發(fā)布時(shí)間：2017-05-16 18:26

  本文關(guān)鍵詞：高散熱印制電路材料與互連的構(gòu)建研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：高性能印制電路板是大功率器件實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)處理與傳輸?shù)闹匾d體,而高散熱材料研發(fā)和高密度互連構(gòu)建是高可靠印制電路板制造中亟需解決的兩個(gè)熱點(diǎn)問題。高散熱材料須同時(shí)兼具耐高溫、高導(dǎo)熱系數(shù)與低成本等優(yōu)點(diǎn),高密度互連則須符合厚度均一與層間多階堆疊等指標(biāo),這些特殊的要求正挑戰(zhàn)著傳統(tǒng)印制電路材料與制作技術(shù)。因此,開展基于高散熱印制電路新型材料與互連結(jié)構(gòu)構(gòu)建的研究,對(duì)提升高性能印制電路板制造技術(shù)水平具有重要的科學(xué)意義與實(shí)用價(jià)值。(1)對(duì)常用印制電路基板進(jìn)行導(dǎo)熱性能、耐熱性、熱膨脹性能等分析。結(jié)果表明碳?xì)渚酆衔锔层~基板的性能最佳,其中導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到0.797 Wm-1K-1、熱分解溫度高至350℃以及熱膨脹系數(shù)72.7×10-6/℃,但是碳?xì)渚酆衔锔层~基板成本高,很難廣泛應(yīng)用于低成本的印制電路板。對(duì)導(dǎo)通孔互連結(jié)構(gòu)的吹孔失效問題進(jìn)行分析,結(jié)果表明了吹孔失效的原因是在無鉛焊接的高溫環(huán)境下,不規(guī)則孔壁內(nèi)部的水汽迅速排出而把熔融狀態(tài)的焊料吹向孔外。為了制造出高性能的印制電路板,低成本高導(dǎo)熱介質(zhì)材料的開發(fā)與高可靠性層間互連結(jié)構(gòu)的構(gòu)建等問題亟需得到解決。(2)在球磨條件下同時(shí)對(duì)AlN顆粒進(jìn)行粒度細(xì)化與半硅醇吸附表面改性。不同含量的AlN顆粒與聚芳醚腈(PEN)共混制備出二元復(fù)合材料。考察了AlN顆粒在PEN基體的分散性以及不同AlN含量對(duì)復(fù)合材料導(dǎo)熱系數(shù)、熱穩(wěn)定性、熱膨脹系數(shù)、介電性能、電阻特性與拉斷強(qiáng)度的影響。研究結(jié)果表明:表面吸附了半硅醇的AlN顆粒能均勻分散在PEN基體。AlN顆粒的表面改性有利于降低與PEN基體復(fù)合時(shí)的相界面熱阻效應(yīng),提高AlN/PEN復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù);AlN/PEN復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)隨著AlN加入量的增加而變大;42.3 vol%AlN/PEN復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到0.779 Wm-1K-1;改良Russell模型能較好地反映AlN/PEN復(fù)合材料導(dǎo)熱系數(shù)的變化趨勢(shì)。AlN/PEN復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性隨著AlN顆粒加入量的增多而升高,且復(fù)合材料的最終分解溫度為440℃以上。當(dāng)AlN含量過高,溫度升高會(huì)造成AlN顆粒在PEN基體中發(fā)生自沉淀與團(tuán)聚,AlN/PEN復(fù)合材料的CTE呈現(xiàn)負(fù)值變化。AlN/PEN復(fù)合材料的介電常數(shù)與介電損耗正切值均隨著AlN加入量的增多而變大,且頻率升高過程中,AlN/PEN復(fù)合材料介電常數(shù)與介電損耗正切值的變化對(duì)頻率變化的依賴性弱。AlN/PEN復(fù)合材料的電阻率隨著AlN含量的增大而減小,但絕緣PEN聚合物基體的存在仍能保證復(fù)合材料具有相對(duì)較高的電阻率,42.3 vol%AlN/PEN復(fù)合材料的電阻率同樣高達(dá)1.39 GΩ.cm。AlN/PEN復(fù)合材料的抗斷強(qiáng)度均在22.6 N以上。(3)以CuSO4與NaHCO3為反應(yīng)主體,PEG為添加劑,水熱合成出堿式碳酸酸,高溫?zé)岱纸夂螳@得CuO,其微觀形態(tài)為片狀小顆粒松散堆積成球形,粒度分布范圍是100 nm~100μm,且純度高。超聲處理后,乙醚溶劑浸泡的CuO顆粒的微觀形貌變成小顆粒緊密堆積球狀,而乙醇溶劑浸泡的CuO顆粒的微觀形貌則變成完全離散的片狀小顆粒�？疾炝薈uO顆粒的形貌不同對(duì)表征測(cè)試的影響。結(jié)果表明:乙醇中超聲處理的CuO顆粒對(duì)表征的影響更顯著,粒度分布變?yōu)?0 nm~10μm,沉降速率得到降低,UV-vis光譜中出現(xiàn)220 nm和390 nm兩個(gè)吸收峰,XRD衍射角發(fā)生輕微的增大,XPS的光電子峰強(qiáng)增強(qiáng)且峰位向高結(jié)合能方向偏移,Raman強(qiáng)度增強(qiáng),溶解速率提高到7 s,能高效地維持不溶性陽極電鍍系統(tǒng)銅離子濃度的穩(wěn)定性而獲得高質(zhì)量的銅沉積效果。(4)采用恒電流法(GM)、循環(huán)伏安法(CV)與恒電勢(shì)法考察了含有不同添加劑的鍍液體系的電化學(xué)行為。在物理氣相沉積(PVD)銅層表面電化學(xué)沉積銅顆粒,并用掃描電子顯微鏡(SEM)與XRD分析沉積銅層的效果。電化學(xué)沉積的銅柱與銅線的切片則用金相顯微鏡進(jìn)行觀察。GM結(jié)果顯示在60 mg/L氯離子存在的情況下,環(huán)氧乙烷-環(huán)氧丙烷嵌段共聚物(EO/PO)濃度的增大可進(jìn)一步抑制銅顆粒的沉積速率,且EO/PO的濃度增加至20 mg/L時(shí),抑制效果達(dá)到最大。GM、CV與恒電勢(shì)測(cè)試結(jié)果表明添加劑間的協(xié)同作用能使含0.40 mol/LCuSO4·5H2O、1.80 mol/LH2SO4的基礎(chǔ)鍍液體系的電化學(xué)銅沉積速率得到增大,此時(shí)添加劑及其濃度確定為20 mg/LEO/PO、0.7 mg/L聚二硫二丙烷磺酸鈉(SPS)以及60 mg/L氯離子。與壓延銅層相比,具備平整表面的PVD銅層所沉積的銅顆粒密度更大,沉積銅層的均勻性更好。增加周期性陰極抖動(dòng)可提高銅沉積的厚度均一性。電化學(xué)沉積銅的主導(dǎo)生長(zhǎng)方向?yàn)?1 1 1)面。上述鍍液體系配方、PVD銅層與陰極周期性抖動(dòng)相結(jié)合進(jìn)行電化學(xué)沉積銅,可獲得均勻性良好的Bottom-up沉積銅柱與精細(xì)銅線。(5)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了兩種新型的印制電路互連結(jié)構(gòu),包括塞樹脂式疊孔互連結(jié)構(gòu)與全加成疊孔互連結(jié)構(gòu)。塞樹脂式疊孔互連結(jié)構(gòu)的樹脂填塞平整緊密,盲孔與通孔的對(duì)位精準(zhǔn);全加成疊孔互連結(jié)構(gòu)的銅線精細(xì)且均勻,銅柱厚度均一性高,整板平整度好;這種兩種新型互連結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)在一定程度提高了印制電路板制作的高密度化水平。
【關(guān)鍵詞】：印制電路 復(fù)合材料 氧化銅 電化學(xué)沉積 互連
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：博士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN41
【目錄】：

