β-Ga 2 O 3 的MOCVD生長及其日盲紫外探測器的研究
發(fā)布時間：2021-09-09 19:29
β-Ga2O3作為一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅具有超寬的帶隙和高耐壓、低損耗特性,而且具有很好的化學(xué)和熱穩(wěn)定性,這使其在高功率器件以及日盲紫外探測器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。目前,β-Ga2O3材料的研究還處于初期階段,針對β-Ga2O3材料的制備和相關(guān)性質(zhì)研究還不夠系統(tǒng)和深入。尤其是β-Ga2O3薄膜質(zhì)量不高,限制了其在半導(dǎo)體器件上的應(yīng)用。此外,β-Ga2O3的摻雜研究進展緩慢。雖然n型摻雜取得了一些進展,但仍需進一步研究以改善其電學(xué)性能,且β-Ga2O3的p型摻雜仍然是一個難題。本論文針對目前β-Ga2O3材料的研究熱點和難點問題,采用高溫氧化物MOCVD系統(tǒng),圍繞β-Ga2O3薄膜和一維納米材料的生長、β-Ga2
【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】：144 頁
【學(xué)位級別】：博士
【圖文】：
Ga2O3同分異構(gòu)體間的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變
β-Ga2O3晶胞結(jié)構(gòu)圖：(1)為c軸方向，(2)為a軸方向，(3)為b軸方向在這幾種同分異構(gòu)體中，研究比較多的是-GaO和β-GaO，尤其是
圖 1.3 歷年氧化鎵相關(guān)文章發(fā)表數(shù)量統(tǒng)計β-Ga2O3薄膜的研究進展004 年，H.W. Kim 等人采用 MOCVD 工藝在藍寶石襯底上生長了 襯底溫度為 550 ℃。退火前后的 XRD 的測試結(jié)果如圖 1.4 所示[49]看出，未退火前薄膜呈非晶態(tài)，經(jīng) 1050 ℃退火后出現(xiàn)較多的衍射峰分別來自 -Ga2O3和 β-Ga2O3。
【參考文獻】：
期刊論文
[1]Electronic structures and optical properties of Zn-dopedβ-Ga2O3 with different doping sites[J]. 李超,閆金良,張麗英,趙剛. Chinese Physics B. 2012(12)
[2]Electronic structure and optical properties of N-Zn co-doped-Ga2O3[J]. YAN JinLiang * & ZHAO YinNv School of Physics,Ludong University,Yantai 264025,China. Science China（Physics,Mechanics & Astronomy）. 2012(04)
[3]High Purity and Large-scale Preparation of β-Ga2O3 Nanowires and Nanosheets by CVD and Their Raman and Photoluminescence Characteristics[J]. YU Zhou1, YANG Zhi-mei2, CHEN Hao1, WU Zhan-wen1, JIN Yong1, JIAO Zhi-feng1, HE Yi3, WANG Hui3, LIU Jun-gang4, GONG Min2, SUN Xiao-song1 (1. Department of Materials Science; 2. Key Lab of Microelectronics and Technology; 3. Analytical and Testing Center, Sichuan University, Chengdu 610064, CHN; 4. Chongqing Optoelectronics Research Institute, Chongqing 400060, CHN). Semiconductor Photonics and Technology. 2007(02)
博士論文
[1]氧化鎵基光電探測器的研制與研究[D]. 崔書娟.中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院物理研究所) 2018
[2]Ga2O3異質(zhì)結(jié)及Au納米顆粒復(fù)合增強的日盲紫外探測器研究[D]. 安躍華.北京郵電大學(xué) 2017
[3]同質(zhì)外延氧化鎵薄膜和鋁銦氧薄膜的制備及性質(zhì)研究[D]. 杜學(xué)艦.山東大學(xué) 2017
[4]氮摻雜氧化鎵薄膜為過渡層制備氮化鎵納米線及其探測器[D]. 孫瑞.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2015
碩士論文
[1]Ga2O3薄膜的高溫MOCVD生長與紫外探測器制備研究[D]. 馬征征.吉林大學(xué) 2017
[2]氧化鎵異質(zhì)外延薄膜結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系研究[D]. 夏勇.電子科技大學(xué) 2016
本文編號：3392652
【文章來源】：吉林大學(xué)吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】：144 頁
【學(xué)位級別】：博士
【圖文】：
Ga2O3同分異構(gòu)體間的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變
β-Ga2O3晶胞結(jié)構(gòu)圖：(1)為c軸方向，(2)為a軸方向，(3)為b軸方向在這幾種同分異構(gòu)體中，研究比較多的是-GaO和β-GaO，尤其是
圖 1.3 歷年氧化鎵相關(guān)文章發(fā)表數(shù)量統(tǒng)計β-Ga2O3薄膜的研究進展004 年，H.W. Kim 等人采用 MOCVD 工藝在藍寶石襯底上生長了 襯底溫度為 550 ℃。退火前后的 XRD 的測試結(jié)果如圖 1.4 所示[49]看出，未退火前薄膜呈非晶態(tài)，經(jīng) 1050 ℃退火后出現(xiàn)較多的衍射峰分別來自 -Ga2O3和 β-Ga2O3。
【參考文獻】：
期刊論文
[1]Electronic structures and optical properties of Zn-dopedβ-Ga2O3 with different doping sites[J]. 李超,閆金良,張麗英,趙剛. Chinese Physics B. 2012(12)
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博士論文
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[2]Ga2O3異質(zhì)結(jié)及Au納米顆粒復(fù)合增強的日盲紫外探測器研究[D]. 安躍華.北京郵電大學(xué) 2017
[3]同質(zhì)外延氧化鎵薄膜和鋁銦氧薄膜的制備及性質(zhì)研究[D]. 杜學(xué)艦.山東大學(xué) 2017
[4]氮摻雜氧化鎵薄膜為過渡層制備氮化鎵納米線及其探測器[D]. 孫瑞.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2015
碩士論文
[1]Ga2O3薄膜的高溫MOCVD生長與紫外探測器制備研究[D]. 馬征征.吉林大學(xué) 2017
[2]氧化鎵異質(zhì)外延薄膜結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系研究[D]. 夏勇.電子科技大學(xué) 2016
本文編號：3392652
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