近年來,太赫茲（THz）頻率因其在超高速無線通信、光譜學和成像等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,而受到人們的廣泛關(guān)注。由于THz頻率位于光波和毫米波之間,人們正在由光學和電子器件兩個方向去產(chǎn)生THz波。對于半導(dǎo)體單振子,人們從光學器件的角度研究了p型鍺激光器和THz量子級聯(lián)激光器,而從電子器件方面,研究了碰撞電離雪崩渡越時間二極管、Gunn二極管和共振隧穿二極管（RTD）等兩端器件。其中RTD利用的是量子力學隧穿現(xiàn)象,它能使RTD運行在更高振蕩頻率。因此,RTD被廣泛認為是最快的固態(tài)電子器件。最早的RTD電子器件是基于砷化物材料制造,然而,受限于砷化物的材料屬性,RTD的輸出功率僅僅只有微瓦,這大大限制了其應(yīng)用。隨著近些年來,以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料以其較寬的帶隙,高遷移率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)秀特性,而被人們廣泛關(guān)注。因此GaN基RTD應(yīng)運而生,然而在III族氮化物材料中存在強的極性和高的缺陷,這使得GaN基RTD在室溫下難以維持穩(wěn)定的負阻特性,即I-V曲線中的NDR區(qū)域出現(xiàn)退化。直到最近,基于氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)的RTD器件,才在室溫下實現(xiàn)了穩(wěn)定可重復(fù)的共振隧穿特性,然而其可重復(fù)性仍然是有限的�；诖�,... 

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：127 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

圖2.1雙勢壘量子阱結(jié)構(gòu)中隧穿的物理過程

GaN纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)中的原子排列示意圖

器件外延結(jié)構(gòu)


本文編號：3407609