220GHz多電路集成技術(shù)
發(fā)布時(shí)間:2022-02-13 13:09
隨著近年來半導(dǎo)體技術(shù)和高精密微機(jī)械加工技術(shù)的迅猛發(fā)展,以及國家對(duì)電子產(chǎn)業(yè)的大力投入,太赫茲固態(tài)電路技術(shù)已經(jīng)逐漸從實(shí)驗(yàn)室階段走向?qū)嶋H應(yīng)用階段,單功能電路已經(jīng)不能滿足實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)體積、重量、功耗的諸多要求,尤其在航空航天等應(yīng)用領(lǐng)域,對(duì)此的限制更是嚴(yán)苛。多電路集成將是未來太赫茲固態(tài)電路發(fā)展的必然趨勢,針對(duì)此技術(shù)的研究對(duì)太赫茲固態(tài)系統(tǒng)走向小型化、芯片化、實(shí)用化具有著重要深遠(yuǎn)的意義。本文圍繞太赫茲多電路集成技術(shù)展開,以高速通信小型化接收機(jī)的實(shí)現(xiàn)為牽引,對(duì)構(gòu)成太赫茲接收機(jī)射頻前端的兩種有源電路(分諧波混頻器和三倍頻器)和兩種無源電路(分支波導(dǎo)定向耦合器和偽橢圓波導(dǎo)帶通濾波器)開展了深入研究,提出了一種新型220GHz多電路集成架構(gòu),實(shí)現(xiàn)了電路理論和性能的雙重突破,基于此電路搭建了太赫茲小型化射頻前端,并成功完成了20GHz超寬帶實(shí)時(shí)信號(hào)盲檢測和12.8Gbps高速通信數(shù)據(jù)傳輸實(shí)驗(yàn)。本文主要內(nèi)容包括以下三個(gè)方面:(1)太赫茲接收機(jī)關(guān)鍵電路技術(shù)。接收機(jī)的關(guān)鍵電路主要指的是分諧波混頻器電路及其本振驅(qū)動(dòng)源電路(倍頻器)。分諧波混頻器在射頻前端系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)頻率變換的功能,非線性電路的特性使得該電路會(huì)直接影響...
【文章來源】:電子科技大學(xué)四川省211工程院校985工程院校教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:166 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
太赫茲頻段示意圖
電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文42017年,英國盧瑟福·阿普爾頓實(shí)驗(yàn)室(RutherfordAppletonLaboratory,RAL)的HairuiLiu等研制了180GHz高效率太赫茲倍頻器[32]。該倍頻器基于砷化鎵(GalliumArsenide,GaAs)肖特基二極管,其電路和測試結(jié)果如圖1-3所示。測試結(jié)果顯示,倍頻器的峰值效率為34%,相對(duì)帶寬為11%。當(dāng)輸出頻率為180GHz,驅(qū)動(dòng)功率為500mW時(shí),該倍頻器的輸出功率可達(dá)109mW。同時(shí),該團(tuán)隊(duì)還測試了兩路倍頻器功率合成后的輸出功率和效率,受驅(qū)動(dòng)源性能的限制,僅測試了驅(qū)動(dòng)功率為500mW時(shí),輸出功率為105mW。因此,當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)一步提高后,該功率合成電路可產(chǎn)生更高的輸出功率。(a)(b)圖1-3英國RAL實(shí)驗(yàn)室180GHz高效率二倍頻器。(a)實(shí)物照片;(b)測試結(jié)果2019年,電子科技大學(xué)張波等研制了一種新型無襯底高承載功率220GHz三倍頻器[30],其電路和測試結(jié)果如圖1-4所示。該倍頻器基于氮化鎵(GalliumNitride,GaN)肖特基二極管,二極管直接架接在鰭線過渡結(jié)構(gòu)上,無需基片襯底,在高驅(qū)動(dòng)功率時(shí),可有效進(jìn)行散熱,防止二極管芯片融毀。測試結(jié)果顯示,當(dāng)工作頻率為220GHz時(shí),該三倍頻器的承載功率可達(dá)1100mW,當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率為900mW時(shí)為最佳工作狀態(tài),輸出功率可達(dá)17.5mW。(a)(b)圖1-4電子科技大學(xué)無襯底高承載功率220GHz三倍頻器。(a)電路結(jié)構(gòu);(b)測試結(jié)果
