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面向光互連的硅基片上復(fù)用器件的研究

發(fā)布時間:2017-09-29 14:33

  本文關(guān)鍵詞:面向光互連的硅基片上復(fù)用器件的研究


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【摘要】:隨著通信技術(shù)的發(fā)展,尤其各種智能設(shè)備的普及應(yīng)用,以數(shù)據(jù)存儲、傳輸、處理為基礎(chǔ)的“大數(shù)據(jù)時代”對于通信網(wǎng)絡(luò)的傳輸提出了更高的要求。集成光學(xué)憑借其體積小、低能耗、大帶寬等優(yōu)點,在光互連、光通信等領(lǐng)域獲得越來越多的青睞。尤其硅光子學(xué)其同CMOS工藝相兼容的優(yōu)勢,使光集成芯片與電集成芯片的混合集成成為可能,在諸如芯片間、芯片內(nèi)部采用光互連的技術(shù)可突破電互連在帶寬、功耗等方面的瓶頸。為了進一步的拓展片上光互連的帶寬,本文基于硅納米線波導(dǎo)在片上復(fù)用技術(shù)方面做了一些工作。首先,本文結(jié)合耦合模理論對非對稱定向耦合器進行了詳盡的分析,對提出的采用級聯(lián)的非對稱定向耦合器結(jié)構(gòu)的模式復(fù)用器的設(shè)計過程、波長、串擾特性以及工藝容差的影響進行了詳盡的討論。首次在片上實現(xiàn)了超小結(jié)構(gòu)的四模式通道的模式(解)復(fù)用器,其串擾低于-20dB,插損小于0.5dB,具有優(yōu)良的性能。其次,結(jié)合偏振復(fù)用技術(shù)本文提出一種同時實現(xiàn)偏振復(fù)用和模式復(fù)用技術(shù)的系統(tǒng),進一步的增大光鏈路的帶寬,并針對其關(guān)鍵器件偏振-模式混合復(fù)用器進行了深入的研究。首先對兩種超小結(jié)構(gòu)的偏振分束器——彎曲非對稱定向耦合器型偏振分束器和級聯(lián)非對稱定向耦合器型的偏振分束器的設(shè)計原理、器件的設(shè)計過程進行了分析,并給出了其實驗結(jié)果。利用級聯(lián)非對稱定向耦合器型的偏振分束器和非對稱定向耦合器設(shè)計實現(xiàn)了一個同時實現(xiàn)四個TE模式和四個TM模式復(fù)用的八通道的偏振-模式混合(解)復(fù)用器,并對其性能、工藝容差進行了詳盡的闡述。實驗結(jié)果顯示八個通道的串擾均低于-11dB,同理論分析結(jié)果相吻合。在此基礎(chǔ)上,提出一種利用光柵型起偏器的改進方案,將八通道的混合(解)復(fù)用器的串擾降低至-18dB以下。再次,結(jié)合成熟的波分復(fù)用器AWG,提出一種可同時實現(xiàn)波分復(fù)用技術(shù)和模式復(fù)用技術(shù)的超大帶寬的64通道波分-模式混合(解)復(fù)用器。在此基礎(chǔ)上,提出一種采用雙向AWG設(shè)計的改進方案,減小AWG的數(shù)量,使其結(jié)構(gòu)更為緊湊,同時也增強了工藝穩(wěn)定性。改進后各通道的串擾約-14dB,為光互連帶寬的提升提供了一種切實可行的解決方案。最后,我們總結(jié)全文的主要工作,并對片上復(fù)用技術(shù)的相關(guān)工作進行了展望。
【關(guān)鍵詞】:集成光路 光互連 硅納米線波導(dǎo) 模式復(fù)用技術(shù) 偏振復(fù)用技術(shù) 偏振敏感器件 波分復(fù)用技術(shù)
【學(xué)位授予單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TN47
【目錄】:
  • 摘要5-7
  • Abstract7-16
  • 第一章 緒論16-30
  • 1.1 集成光學(xué)概述16-18
  • 1.2 光互連的興起18-21
  • 1.3 片上模式復(fù)用技術(shù)21-27
  • 1.4 本文的主要內(nèi)容和創(chuàng)新點27-30
  • 第二章 硅基納米線波導(dǎo)的模式特性及數(shù)值仿真方法30-40
  • 2.1 硅納米線波導(dǎo)的模式30-35
  • 2.2 數(shù)值仿真方法35-38
  • 2.2.1. BPM方法35-36
  • 2.2.2. EME方法36-37
  • 2.2.3. FDTD方法37-38
  • 2.3 模式的計算38-39
  • 2.4 本章小結(jié)39-40
  • 第三章 硅基器件的制作與測試40-52
  • 3.1 硅基器件的制作40-45
  • 3.2 器件的測試45-50
  • 3.2.1. 端面耦合方法45-48
  • 3.2.2. 垂直耦合法48-50
  • 3.3 本章小結(jié)50-52
  • 第四章 硅基四通道的模式復(fù)用器52-70
  • 4.1 定向耦合器的設(shè)計52-58
  • 4.2 硅基非對稱定向耦合器型模式復(fù)用器的設(shè)計58-65
  • 4.3 四通道模式復(fù)用器制作與實驗結(jié)果分析65-67
  • 4.4 本章小結(jié)67-70
  • 第五章 硅基偏振-模式混合復(fù)用技術(shù)70-98
  • 5.1 偏振-模式混合復(fù)用系統(tǒng)70-72
  • 5.2 硅基偏振分束器72-82
  • 5.2.1. 彎曲非對稱定向耦合器型PBS73-78
  • 5.2.2. 級聯(lián)非對稱定向耦合器型PBS78-82
  • 5.3 硅基八通道偏振-模式混合復(fù)用器82-96
  • 5.3.1. 器件的設(shè)計與分析82-91
  • 5.3.2. 器件的制作與實驗結(jié)果91-93
  • 5.3.3. 器件性能的改進93-96
  • 5.4 本章小結(jié)96-98
  • 第六章 硅基波分-模式混合(解)復(fù)用器98-112
  • 6.1 硅基64通道波分-模式(解)復(fù)用器的設(shè)計98-101
  • 6.2 器件的制作與實驗結(jié)果分析101-104
  • 6.3 改進的64通道波分-模式混合(解)復(fù)用器104-109
  • 6.4 本章小結(jié)109-112
  • 第七章 總結(jié)與展望112-114
  • 參考文獻114-128
  • 作者簡歷128
  • 攻讀博士學(xué)位期間所發(fā)表的學(xué)術(shù)論文128-129

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本文編號:942553

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