• 摘要5-7
• ABSTRACT7-14
• 第一章 緒論14-35
• 1.1 引言14
• 1.2 印制電路板的散熱研究現(xiàn)狀14-26
• 1.2.1 固體物質(zhì)導(dǎo)熱的相關(guān)理論14-16
• 1.2.2 散熱孔設(shè)計(jì)改善散熱問題16-17
• 1.2.3 金屬基設(shè)計(jì)改善散熱問題17-18
• 1.2.4 改性高分子復(fù)合材料改善散熱問題18-26
• 1.2.4.1 環(huán)氧樹脂及其導(dǎo)熱改性18-22
• 1.2.4.2 酚醛樹脂及其導(dǎo)熱改性22-23
• 1.2.4.3 聚酰亞胺及其導(dǎo)熱改性23
• 1.2.4.4 聚苯醚樹脂及其導(dǎo)熱改性23-24
• 1.2.4.5 氰酸酯樹脂及其導(dǎo)熱改性24
• 1.2.4.6 雙馬來酰亞胺三嗪樹脂及其導(dǎo)熱改性24-25
• 1.2.4.7 聚四氟乙烯及其導(dǎo)熱改性25-26
• 1.3 印制電路板互連結(jié)構(gòu)現(xiàn)狀26-34
• 1.3.1 孔金屬化實(shí)現(xiàn)互連方法26-30
• 1.3.1.1 預(yù)鍍層的形成及機(jī)理26-28
• 1.3.1.2 電鍍層的形成及機(jī)理28-30
• 1.3.2 導(dǎo)通孔互連結(jié)構(gòu)30-31
• 1.3.3 盲孔互連結(jié)構(gòu)31
• 1.3.4 疊孔互連結(jié)構(gòu)31-34
• 1.4 本論文選題依據(jù)和研究?jī)?nèi)容34-35
• 第二章 印制電路板材料熱性能與孔互連失效的研究35-48
• 2.1 印制電路板材料溫變熱性能的研究35-41
• 2.1.1 實(shí)驗(yàn)材料與儀器35
• 2.1.2 實(shí)驗(yàn)部分35-36
• 2.1.2.1 基板導(dǎo)熱系數(shù)溫變性能35-36
• 2.1.2.2 基板熱穩(wěn)定溫變性能36
• 2.1.2.3 基板熱膨脹溫變性能36
• 2.1.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論36-41
• 2.1.3.1 基板導(dǎo)熱性能分析36-39
• 2.1.3.2 基板熱穩(wěn)定性分析39
• 2.1.3.3 基板CTE性能分析39-40
• 2.1.3.4 基板熱性能評(píng)估40-41
• 2.2 印制電路板孔互連失效的研究41-46
• 2.2.1 實(shí)驗(yàn)部分41-42
• 2.2.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果42-44
• 2.2.2.1 吹孔的可視觀察42-43
• 2.2.2.2 導(dǎo)通孔內(nèi)部結(jié)構(gòu)43
• 2.2.2.3 基板材料吸濕性分析43-44
• 2.2.3 討論44-46
• 2.3 本章小結(jié)46-48
• 第三章 AlN/PEN復(fù)合材料的制備及其性能研究48-71
• 3.1 前言48-49
• 3.2 實(shí)驗(yàn)部分49-51
• 3.2.1 實(shí)驗(yàn)材料49
• 3.2.2 復(fù)合材料的制備過程49-50
• 3.2.2.1 AlN顆粒的表面處理49
• 3.2.2.2 復(fù)合材料的制備49-50
• 3.2.3 復(fù)合材料的表征測(cè)試50-51
• 3.2.3.1 測(cè)試樣品制備50
• 3.2.3.2 AlN/PEN復(fù)合材料的表征測(cè)試50-51
• 3.3 結(jié)果與討論51-69
• 3.3.1 AlN顆粒的表面功能化51-54
• 3.3.2 AlN顆粒與PEN基體的共混效果54-55
• 3.3.3 AlN/PEN復(fù)合材料的紅外光譜55-56
• 3.3.4 AlN顆粒的加入對(duì)PEN基體結(jié)構(gòu)的影響56-57
• 3.3.5 AlN/PEN復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能57-64
• 3.3.5.1 導(dǎo)熱系數(shù)模型57-58
• 3.3.5.2 AlN/PEN復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)58-64