電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文42017年,英國盧瑟福·阿普爾頓實(shí)驗(yàn)室(RutherfordAppletonLaboratory,RAL)的HairuiLiu等研制了180GHz高效率太赫茲倍頻器[32]。該倍頻器基于砷化鎵(GalliumArsenide,GaAs)肖特基二極管,其電路和測試結(jié)果如圖1-3所示。測試結(jié)果顯示,倍頻器的峰值效率為34%,相對(duì)帶寬為11%。當(dāng)輸出頻率為180GHz,驅(qū)動(dòng)功率為500mW時(shí),該倍頻器的輸出功率可達(dá)109mW。同時(shí),該團(tuán)隊(duì)還測試了兩路倍頻器功率合成后的輸出功率和效率,受驅(qū)動(dòng)源性能的限制,僅測試了驅(qū)動(dòng)功率為500mW時(shí),輸出功率為105mW。因此,當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)一步提高后,該功率合成電路可產(chǎn)生更高的輸出功率。(a)(b)圖1-3英國RAL實(shí)驗(yàn)室180GHz高效率二倍頻器。(a)實(shí)物照片;(b)測試結(jié)果2019年,電子科技大學(xué)張波等研制了一種新型無襯底高承載功率220GHz三倍頻器[30],其電路和測試結(jié)果如圖1-4所示。該倍頻器基于氮化鎵(GalliumNitride,GaN)肖特基二極管,二極管直接架接在鰭線過渡結(jié)構(gòu)上,無需基片襯底,在高驅(qū)動(dòng)功率時(shí),可有效進(jìn)行散熱,防止二極管芯片融毀。測試結(jié)果顯示,當(dāng)工作頻率為220GHz時(shí),該三倍頻器的承載功率可達(dá)1100mW,當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率為900mW時(shí)為最佳工作狀態(tài),輸出功率可達(dá)17.5mW。(a)(b)圖1-4電子科技大學(xué)無襯底高承載功率220GHz三倍頻器。(a)電路結(jié)構(gòu);(b)測試結(jié)果
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]一種新型太赫茲分支波導(dǎo)定向耦合器設(shè)計(jì)[J]. 師婭楠,張斌珍,段俊萍,王穎. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2019(05)
[2]GaAs肖特基二極管的250 GHz二次諧波混頻器研究[J]. 胡海帆,趙自然,馬旭明,姜壽祿. 紅外與激光工程. 2019(07)
[3]單片集成430 GHz三倍頻器的設(shè)計(jì)及測試[J]. 楊大寶,邢東,梁士雄,張立森,徐鵬,馮志紅. 中國激光. 2019(06)
[4]A Survey on Terahertz Communications[J]. Zhi Chen,Xinying Ma,Bo Zhang,Yaxin Zhang,Zhongqian Niu,Ningyuan Kuang,Wenjie Chen,Lingxiang Li,Shaoqian Li. 中國通信. 2019(02)
[5]220 GHz InP DHBT單片集成功率放大器[J]. 孫巖,程偉,陸海燕,王元,王宇軒,孔月嬋,陳堂勝. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2018(05)
[6]太赫茲波通信技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 楊鴻儒,李宏光. 應(yīng)用光學(xué). 2018(01)
[7]砷化鎵材料[J]. 王建利,牛沈軍,蘭天平,周春峰,孫強(qiáng). 科技創(chuàng)新導(dǎo)報(bào). 2010(32)
