發(fā)布時(shí)間：2021-11-26 09:07

　　輻射效應(yīng)是空間環(huán)境中導(dǎo)致宇航元器件功能失效及性能退化的重要因素,而單粒子效應(yīng)是輻射效應(yīng)的重要組成部分。當(dāng)高能粒子入射處于工作狀態(tài)下的器件時(shí),會(huì)誘使器件發(fā)生功能錯(cuò)誤乃至永久性損壞。未來(lái)宇航應(yīng)用中,對(duì)小尺寸工藝CMOS器件和高壓功率器件需求將越來(lái)越大,隨著CMOS器件工藝尺寸不斷減小以及功率器件工作電壓增高,相應(yīng)的單粒子效應(yīng)敏感性問題也變得越發(fā)嚴(yán)峻。對(duì)于小尺寸工藝CMOS器件,單粒子效應(yīng)主要有單粒子瞬變效應(yīng)（SET）,單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)（SEU）等,而對(duì)于高壓功率器件單粒子效應(yīng)主要有單粒子燒毀效應(yīng)（SEB）,單粒子?xùn)糯┬?yīng)（SEGR）,單粒子閂鎖效應(yīng)（SEL）等。目前在器件單粒子效應(yīng)仿真技術(shù)方面仍存在諸多問題有待解決。在CMOS器件單粒子效應(yīng)方面還不能實(shí)現(xiàn)不同層面仿真技術(shù)的有機(jī)整合。基于器件級(jí)單粒子效應(yīng)分析結(jié)果建立單粒子效應(yīng)HSPICE模型是支撐電路級(jí)單粒子效應(yīng)仿真的關(guān)鍵。然而目前的單粒子效應(yīng)HSPICE模型還不能準(zhǔn)確描述粒子作用器件過程中器件內(nèi)部寄生RC特性且不能涵蓋器件電特性與粒子參數(shù)的關(guān)系。在VDMOS單粒子效應(yīng)研究方面,傳統(tǒng)的2D TCAD仿真無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)VDMOS器件單粒子燒毀特性的準(zhǔn)... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：122 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

地球輻射帶示意圖

南大西洋異常區(qū)范圍

太陽(yáng)耀斑

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]納米級(jí)CMOS集成電路的單粒子效應(yīng)及其加固技術(shù)[J]. 趙元富,王亮,岳素格,孫永姝,王丹,劉琳,劉家齊,王漢寧.  電子學(xué)報(bào). 2018(10)
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博士論文
[1]微納級(jí)SRAM器件單粒子效應(yīng)理論模擬研究[D]. 耿超.中國(guó)科學(xué)院研究生院（近代物理研究所） 2014
[2]高能質(zhì)子輻射效應(yīng)研究[D]. 王同權(quán).中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2003

碩士論文
[1]功率MOSFET器件的SEB和SEGR效應(yīng)研究[D]. 張鳳祁.西安電子科技大學(xué) 2013
[2]功率VDMOS器件結(jié)構(gòu)與優(yōu)化設(shè)計(jì)研究[D]. 王蓉.西安電子科技大學(xué) 2010
[3]功率VDMOS器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)[D]. 張方媛.西安電子科技大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3519830