金剛線切割多晶硅黑硅制備及電池性能研究
發(fā)布時間:2021-09-01 21:39
近幾年金剛線切割技術(shù)使單晶硅電池大大降低了與多晶硅電池成本差距。由于采用金剛線切割多晶硅片在清洗制絨技術(shù)環(huán)節(jié)存在技術(shù)瓶頸,存在不易制絨、反射率高、轉(zhuǎn)化效率低等問題,導(dǎo)致金剛線切割的多晶硅電池片不能在行業(yè)內(nèi)成規(guī)模應(yīng)用。目前行業(yè)內(nèi)采用黑硅技術(shù)來解決該問題,但對成規(guī)模性黑硅制絨工藝及影響因素的研究并不深入。本文以金剛線切割多晶硅片為研究對象,從反應(yīng)離子刻蝕(RIE)干法制備黑硅和銀催化化學(xué)腐蝕(MCCE)濕法制備黑硅兩種工藝出發(fā),利用規(guī);碾姵禺a(chǎn)線作為實驗平臺,系統(tǒng)并深入研究了RIE干法制備工藝、MCCE濕法制備工藝以及對電性能衰減的影響,分析了工藝參數(shù)及電性能的影響因素及解決方案,明確了制備黑硅的最佳工藝。主要研究工作和成果總結(jié)如下:(1)在金剛線切割多晶硅上進(jìn)行了反應(yīng)離子刻蝕(RIE)干法制備黑硅工藝實驗的研究,分析了刻蝕參數(shù)對多晶硅表面形貌的影響。實驗發(fā)現(xiàn)RIE刻蝕后多晶硅片表面覆蓋著不易揮發(fā)的白色物體,且刻蝕孔洞邊緣有尖狀結(jié)構(gòu)。利用酸溶液中進(jìn)行清洗后發(fā)現(xiàn),隨著清洗時間的延長,孔洞邊緣變得光滑,直徑逐漸變大。清洗300s時,孔洞比較均勻,反射率為11.5%,再隨著清洗時間延長,孔洞逐...
【文章來源】:北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:114 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
011年~2024年中國光伏發(fā)電裝機(jī)量及新增裝機(jī)量預(yù)測
北京交通大學(xué)博士學(xué)位論文引言2現(xiàn)在的2.5%上升到19.3%。光伏裝機(jī)量到2050年將超過2000GW,即2021年~2050年,平均每年光伏裝機(jī)量60GW。圖1-12011年~2024年全球光伏發(fā)電裝機(jī)量及新增裝機(jī)量預(yù)測Figure1-12011~2024theglobalinstalledcapacityofnewPVpowergenerationandforecast圖1-22011年~2024年中國光伏發(fā)電裝機(jī)量及新增裝機(jī)量預(yù)測Figure1-22011-2024ChinainstalledcapacityofnewPVpowergenerationandforecast1.2晶硅電池發(fā)電原理及制備工藝1.2.1晶硅電池發(fā)電原理
北京交通大學(xué)博士學(xué)位論文引言3圖1-32018年中國光伏裝機(jī)分布圖Figure1-3ChinesePVRegionDistributionMapin2018硼/磷作為雜質(zhì)摻入晶體硅中時,主要以替位雜質(zhì)形式存在。硼的最外層有3個電子,當(dāng)晶硅中摻入硼時,硼以負(fù)離子雜質(zhì)存在,周圍存在一個空穴與其保持電中性,這樣以空穴占主導(dǎo)的硅稱為P型硅;類似,由于磷原子最外層有5個電子,摻入晶體硅后磷以正離子雜質(zhì)存在,周圍存在一個電子與其保持電中性,這樣以電子占主導(dǎo)的硅稱為N型硅。在同一襯底硅中通過不同的摻雜濃度使得出現(xiàn)P型區(qū)和N型區(qū),由于P型區(qū)和N型區(qū)的多數(shù)載流子向?qū)Ψ綌U(kuò)散,在原來位置上留下不可移動的雜質(zhì)離子,形成了內(nèi)建電場,內(nèi)建電場的存在將促進(jìn)少子漂移,抑制多子擴(kuò)散,當(dāng)擴(kuò)散運動和漂移運動達(dá)到了動態(tài)平衡時,便形成了穩(wěn)定的空間電荷區(qū),即PN結(jié)。當(dāng)入射到晶體硅中的光子能量超過該半導(dǎo)體禁帶寬度時會產(chǎn)生本征吸收,本征吸收結(jié)果是半導(dǎo)體價帶中的電子受到光子激發(fā)而躍遷到導(dǎo)帶,并在價帶中留下一個空穴[18]。晶硅電池發(fā)電原理如圖1-4所示。當(dāng)入射光能量大于等于硅帶隙時,在硅中產(chǎn)生本征激發(fā),即產(chǎn)生電子空穴對,由于內(nèi)建電場的存在,當(dāng)載流子運動到PN結(jié)內(nèi)時,將被定向分離,結(jié)果是在N型側(cè)聚集大量電子,P型側(cè)聚集大量空穴,便產(chǎn)生了電勢差,也就是光生伏特效應(yīng)[19,20]。衡量太陽電池的重要指標(biāo)有開路電壓VOC、短路電流ISC、最大輸出功率Pm、填充因子FF、轉(zhuǎn)化效率η。其中FF作為評價光伏電池輸出特性優(yōu)劣的重要指標(biāo)之一。FF與最大輸出功率Pm的關(guān)系式,如式(1-1)所示。=×(1-1)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]高效率晶體硅太陽電池研究及產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展[J]. 宋登元,鄭小強(qiáng). 半導(dǎo)體技術(shù). 2013(11)