[8]太赫茲科學(xué)技術(shù)及其應(yīng)用的新發(fā)展[J]. 劉盛綱,鐘任斌. 電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2009(05)
[9]太赫茲輻射的研究及應(yīng)用[J]. 馬曉菁,代斌,葛敏. 化工時(shí)刊. 2006(12)
[10]太赫茲科學(xué)技術(shù)的新發(fā)展[J]. 劉盛綱. 中國基礎(chǔ)科學(xué). 2006(01)
碩士論文
[1]W波段準(zhǔn)橢圓波導(dǎo)帶通濾波器研究[D]. 肖紅.中北大學(xué) 2019
[2]基于基片集成技術(shù)的交叉耦合腔體濾波器的延伸研究[D]. 鄒玉鵬.南京航空航天大學(xué) 2015
[3]模式匹配法分析復(fù)雜波導(dǎo)的不連續(xù)性[D]. 賈瑤.西安電子科技大學(xué) 2010
[4]脊波導(dǎo)定向耦合器的設(shè)計(jì)與研究[D]. 蔣平英.電子科技大學(xué) 2007
本文編號(hào):3623251
【文章來源】:電子科技大學(xué)四川省211工程院校985工程院校教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:166 頁
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
太赫茲頻段示意圖
電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文42017年,英國盧瑟福·阿普爾頓實(shí)驗(yàn)室(RutherfordAppletonLaboratory,RAL)的HairuiLiu等研制了180GHz高效率太赫茲倍頻器[32]。該倍頻器基于砷化鎵(GalliumArsenide,GaAs)肖特基二極管,其電路和測試結(jié)果如圖1-3所示。測試結(jié)果顯示,倍頻器的峰值效率為34%,相對(duì)帶寬為11%。當(dāng)輸出頻率為180GHz,驅(qū)動(dòng)功率為500mW時(shí),該倍頻器的輸出功率可達(dá)109mW。同時(shí),該團(tuán)隊(duì)還測試了兩路倍頻器功率合成后的輸出功率和效率,受驅(qū)動(dòng)源性能的限制,僅測試了驅(qū)動(dòng)功率為500mW時(shí),輸出功率為105mW。因此,當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)一步提高后,該功率合成電路可產(chǎn)生更高的輸出功率。(a)(b)圖1-3英國RAL實(shí)驗(yàn)室180GHz高效率二倍頻器。(a)實(shí)物照片;(b)測試結(jié)果2019年,電子科技大學(xué)張波等研制了一種新型無襯底高承載功率220GHz三倍頻器[30],其電路和測試結(jié)果如圖1-4所示。該倍頻器基于氮化鎵(GalliumNitride,GaN)肖特基二極管,二極管直接架接在鰭線過渡結(jié)構(gòu)上,無需基片襯底,在高驅(qū)動(dòng)功率時(shí),可有效進(jìn)行散熱,防止二極管芯片融毀。測試結(jié)果顯示,當(dāng)工作頻率為220GHz時(shí),該三倍頻器的承載功率可達(dá)1100mW,當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率為900mW時(shí)為最佳工作狀態(tài),輸出功率可達(dá)17.5mW。(a)(b)圖1-4電子科技大學(xué)無襯底高承載功率220GHz三倍頻器。(a)電路結(jié)構(gòu);(b)測試結(jié)果
