薄膜晶體管（TFT）是目前主流顯示技術(shù)中的關(guān)鍵器件,其中,柵極絕緣層是薄膜晶體管實現(xiàn)低功耗和高穩(wěn)定性的核心材料之一。氧化鋯（Zr O₂）等高介電（High-k）絕緣材料具有高電容和寬禁帶的特點(diǎn),相較于Si N_x和Si O_x等常規(guī)絕緣材料,可以有效提高顯示單元陣列的密度和性能。傳統(tǒng)真空鍍膜制備絕緣層存在成本高、效率低的問題,溶液加工法可實現(xiàn)薄膜的直接圖形化,適合大面積薄膜制備。本文重點(diǎn)為印刷氧化鋯絕緣層薄膜晶體管,開發(fā)了絕緣墨水,研究了印刷技術(shù)及低溫工藝,并實現(xiàn)了柔性晶體管的制備。本論文系統(tǒng)分析了氧化鋯絕緣墨水的可印刷性和固化過程中的組分變化,研究了旋涂及噴墨打印絕緣薄膜技術(shù),使用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）有機(jī)絕緣材料摻雜提高印刷氧化鋯絕緣層的抗彎折性,通過優(yōu)化前驅(qū)體材料及UV輔助熱退火工藝實現(xiàn)了絕緣薄膜的低溫制備,最終得到柔性TFT器件。主要研究成果如下:（1）研究分析了顆粒型和前驅(qū)體型氧化鋯墨水的特性,挖掘出適用于制備印刷絕緣薄膜的前驅(qū)體型墨水。利用TG/DSC、FTIR和XRD測試手段研究了退火過程中氧化鋯墨水固化及致... 

【文章來源】：華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：119 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖

常見薄膜晶體管結(jié)構(gòu)：（a）底柵頂接觸型；（b）底柵底接觸型；（c）頂柵頂接觸型；（d）頂柵底接觸型

TFT電學(xué)特性：（a）輸出特性曲線；（b）轉(zhuǎn)移特性曲線

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]近代顯示技術(shù)綜述[J]. 李鵬飛,徐恩波,淡美俊.  電子制作. 2018(14)
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[3]旋涂法制備功能薄膜的研究進(jìn)展[J]. 王東,劉紅纓,賀軍輝,劉林林.  影像科學(xué)與光化學(xué). 2012(02)

博士論文
[1]溶液加工氧化物薄膜晶體管器件研究[D]. 李育智.華南理工大學(xué) 2019
[2]基于濕法制備的有機(jī)薄膜晶體管器件研究[D]. 許偉.華南理工大學(xué) 2017
[3]金屬氧化物薄膜晶體管器件的穩(wěn)定性研究[D]. 李民.華南理工大學(xué) 2014

碩士論文
[1]基于噴墨印刷的有機(jī)薄膜晶體管的研制[D]. 胡文華.江南大學(xué) 2009



本文編號：3383610