米空心球的合成及在鋰離子電池正極方面的應(yīng)用曹艷霞 王萬(wàn)杰 王經(jīng)武 陳榮峰 (75)
納米晶WO3電致變色特性俞軍 施寒瀟 (79)
納米集成電路中鎳基CMP工藝吳碧艷 羅文媗 (83)
玻璃包覆鈷基非晶絲巨磁阻抗效應(yīng)田斌 江建軍 馬強(qiáng) 梁培 杜剛 何華輝 (87)
簡(jiǎn)報(bào)
大功率白光發(fā)光二極管光源的制作 錢(qián)敏 李海波 林麗鋒 張哲娟 劉菁菁 楊介信 馮濤 (92)
二極管型碳基膜場(chǎng)發(fā)射顯示器的制作 林麗鋒 陳奕衛(wèi) 錢(qián)敏 李天軍 丁慧 張哲娟 孫卓 (97)
電子輻照的P(VDF/TrFE)共聚物的鐵電弛豫異,F(xiàn)象陳小剛 姚熹 張德生 宋志棠 沈波 張良瑩 (101)
溫度梯度對(duì)碲鋅鎘單晶體生長(zhǎng)過(guò)程熱應(yīng)力場(chǎng)的影響張國(guó)棟 劉俊成 (106)
脈沖激光沉積生長(zhǎng)單相的Nd1.85Ce0.15CuO4薄膜及其激光感生熱電電壓效應(yīng)熊飛 張輝 張鵬翔 蔣最敏 (113)
摻銅SnO2薄膜的光學(xué)氣敏特性馮金垣 李偉杰 郝延華 (120)
一種硅埋置型微波多芯片組件封裝的電性能戚龍松 羅樂(lè) (125)
微過(guò)氧化物酶-11在碳納米管/殼聚糖修飾電極上的直接電化學(xué)及電催化 姜慧君 Philippe Mercier Shiunchi (132)
基于TNT敏感聚合物的納米陣列結(jié)構(gòu)的制備與性質(zhì)陳磊 朱德峰 程建功 趙建龍 (143)
基于超分子結(jié)構(gòu)的光電子材料的制備與表征李貴安 葉錄元 朱庭良 馬少華 張玉榮 鄧仲勛 (148)
理論研究ZnO摻雜Al;Ga;In電子結(jié)構(gòu)與光學(xué)屬性張威虎 張富春 張志勇 閻軍峰 贠江妮 (153)
不同壓力下碳納米管的電弧法合成及其表征鄭明東 何孝軍 伊廷鋒 任世彪 (159)
制備溫度對(duì)多孔硅光學(xué)特性的影響潘麗坤 李海波 孫卓 孫長(zhǎng)慶 (165)
90nm工藝互連線CMP金屬厚度偏離統(tǒng)計(jì)學(xué)分析周磊 蔣立飛 孫玲玲 (169)
Fe-O納米晶合金膜的軟磁和高頻特性彭?xiàng)澚?王偉 王來(lái)森 陳遠(yuǎn)志 岳光輝 隅山兼治 日原岳彥 (175)
簡(jiǎn)報(bào)
PbTiO3/BiFeO3多層薄膜的鐵電性質(zhì)劉紅日 王秀章 (180)
多量子阱紅外探測(cè)材料的光致熒光譜馬楠 鄧軍 史衍麗 沈光地 (185)
MnWO4-Li2WO4系厚膜濕敏元件的性能彭振康 陳環(huán) 洪琴 傅剛 (189)
AlGaN/GaN HEMT柵槽低損傷刻蝕技術(shù)黃俊 魏珂 劉新宇 (193)
NixFe3-xO4包覆空心玻璃微球的鐵氧體化學(xué)鍍制備及性能于美 劉建華 王承 李松梅 (197)
核殼型CoFe2O4/TiO2磁載納米光催化劑制備及性能高帥 李忠義 張秀玲 (201)
氧化鋅納米線尿酸氧化酶固定性能王小華 張健 朱自強(qiáng) 朱建中 (206)

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