• 3.3.6 t-AlN/PEN復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性64-65
• 3.3.7 t-AlN/PEN復(fù)合材料的CTE65
• 3.3.8 t-AlN/PEN復(fù)合材料的介電性能65-68
• 3.3.9 t-AlN/PEN復(fù)合材料的電阻特性68
• 3.3.10 t-AlN/PEN復(fù)合材料的拉斷強(qiáng)度68-69
• 3.4 本章小結(jié)69-71
• 第四章 電化學(xué)沉積用氧化銅的合成及形貌控制研究71-94
• 4.1 電化學(xué)沉積用氧化銅的合成及表征71-76
• 4.1.1 實(shí)驗(yàn)部分71-72
• 4.1.1.1 氧化銅的合成71-72
• 4.1.1.2 氧化銅的表征測(cè)試72
• 4.1.2 結(jié)果與討論72-76
• 4.1.2.1 氧化銅的形成過程72-74
• 4.1.2.2 氧化銅的表征74-76
• 4.2 超聲控制氧化銅形貌及表征76-92
• 4.2.1 實(shí)驗(yàn)部分77-79
• 4.2.1.1 氧化銅的超聲處理過程77
• 4.2.1.2 超聲處理氧化銅的表征77-79
• 4.2.2 結(jié)果與討論79-92
• 4.2.2.1 超聲處理對(duì)氧化銅形貌的影響79-83
• 4.2.2.2 不同形貌氧化銅的粒度分布情況83-84
• 4.2.2.3 不同形貌氧化銅對(duì)沉降速率影響84-85
• 4.2.2.4 不同形貌氧化銅對(duì)紫外-可見吸收光譜的影響85
• 4.2.2.5 不同形貌氧化銅對(duì)XRD測(cè)試的影響85-87
• 4.2.2.6 不同形貌氧化銅對(duì)XPS測(cè)試的影響87-89
• 4.2.2.7 不同形貌氧化銅對(duì)Raman光譜的影響89-90
• 4.2.2.8 不同形貌氧化銅對(duì)溶解速率的影響90
• 4.2.2.9 CuO-EA顆粒在電化學(xué)沉積中的應(yīng)用90-92
• 4.3 本章小結(jié)92-94
• 第五章 電化學(xué)沉積銅的均勻性生長(zhǎng)控制研究94-108
• 5.1 前言94-95
• 5.2 實(shí)驗(yàn)部分95-96
• 5.3 結(jié)果與討論96-107
• 5.3.1 添加劑對(duì)電化學(xué)沉積銅的影響96-99
• 5.3.2 添加劑輔助電化學(xué)沉積銅的均勻性控制99-105
• 5.3.2.1 底銅選擇對(duì)電化學(xué)沉積銅的均勻性影響99-100
• 5.3.2.2 添加劑選擇對(duì)電化學(xué)沉積銅的均勻性影響100-104
• 5.3.2.3 溶液攪拌對(duì)電化學(xué)沉積銅的均勻性影響104-105
• 5.3.3 添加劑對(duì)銅晶體生長(zhǎng)的影響105-107
• 5.4 本章小結(jié)107-108
• 第六章 印制電路互連結(jié)構(gòu)的構(gòu)建與實(shí)現(xiàn)108-115
• 6.1 前言108
• 6.2 印制電路互連結(jié)構(gòu)的構(gòu)建108-110
• 6.2.1 塞樹脂式疊孔互連結(jié)構(gòu)的構(gòu)建108-110
• 6.2.2 全加成疊孔互連結(jié)構(gòu)的構(gòu)建110
• 6.3 印制電路互連結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)110-114
• 6.3.1 塞樹脂式疊孔互連結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)110-112
• 6.3.1.1 孔內(nèi)填塞樹脂質(zhì)量控制110-112
• 6.3.1.2 塞樹脂式疊孔互連結(jié)構(gòu)的制作112
• 6.3.2 全加成疊孔互連結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)112-114
• 6.4 本章小結(jié)114-115
• 第七章 結(jié)論與展望115-118
• 致謝118-119
• 參考文獻(xiàn)119-136
• 攻讀博士學(xué)位期間取得的成果136-139