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[9]反應(yīng)離子刻蝕加工工藝技術(shù)的研究[J]. 來五星,廖廣蘭,史鐵林,楊叔子. 半導(dǎo)體技術(shù). 2006(06)
[10]薄膜太陽電池的研究進(jìn)展[J]. 耿新華,孫云,王宗畔,李長健. 物理. 1999(02)
碩士論文
[1]硅太陽能電池制絨工藝的研究[D]. 王靖雯.上海應(yīng)用技術(shù)學(xué)院 2015
[2]全液相兩步法金屬輔助化學(xué)刻蝕制備多晶黑硅太陽能電池[D]. 韓長安.蘇州大學(xué) 2014
[3]金屬催化化學(xué)刻蝕多晶黑硅材料及其太陽電池的制備[D]. 代智華.蘇州大學(xué) 2013
[4]多晶硅太陽能電池酸腐蝕制絨研究[D]. 李世杰.北京交通大學(xué) 2012
本文編號:3377736
【文章來源】:北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:114 頁
【學(xué)位級別】:博士
【部分圖文】:
011年~2024年中國光伏發(fā)電裝機(jī)量及新增裝機(jī)量預(yù)測
北京交通大學(xué)博士學(xué)位論文引言2現(xiàn)在的2.5%上升到19.3%。光伏裝機(jī)量到2050年將超過2000GW,即2021年~2050年,平均每年光伏裝機(jī)量60GW。圖1-12011年~2024年全球光伏發(fā)電裝機(jī)量及新增裝機(jī)量預(yù)測Figure1-12011~2024theglobalinstalledcapacityofnewPVpowergenerationandforecast圖1-22011年~2024年中國光伏發(fā)電裝機(jī)量及新增裝機(jī)量預(yù)測Figure1-22011-2024ChinainstalledcapacityofnewPVpowergenerationandforecast1.2晶硅電池發(fā)電原理及制備工藝1.2.1晶硅電池發(fā)電原理
北京交通大學(xué)博士學(xué)位論文引言3圖1-32018年中國光伏裝機(jī)分布圖Figure1-3ChinesePVRegionDistributionMapin2018硼/磷作為雜質(zhì)摻入晶體硅中時,主要以替位雜質(zhì)形式存在。硼的最外層有3個電子,當(dāng)晶硅中摻入硼時,硼以負(fù)離子雜質(zhì)存在,周圍存在一個空穴與其保持電中性,這樣以空穴占主導(dǎo)的硅稱為P型硅;類似,由于磷原子最外層有5個電子,摻入晶體硅后磷以正離子雜質(zhì)存在,周圍存在一個電子與其保持電中性,這樣以電子占主導(dǎo)的硅稱為N型硅。在同一襯底硅中通過不同的摻雜濃度使得出現(xiàn)P型區(qū)和N型區(qū),由于P型區(qū)和N型區(qū)的多數(shù)載流子向?qū)Ψ綌U(kuò)散,在原來位置上留下不可移動的雜質(zhì)離子,形成了內(nèi)建電場,內(nèi)建電場的存在將促進(jìn)少子漂移,抑制多子擴(kuò)散,當(dāng)擴(kuò)散運動和漂移運動達(dá)到了動態(tài)平衡時,便形成了穩(wěn)定的空間電荷區(qū),即PN結(jié)。當(dāng)入射到晶體硅中的光子能量超過該半導(dǎo)體禁帶寬度時會產(chǎn)生本征吸收,本征吸收結(jié)果是半導(dǎo)體價帶中的電子受到光子激發(fā)而躍遷到導(dǎo)帶,并在價帶中留下一個空穴[18]。晶硅電池發(fā)電原理如圖1-4所示。當(dāng)入射光能量大于等于硅帶隙時,在硅中產(chǎn)生本征激發(fā),即產(chǎn)生電子空穴對,由于內(nèi)建電場的存在,當(dāng)載流子運動到PN結(jié)內(nèi)時,將被定向分離,結(jié)果是在N型側(cè)聚集大量電子,P型側(cè)聚集大量空穴,便產(chǎn)生了電勢差,也就是光生伏特效應(yīng)[19,20]。衡量太陽電池的重要指標(biāo)有開路電壓VOC、短路電流ISC、最大輸出功率Pm、填充因子FF、轉(zhuǎn)化效率η。其中FF作為評價光伏電池輸出特性優(yōu)劣的重要指標(biāo)之一。FF與最大輸出功率Pm的關(guān)系式,如式(1-1)所示。=×(1-1)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[3]黑硅與黑硅太陽電池的研究進(jìn)展[J]. 蔣曄,沈鴻烈,岳之浩,王威,呂紅杰. 人工晶體學(xué)報. 2012(S1)
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[9]反應(yīng)離子刻蝕加工工藝技術(shù)的研究[J]. 來五星,廖廣蘭,史鐵林,楊叔子. 半導(dǎo)體技術(shù). 2006(06)
[10]薄膜太陽電池的研究進(jìn)展[J]. 耿新華,孫云,王宗畔,李長健. 物理. 1999(02)
碩士論文
[1]硅太陽能電池制絨工藝的研究[D]. 王靖雯.上海應(yīng)用技術(shù)學(xué)院 2015
[2]全液相兩步法金屬輔助化學(xué)刻蝕制備多晶黑硅太陽能電池[D]. 韓長安.蘇州大學(xué) 2014
[3]金屬催化化學(xué)刻蝕多晶黑硅材料及其太陽電池的制備[D]. 代智華.蘇州大學(xué) 2013
[4]多晶硅太陽能電池酸腐蝕制絨研究[D]. 李世杰.北京交通大學(xué) 2012
本文編號:3377736
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