電子科技大學(xué)博士學(xué)位論文42017年,英國盧瑟福·阿普爾頓實(shí)驗(yàn)室(RutherfordAppletonLaboratory,RAL)的HairuiLiu等研制了180GHz高效率太赫茲倍頻器[32]。該倍頻器基于砷化鎵(GalliumArsenide,GaAs)肖特基二極管,其電路和測試結(jié)果如圖1-3所示。測試結(jié)果顯示,倍頻器的峰值效率為34%,相對(duì)帶寬為11%。當(dāng)輸出頻率為180GHz,驅(qū)動(dòng)功率為500mW時(shí),該倍頻器的輸出功率可達(dá)109mW。同時(shí),該團(tuán)隊(duì)還測試了兩路倍頻器功率合成后的輸出功率和效率,受驅(qū)動(dòng)源性能的限制,僅測試了驅(qū)動(dòng)功率為500mW時(shí),輸出功率為105mW。因此,當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率進(jìn)一步提高后,該功率合成電路可產(chǎn)生更高的輸出功率。(a)(b)圖1-3英國RAL實(shí)驗(yàn)室180GHz高效率二倍頻器。(a)實(shí)物照片;(b)測試結(jié)果2019年,電子科技大學(xué)張波等研制了一種新型無襯底高承載功率220GHz三倍頻器[30],其電路和測試結(jié)果如圖1-4所示。該倍頻器基于氮化鎵(GalliumNitride,GaN)肖特基二極管,二極管直接架接在鰭線過渡結(jié)構(gòu)上,無需基片襯底,在高驅(qū)動(dòng)功率時(shí),可有效進(jìn)行散熱,防止二極管芯片融毀。測試結(jié)果顯示,當(dāng)工作頻率為220GHz時(shí),該三倍頻器的承載功率可達(dá)1100mW,當(dāng)驅(qū)動(dòng)功率為900mW時(shí)為最佳工作狀態(tài),輸出功率可達(dá)17.5mW。(a)(b)圖1-4電子科技大學(xué)無襯底高承載功率220GHz三倍頻器。(a)電路結(jié)構(gòu);(b)測試結(jié)果
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]一種新型太赫茲分支波導(dǎo)定向耦合器設(shè)計(jì)[J]. 師婭楠,張斌珍,段俊萍,王穎. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2019(05)
[2]GaAs肖特基二極管的250 GHz二次諧波混頻器研究[J]. 胡海帆,趙自然,馬旭明,姜壽祿. 紅外與激光工程. 2019(07)
[3]單片集成430 GHz三倍頻器的設(shè)計(jì)及測試[J]. 楊大寶,邢東,梁士雄,張立森,徐鵬,馮志紅. 中國激光. 2019(06)
[4]A Survey on Terahertz Communications[J]. Zhi Chen,Xinying Ma,Bo Zhang,Yaxin Zhang,Zhongqian Niu,Ningyuan Kuang,Wenjie Chen,Lingxiang Li,Shaoqian Li. 中國通信. 2019(02)
[5]220 GHz InP DHBT單片集成功率放大器[J]. 孫巖,程偉,陸海燕,王元,王宇軒,孔月嬋,陳堂勝. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2018(05)
[6]太赫茲波通信技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 楊鴻儒,李宏光. 應(yīng)用光學(xué). 2018(01)
[7]砷化鎵材料[J]. 王建利,牛沈軍,蘭天平,周春峰,孫強(qiáng). 科技創(chuàng)新導(dǎo)報(bào). 2010(32)
[8]太赫茲科學(xué)技術(shù)及其應(yīng)用的新發(fā)展[J]. 劉盛綱,鐘任斌. 電子科技大學(xué)學(xué)報(bào). 2009(05)
[9]太赫茲輻射的研究及應(yīng)用[J]. 馬曉菁,代斌,葛敏. 化工時(shí)刊. 2006(12)
[10]太赫茲科學(xué)技術(shù)的新發(fā)展[J]. 劉盛綱. 中國基礎(chǔ)科學(xué). 2006(01)
碩士論文
[1]W波段準(zhǔn)橢圓波導(dǎo)帶通濾波器研究[D]. 肖紅.中北大學(xué) 2019
[2]基于基片集成技術(shù)的交叉耦合腔體濾波器的延伸研究[D]. 鄒玉鵬.南京航空航天大學(xué) 2015
[3]模式匹配法分析復(fù)雜波導(dǎo)的不連續(xù)性[D]. 賈瑤.西安電子科技大學(xué) 2010
[4]脊波導(dǎo)定向耦合器的設(shè)計(jì)與研究[D]. 蔣平英.電子科技大學(xué) 2007
本文編號(hào):3623251
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