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9 安學(xué)軍;機(jī)群互連網(wǎng)絡(luò)研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（計(jì)算技術(shù)研究所）;2003年

10 王寧;納米芯片互連特性分析及熱設(shè)計(jì)技術(shù)研究[D];西安電子科技大學(xué);2012年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 洪瀟;考慮非均勻溫度效應(yīng)的互連特性分析[D];西安電子科技大學(xué);2010年

2 鐘波;考慮溫度的納米級(jí)互連線延遲和功耗研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

3 郭金生;大規(guī)模集成電路系統(tǒng)中芯片間互連線的瞬態(tài)分析[D];南京理工大學(xué);2002年

4 楊玫;大規(guī)模集成電路中互連線的時(shí)域瞬態(tài)響應(yīng)分析[D];南京理工大學(xué);2004年

5 薛萌;考慮工藝波動(dòng)的互連功耗分析[D];西安電子科技大學(xué);2011年

6 王金建;兩類互連網(wǎng)絡(luò)的邊容錯(cuò)直徑[D];安徽大學(xué);2012年

7 王慶紅;交叉立方體及加強(qiáng)交叉立方體互連網(wǎng)絡(luò)容錯(cuò)性質(zhì)的研究[D];青島大學(xué);2003年

8 楊楊;考慮工藝波動(dòng)的互連信號(hào)完整性分析[D];西安電子科技大學(xué);2009年

9 陳超;基于EOPCB的MESH互連網(wǎng)絡(luò)控制系統(tǒng)研究[D];華中科技大學(xué);2008年

10 胡鵬;新一代高速I/O互連PCI Express接口設(shè)計(jì)[D];國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2005年

  本文關(guān)鍵詞：高散熱印制電路材料與互連的構(gòu)建研究，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：371617